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  • 1 篇 中国科学技术大学

作者

  • 10 篇 侯晓远
  • 7 篇 廖良生
  • 6 篇 刘小兵
  • 6 篇 金晓峰
  • 5 篇 董国胜
  • 4 篇 丁训民
  • 4 篇 何钧
  • 4 篇 王迅
  • 4 篇 蒋平
  • 4 篇 袁帅
  • 4 篇 熊祖洪
  • 3 篇 陈艳
  • 3 篇 张明
  • 2 篇 龚大卫
  • 2 篇 缪熙月
  • 2 篇 黄大鸣
  • 2 篇 曹先安
  • 2 篇 孙恒慧
  • 2 篇 范洪雷
  • 2 篇 徐敏

语言

  • 25 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室"
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GaN异质外延的离子化氮源方法
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物理学报 1994年 第7期43卷 1123-1128页
作者： 贺仲卿 丁训民 侯晓远 王迅 沈孝良 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室 复旦大学分析测试中心
用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损... 详细信息
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多孔硅在液体中的两种电致发光光谱
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物理学报 1997年 第6期46卷 1223-1229页
作者： 廖良生 袁泽亮 刘小兵 侯晓远 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 李政道物理学综合实验室 长沙电力学院物理系
ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭... 详细信息
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亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应
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物理学报 1995年 第1期44卷 115-121页
作者： 张明 董国胜 徐敏 陈艳 金晓峰 朱兴国 复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室 上海200433 浙江大学基础部
利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的... 详细信息
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砷化镓及其它Ⅲ—Ⅴ族半导体表面的硫钝化
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物理学进展 1995年 第2期 218-231页
作者： 李 深 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和复旦大学李政道物理学综合实验室
砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究，弄清了这种方法所存在的问题后，一些改进的硫钝化方法正不断发展，使之有可能... 详细信息
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单个散射杂质对电子波导影响的理论研究
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复旦学报（自然科学版） 1996年 第1期35卷 18-24页
作者： 费爱国 蒋临 徐光照 蒋平 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学表面物理国家重点实验室
本文用一双波导模型模拟漏波导，用δ函数模拟散射势，从理论上研究了单个散射杂质对漏波导传输特性的影响．结果表明，波导中即使存在单个散射杂质也会极大地影响无杂质漏波导中所观察到的电导台阶和隧穿电流的振荡，而位于隧穿势垒外... 详细信息
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锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究
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Journal of Semiconductors 1995年 第12期16卷 905-908页
作者： 王勤华 陆昉 龚大卫 王建宝 孙恒慧 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形... 详细信息
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GaAs表面的室温光致氮化
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Journal of Semiconductors 1995年 第9期16卷 721-724页
作者： 徐前江 丁训民 侯晓远 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理学综合实验室
在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下，到达ＧａＡｓ表面的Ｎ２会离解并和Ｇａ、Ａｓ原子成键，Ｘ射线光电子能谱测量结果证实了这一设想．
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SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱
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Journal of Semiconductors 1994年 第3期15卷 213-216页
作者： 黄大鸣 杨敏 盛篪 卢学坤 龚大卫 张翔九 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理学综合实验室
在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利... 详细信息
来源： 评论
用脉冲腐蚀制备发光多孔硅
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Journal of Semiconductors 1995年 第2期16卷 113-117页
作者： 范洪雷 侯晓远 李喆深 张甫龙 俞鸣人 王迅 复旦大学表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理学综合实验室
采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，... 详细信息
来源： 评论
电场中高分子的发光和激子的解离
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物理学报 1998年 第9期47卷 1536-1541页
作者： 李蕾 饶雪松 孙鑫 傅柔励 褚君浩 张志林 复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海大学嘉定分校
研究了电场对高分子的发光及激子的影响．１在强电场中，激子会解离成正负极化子对，这可定量解释最近观察到的实验：（１）电场超过１５ＭＶ／ｃｍ时，ＰＰＰ衍生物的发光强度很快减弱；（２）电场对４５ＭＶ／ｃｍ时，发光强度... 详细信息
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