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文献类型

  • 25 篇 期刊文献

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  • 25 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

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  • 25 篇 工学
    • 21 篇 材料科学与工程(可...
    • 11 篇 电子科学与技术(可...
    • 6 篇 光学工程
    • 2 篇 化学工程与技术
    • 1 篇 仪器科学与技术
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  • 7 篇 理学
    • 6 篇 物理学
    • 2 篇 化学

主题

  • 5 篇 多孔硅
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  • 2 篇 表面结构
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  • 1 篇 脉冲腐蚀
  • 1 篇 多层膜
  • 1 篇 扩散
  • 1 篇 发光谱
  • 1 篇 半导体

机构

  • 23 篇 复旦大学
  • 6 篇 长沙电力学院
  • 4 篇 李政道物理学综合...
  • 2 篇 浙江大学
  • 1 篇 应用表面物理国家...
  • 1 篇 中国科学院上海技...
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 上海交通大学
  • 1 篇 北京有色金属研究...
  • 1 篇 上海大学
  • 1 篇 表面物理国家重点...
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 复旦大学应用表面...
  • 1 篇 中国科学院上海原...
  • 1 篇 中国科学技术大学

作者

  • 10 篇 侯晓远
  • 7 篇 廖良生
  • 6 篇 刘小兵
  • 6 篇 金晓峰
  • 5 篇 董国胜
  • 4 篇 丁训民
  • 4 篇 何钧
  • 4 篇 王迅
  • 4 篇 蒋平
  • 4 篇 袁帅
  • 4 篇 熊祖洪
  • 3 篇 陈艳
  • 3 篇 张明
  • 2 篇 龚大卫
  • 2 篇 缪熙月
  • 2 篇 黄大鸣
  • 2 篇 曹先安
  • 2 篇 孙恒慧
  • 2 篇 范洪雷
  • 2 篇 徐敏

语言

  • 25 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室"
25 条 记 录,以下是11-20 订阅
排序:
量子围栏──扫描隧道显微术的又一杰作
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物理 1994年 第10期23卷 582-584页
作者: 蒋平 梁励芬 董树忠 复旦大学李政道物理学综合实验室 应用表面物理国家重点实验室
介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Cu(111)表面的铁原子,形成由48个铁原子组成的空心围栏,这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部,从而可以用STM与STS同时研究禁锢电子的状... 详细信息
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表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍
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物理 1994年 第3期23卷 164-166页
作者: 蒋平 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平(复旦大学李政道物理学综合实验复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433)第四届国际表面结构会议(ICSOS-IV)于1993年8月16日至8月19... 详细信息
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Mn/GaAs(100)界面磁性的光电子能谱研究
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Journal of Semiconductors 1995年 第2期16卷 81-86页
作者: 张明 董国胜 朱兴国 徐敏 金晓峰 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室浙江工学院基础部
利用X光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS),对温下Mn在GaAs(100)清洁表面淀积后的电子结构进行了研究.实验结果表明,当锰的覆盖度θ≤θc(θc≈0.25nm)时,界面体系是半导体性的;而当θ>θc时,... 详细信息
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多孔硅的一种新的后处理方法──微波等离子体辅助钝化处理
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物理学 1997年 第10期46卷 2059-2065页
作者: 刘小兵 熊祖洪 袁帅 廖良生 何钧 曹先安 缪熙月 丁训民 侯晓远 长沙电力学院物理系 复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室
报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法,即真空中微波等离子体辅助的钝化处理.傅里叶变换红外吸收谱表明,经处理的样品表面主要是被SiSx和SiOy所覆盖.与未经处理的样品相比,其发光强度增加约35倍,PL峰位蓝移了40... 详细信息
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硅基SiN_xO_y∶C^+薄膜的光致发光
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Journal of Semiconductors 1998年 第3期19卷 172-176页
作者: 廖良生 刘小兵 熊祖洪 何钧 侯晓远 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 李政道物理学综合实验室 长沙电力学院物理系
采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约120nm的SiNxOy薄膜,并在薄膜中注入C+,注入能量为35keV,剂量为5×1016cm-2.注C+样品在441.6nm的蓝光激发下,可以产生峰值约为... 详细信息
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一种简便有效的多孔硅后处理新方法
收藏 引用
Journal of Semiconductors 1998年 第6期19卷 458-462页
作者: 熊祖洪 刘小兵 廖良生 袁帅 何钧 周翔 曹先安 丁训民 侯晓远 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 李政道物理学综合实验室 长沙电力学院物理系
本文报道了一种简便有效的多孔硅(PS)后处理新方法,即在(NH4)2S/C2H5OH溶液中浸泡PS,并用紫外光辐照激发.后处理PS的光致发光(PL)强度约为未经处理的5倍;样品处理后的PL峰值90min内随激光连续激... 详细信息
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快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
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物理学 1994年 第7期43卷 1137-1143页
作者: 袁健 陆 昉 孙恒慧 卫星 杨敏 黄大鸣 徐宏来 沈鸿烈 邹世昌 复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系 复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
对快速退火后用共蒸发B_2O_3方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究.1100℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高4倍,空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当;外延层与衬底之间载流子浓度转变陡... 详细信息
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硅基SiN_xO_y薄膜的光致发光
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科学通报 1997年 第17期42卷 1900-1901页
作者: 廖良生 熊祖洪 袁帅 侯晓远 刘小兵 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室 上海200433 长沙电力学院物理系 长沙410077
为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路... 详细信息
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Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究
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物理学 1995年 第1期44卷 145-151页
作者: 陈艳 董国胜 张明 金晓峰 陆尔东 潘海斌 徐彭寿 张新夷 范朝阳 复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室 上海200433 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥230026 浙江大学物理系 杭州310027
利用同步辐射光电子能谱,研究了温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<... 详细信息
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Co-Al/Cu多层膜中层间耦合和磁电阻的振荡
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科学通报 1996年 第18期41卷 1657-1660页
作者: 周仕明 陈良尧 朱伟荣 王昱 郑卫民 王亚栋 郑玉祥 金庆原 钱佑华 董国胜 金晓峰 夏慧 李政道物理学综合实验室 复旦大学物理系上海200433 表面物理国家重点实验室 复旦大学物理系上海200433 北京有色金属研究总院 北京100080
近年来研究表明,由磁性金属和非磁性材料交替沉积而成的多层膜或超晶格结构中,相邻磁层间磁矩通过非磁层的耦合,可以出现相互平行排列的铁磁态、反平行排列的反铁磁态,或互相垂直的90°耦合。当磁性多层膜中出现反铁磁耦合时,样品... 详细信息
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