检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1998年第9期47卷 1536-1541页

作者：李蕾饶雪松孙鑫傅柔励褚君浩张志林复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海大学嘉定分校

研究了电场对高分子的发光及激子的影响．１在强电场中，激子会解离成正负极化子对，这可定量解释最近观察到的实验：（１）电场超过１５ＭＶ／ｃｍ时，ＰＰＰ衍生物的发光强度很快减弱；（２）电场对４５ＭＶ／ｃｍ时，发光强度... 详细信息

研究了电场对高分子的发光及激子的影响．１在强电场中，激子会解离成正负极化子对，这可定量解释最近观察到的实验：（１）电场超过１５ＭＶ／ｃｍ时，ＰＰＰ衍生物的发光强度很快减弱；（２）电场对４５ＭＶ／ｃｍ时，发光强度减为２４％；（３）电场使发光光谱向蓝色移动．２高分子中π电子具有“离域性”，易于极化．算得高分子中激子具有很大的极化率，比氢原子大三个数量级以上．

关键词：高分子电场发光激子解离电致发光

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硅基SiN_xO_y∶C^+薄膜的光致发光

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Journal of Semiconductors 1998年第3期19卷 172-176页

作者：廖良生刘小兵熊祖洪何钧侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为... 详细信息

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为５５０ｎｍ的光致发光．样品经６００℃退火后，发光强度达到最大．

关键词：硅基发光材料光致发光二氧化硅

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一种简便有效的多孔硅后处理新方法

引用

Journal of Semiconductors 1998年第6期19卷 458-462页

作者：熊祖洪刘小兵廖良生袁帅何钧周翔曹先安丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激... 详细信息

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）。

关键词：多孔硅发光器件全硅基光电子集成

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多孔硅在液体中的两种电致发光光谱

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物理学报 1997年第6期46卷 1223-1229页

作者：廖良生袁泽亮刘小兵侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭... 详细信息

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭之后出现的白光发射，所需的工作电压很高．由于在酸液中红光猝灭之后，多孔层中形成了一连续的ＳｉＯ２薄层，因此在高电场作用下，热电子注入该薄氧化层。

关键词：多孔硅电致发光光谱液体红光发射白光

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多孔硅的一种新的后处理方法──微波等离子体辅助钝化处理

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物理学报 1997年第10期46卷 2059-2065页

作者：刘小兵熊祖洪袁帅廖良生何钧曹先安缪熙月丁训民侯晓远长沙电力学院物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０... 详细信息

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０ｎｍ，而且在空气条件下存放６０ｄ后发光强度没有变化．表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一．

关键词：微波等离子体多孔硅后处理钝化处理

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硅基SiN_xO_y薄膜的光致发光

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科学通报 1997年第17期42卷 1900-1901页

作者：廖良生熊祖洪袁帅侯晓远刘小兵复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室上海200433 长沙电力学院物理系长沙410077

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路... 详细信息

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.

关键词：硅基发光材料二氧化硅薄膜光致发光发光机理

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一种测量薄膜磁性的表面磁光克尔效应装置

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真空科学与技术 1997年第4期17卷 243-246页

作者：朱伟荣董国胜陈艳金晓峰钱世雄陈良尧复旦大学李政道物理学综合实验室上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学激光物理实验室上海200433 复旦大学半导体物理实验室上海200433

介绍表面磁光克尔效应谱（SMOKE）的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比，可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差，还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制，因此对探测器等硬件... 详细信息

介绍表面磁光克尔效应谱（SMOKE）的一种新方案。通过适当分光并测量信号束和参考束的光强比，可以明显改善由于激光的光强不稳造成的误差，还使得随机偏振激光器也能用于SMOKE装置。同时该方案中没有采用信号调制，因此对探测器等硬件要求很低。实验结果表明，采用光强稳定度为5％的普通国产He－Ne随机偏振激光器，其测量灵敏度能够达到目前国际上通常用于超薄膜磁性测量的SMOKE的同类水平。

关键词：磁光克尔效应磁性薄膜 SMOKE

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多孔硅的微结构与发光特性研究

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物理学报 1997年第8期46卷 1543-1551页

作者：刘小兵孙洁林袁帅廖良生何钧缪熙月范洪雷徐磊李民乾侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系中国科学院上海原子核研究所核分析中心

利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和光致荧光（ＰＬ）光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究．表面和侧面的ＡＦＭ结果表明，多孔硅表面呈“小山”状，有许多小的、突出的硅颗粒．在相同的腐蚀条件（等效... 详细信息

利用原子力显微镜（ＡＦＭ）和光致荧光（ＰＬ）光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究．表面和侧面的ＡＦＭ结果表明，多孔硅表面呈“小山”状，有许多小的、突出的硅颗粒．在相同的腐蚀条件（等效）下，脉冲腐蚀的样品表面Ｓｉ颗粒更加尖锐、突出，侧面的线状结构更明显，多孔硅层更厚．对应的ＰＬ谱，脉冲腐蚀的样品发光更强．

关键词： PL光谱多孔硅微结构发光特性 AFM

来源：评论

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热氧化SiO_2薄膜注C^+后的光致发光

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自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1997年第5期7卷 625-628页

作者：廖良生侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理学综合实验室上海200433

硅是最重要的半导体材料。为了实现硅基光电子集成,硅基发光材料的研究正日益受到重视。近年来,人们开始把硅表面上的热氧化SiO_2薄膜作为一种发光材料来加以研究。这是因为它的制备与现行硅平面工艺完全兼容,并且在硅集成电路中作为介... 详细信息

硅是最重要的半导体材料。为了实现硅基光电子集成,硅基发光材料的研究正日益受到重视。近年来,人们开始把硅表面上的热氧化SiO_2薄膜作为一种发光材料来加以研究。这是因为它的制备与现行硅平面工艺完全兼容,并且在硅集成电路中作为介质膜和掩蔽膜已有广泛应用。一旦能用SiO_2薄膜制作有源发光器件,那么硅基光电子集成就比较容易实现。制作SiO_2薄膜发光材料的主要思想是采用不同方法在SiO_2薄膜中嵌入纳米半导体晶粒。

关键词：离子注入热氧化二氧化硅薄膜光致发光

来源：评论

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单个散射杂质对电子波导影响的理论研究

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复旦学报（自然科学版） 1996年第1期35卷 18-24页

作者：费爱国蒋临徐光照蒋平复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学表面物理国家重点实验室

本文用一双波导模型模拟漏波导，用δ函数模拟散射势，从理论上研究了单个散射杂质对漏波导传输特性的影响．结果表明，波导中即使存在单个散射杂质也会极大地影响无杂质漏波导中所观察到的电导台阶和隧穿电流的振荡，而位于隧穿势垒外... 详细信息

本文用一双波导模型模拟漏波导，用δ函数模拟散射势，从理论上研究了单个散射杂质对漏波导传输特性的影响．结果表明，波导中即使存在单个散射杂质也会极大地影响无杂质漏波导中所观察到的电导台阶和隧穿电流的振荡，而位于隧穿势垒外的散射杂质对电导和隧穿电流的影响均可忽略．计算结果还显示，当散射势足够强时，其影响将趋于饱和．散射杂质对波导中的每一传播模的影响也作了讨论．

关键词：漏波导隧穿谱散射杂质波导

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