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  • 25 篇 期刊文献

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  • 25 篇 电子文献
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  • 25 篇 工学
    • 21 篇 材料科学与工程(可...
    • 11 篇 电子科学与技术(可...
    • 6 篇 光学工程
    • 2 篇 化学工程与技术
    • 1 篇 仪器科学与技术
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  • 7 篇 理学
    • 6 篇 物理学
    • 2 篇 化学

主题

  • 5 篇 多孔硅
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  • 3 篇 砷化镓
  • 3 篇 磁性
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  • 2 篇 表面结构
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  • 2 篇 光电子能谱
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  • 1 篇 脉冲腐蚀
  • 1 篇 多层膜
  • 1 篇 扩散
  • 1 篇 发光谱
  • 1 篇 半导体

机构

  • 23 篇 复旦大学
  • 6 篇 长沙电力学院
  • 4 篇 李政道物理学综合...
  • 2 篇 浙江大学
  • 1 篇 应用表面物理国家...
  • 1 篇 中国科学院上海技...
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 上海交通大学
  • 1 篇 北京有色金属研究...
  • 1 篇 上海大学
  • 1 篇 表面物理国家重点...
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 复旦大学应用表面...
  • 1 篇 中国科学院上海原...
  • 1 篇 中国科学技术大学

作者

  • 10 篇 侯晓远
  • 7 篇 廖良生
  • 6 篇 刘小兵
  • 6 篇 金晓峰
  • 5 篇 董国胜
  • 4 篇 丁训民
  • 4 篇 何钧
  • 4 篇 王迅
  • 4 篇 蒋平
  • 4 篇 袁帅
  • 4 篇 熊祖洪
  • 3 篇 陈艳
  • 3 篇 张明
  • 2 篇 龚大卫
  • 2 篇 缪熙月
  • 2 篇 黄大鸣
  • 2 篇 曹先安
  • 2 篇 孙恒慧
  • 2 篇 范洪雷
  • 2 篇 徐敏

语言

  • 25 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室"
25 条 记 录,以下是11-20 订阅
排序:
Co-Al/Cu多层膜中层间耦合和磁电阻的振荡
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科学通报 1996年 第18期41卷 1657-1660页
作者: 周仕明 陈良尧 朱伟荣 王昱 郑卫民 王亚栋 郑玉祥 金庆原 钱佑华 董国胜 金晓峰 夏慧 李政道物理学综合实验室 复旦大学物理系上海200433 表面物理国家重点实验室 复旦大学物理系上海200433 北京有色金属研究总院 北京100080
近年来研究表明,由磁性金属和非磁性材料交替沉积而成的多层膜或超晶格结构中,相邻磁层间磁矩通过非磁层的耦合,可以出现相互平行排列的铁磁态、反平行排列的反铁磁态,或互相垂直的90°耦合。当磁性多层膜中出现反铁磁耦合时,样品... 详细信息
来源: 评论
亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应
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物理学 1995年 第1期44卷 115-121页
作者: 张明 董国胜 徐敏 陈艳 金晓峰 朱兴国 复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室 上海200433 浙江大学基础部
利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的... 详细信息
来源: 评论
砷化镓及其它Ⅲ—Ⅴ族半导体表面的硫钝化
收藏 引用
物理学进展 1995年 第2期 218-231页
作者: 李 深 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和复旦大学李政道物理学综合实验室
砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望,但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究,弄清了这种方法所存在的问题后,一些改进的硫钝化方法正不断发展,使之有可能... 详细信息
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锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究
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Journal of Semiconductors 1995年 第12期16卷 905-908页
作者: 王勤华 陆昉 龚大卫 王建宝 孙恒慧 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
用深能级瞬态谱(DLTS)研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷,得到Si0.67Ge0.33/Si单量子样品的能带偏移为0.24eV.量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的DLTS谱上形... 详细信息
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GaAs表面温光致氮化
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Journal of Semiconductors 1995年 第9期16卷 721-724页
作者: 徐前江 丁训民 侯晓远 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理学综合实验室
在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下,到达GaAs表面的N2会离解并和Ga、As原子成键,X射线光电子能谱测量结果证实了这一设想.
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用脉冲腐蚀制备发光多孔硅
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Journal of Semiconductors 1995年 第2期16卷 113-117页
作者: 范洪雷 侯晓远 李喆深 张甫龙 俞鸣人 王迅 复旦大学表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理学综合实验室
采用脉冲腐蚀方法,研究多孔硅的动态腐蚀过程,测定了动态电流和时间的关系,提出并讨论了动态腐蚀机理.用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅,与直流腐蚀相比较,脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅,而且PL峰位有一定的蓝移,... 详细信息
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Mn/GaAs(100)界面磁性的光电子能谱研究
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Journal of Semiconductors 1995年 第2期16卷 81-86页
作者: 张明 董国胜 朱兴国 徐敏 金晓峰 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室浙江工学院基础部
利用X光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS),对温下Mn在GaAs(100)清洁表面淀积后的电子结构进行了研究.实验结果表明,当锰的覆盖度θ≤θc(θc≈0.25nm)时,界面体系是半导体性的;而当θ>θc时,... 详细信息
来源: 评论
Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究
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物理学 1995年 第1期44卷 145-151页
作者: 陈艳 董国胜 张明 金晓峰 陆尔东 潘海斌 徐彭寿 张新夷 范朝阳 复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室 上海200433 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥230026 浙江大学物理系 杭州310027
利用同步辐射光电子能谱,研究了温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<... 详细信息
来源: 评论
金刚石薄膜的光学透射率研究
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物理学 1995年 第9期44卷 1509-1515页
作者: 毛敏耀 亢昌军 王添平 解健芳 谭淞生 王渭源 章熙康 金晓峰 庄志诚 中国科学院上海冶金研究所传感技术国家重点实验室 上海200050 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室 上海200050 复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室 上海200433 上海交通大学物理化学中心
Diamond thin films are deposited on mirror-polished Si substrates using microwave plasma chemical vapour deposition (MPCVD), wherein, the substrates were first treated fornucleation by DC bias-enhanced MPCVD, and diam... 详细信息
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GaN异质外延的离子化氮源方法
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物理学 1994年 第7期43卷 1123-1128页
作者: 贺仲卿 丁训民 侯晓远 王迅 沈孝良 复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室 复旦大学分析测试中心
用电离N_2产生的离子束作为外延生长氮化物的N源已获得成功,在GaAs(100)衬底上长出了具有立方结晶的GaN薄膜,其(200)x射线衍射峰宽仅23’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方GaN的表面光学声子出现在损... 详细信息
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