检索结果-内蒙古大学图书馆

物理 1994年第10期23卷 582-584页

作者：蒋平梁励芬董树忠复旦大学李政道物理学综合实验室应用表面物理国家重点实验室

介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Ｃｕ（１１１）表面的铁原子，形成由４８个铁原子组成的空心围栏，这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部，从而可以用ＳＴＭ与ＳＴＳ同时研究禁锢电子的状... 详细信息

介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Ｃｕ（１１１）表面的铁原子，形成由４８个铁原子组成的空心围栏，这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部，从而可以用ＳＴＭ与ＳＴＳ同时研究禁锢电子的状态密度对空间和能量的分布．预期这一成果将在许多方面促进今后研究工作的发展。

关键词：量子围栏表面态扫描隧道显微

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表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍

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物理 1994年第3期23卷 164-166页

作者：蒋平复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平（复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）第四届国际表面结构会议（ＩＣＳＯＳ－ＩＶ）于１９９３年８月１６日至８月１９... 详细信息

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平（复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）第四届国际表面结构会议（ＩＣＳＯＳ－ＩＶ）于１９９３年８月１６日至８月１９日在上海举行。来自１３个国家和地区...

关键词：表面结构吸附半导体材料金属

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Mn／GaAs（100）界面磁性的光电子能谱研究

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Journal of Semiconductors 1995年第2期16卷 81-86页

作者：张明董国胜朱兴国徐敏金晓峰复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室浙江工学院基础部

利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，... 详细信息

利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，界面表现出金属性．我们认为这是铁磁交换积分导致３ｄ能带分裂的结果．另外，从Ｍｎ３ｓ芯能级的多重分裂来看，至少从θ＞０．４ｎｍ开始，Ｍｎ的原子局域磁矩大小就不再变化．

关键词：锰砷化镓界面磁性光电子能谱电子结构

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多孔硅的一种新的后处理方法──微波等离子体辅助钝化处理

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物理学报 1997年第10期46卷 2059-2065页

作者：刘小兵熊祖洪袁帅廖良生何钧曹先安缪熙月丁训民侯晓远长沙电力学院物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０... 详细信息

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０ｎｍ，而且在空气条件下存放６０ｄ后发光强度没有变化．表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一．

关键词：微波等离子体多孔硅后处理钝化处理

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硅基SiN_xO_y∶C^+薄膜的光致发光

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Journal of Semiconductors 1998年第3期19卷 172-176页

作者：廖良生刘小兵熊祖洪何钧侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为... 详细信息

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为５５０ｎｍ的光致发光．样品经６００℃退火后，发光强度达到最大．

关键词：硅基发光材料光致发光二氧化硅

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一种简便有效的多孔硅后处理新方法

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Journal of Semiconductors 1998年第6期19卷 458-462页

作者：熊祖洪刘小兵廖良生袁帅何钧周翔曹先安丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激... 详细信息

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）。

关键词：多孔硅发光器件全硅基光电子集成

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快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

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物理学报 1994年第7期43卷 1137-1143页

作者：袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡... 详细信息

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．

关键词：分子束外延快速退火电学性质

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硅基SiN_xO_y薄膜的光致发光

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科学通报 1997年第17期42卷 1900-1901页

作者：廖良生熊祖洪袁帅侯晓远刘小兵复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室上海200433 长沙电力学院物理系长沙410077

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路... 详细信息

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.

关键词：硅基发光材料二氧化硅薄膜光致发光发光机理

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Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究

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物理学报 1995年第1期44卷 145-151页

作者：陈艳董国胜张明金晓峰陆尔东潘海斌徐彭寿张新夷范朝阳复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230026 浙江大学物理系杭州310027

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<... 详细信息

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大;当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构.

关键词： Mn/GaAs(100) 界面电子结构光电子能谱

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Co-Al/Cu多层膜中层间耦合和磁电阻的振荡

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科学通报 1996年第18期41卷 1657-1660页

作者：周仕明陈良尧朱伟荣王昱郑卫民王亚栋郑玉祥金庆原钱佑华董国胜金晓峰夏慧李政道物理学综合实验室复旦大学物理系上海200433 表面物理国家重点实验室复旦大学物理系上海200433 北京有色金属研究总院北京100080

近年来研究表明,由磁性金属和非磁性材料交替沉积而成的多层膜或超晶格结构中,相邻磁层间磁矩通过非磁层的耦合,可以出现相互平行排列的铁磁态、反平行排列的反铁磁态,或互相垂直的90°耦合。当磁性多层膜中出现反铁磁耦合时,样品... 详细信息

近年来研究表明,由磁性金属和非磁性材料交替沉积而成的多层膜或超晶格结构中,相邻磁层间磁矩通过非磁层的耦合,可以出现相互平行排列的铁磁态、反平行排列的反铁磁态,或互相垂直的90°耦合。当磁性多层膜中出现反铁磁耦合时,样品饱和时的磁阻R(S)小于零场时的电阻R(O),出现了所谓的巨磁电阻(giant magneto-resistance)效应,这一效应由于在磁头材料和磁敏感器件上具有广泛的用途而备受人们的关注。

关键词：磁性多层膜层间耦合磁电阻效应铝铜

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