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文献类型

  • 36 篇 期刊文献

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  • 36 篇 电子文献
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学科分类号

  • 36 篇 工学
    • 31 篇 材料科学与工程(可...
    • 19 篇 电子科学与技术(可...
    • 7 篇 光学工程
    • 5 篇 化学工程与技术
    • 1 篇 仪器科学与技术
    • 1 篇 信息与通信工程
  • 11 篇 理学
    • 8 篇 物理学
    • 5 篇 化学

主题

  • 8 篇 多孔硅
  • 5 篇 砷化镓
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  • 3 篇 界面
  • 3 篇 磁性
  • 3 篇 薄膜
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  • 2 篇 半导体
  • 2 篇 半导体表面
  • 2 篇 聚合物
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  • 2 篇 表面结构
  • 2 篇 电子结构
  • 2 篇 硅基发光材料
  • 2 篇 光电子能谱
  • 2 篇 高分子
  • 2 篇 量子阱
  • 2 篇 发光机理

机构

  • 33 篇 复旦大学
  • 6 篇 长沙电力学院
  • 5 篇 李政道物理学综合...
  • 2 篇 中国科学院上海技...
  • 2 篇 中国科学院上海技...
  • 2 篇 上海大学
  • 2 篇 浙江大学
  • 1 篇 应用表面物理国家...
  • 1 篇 李政道物理学综合...
  • 1 篇 红外物理国家重点...
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 上海交通大学
  • 1 篇 常熟高等专科学校...
  • 1 篇 红外物理国家重点...
  • 1 篇 北京有色金属研究...
  • 1 篇 中国科学院上海技...
  • 1 篇 表面物理国家重点...
  • 1 篇 中国科学院上海冶...
  • 1 篇 复旦大学应用表面...
  • 1 篇 中国科学院上海原...

作者

  • 12 篇 侯晓远
  • 7 篇 王迅
  • 7 篇 金晓峰
  • 7 篇 廖良生
  • 6 篇 丁训民
  • 6 篇 董国胜
  • 6 篇 刘小兵
  • 5 篇 傅柔励
  • 4 篇 何钧
  • 4 篇 蒋平
  • 4 篇 孙鑫
  • 4 篇 袁帅
  • 4 篇 熊祖洪
  • 3 篇 陈艳
  • 3 篇 龚大卫
  • 3 篇 曹先安
  • 3 篇 孙恒慧
  • 3 篇 俞鸣人
  • 3 篇 张明
  • 3 篇 陈良尧

语言

  • 36 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学李政道物理学综合实验室应用表面物理国家重点"
36 条 记 录,以下是31-40 订阅
排序:
量子围栏──扫描隧道显微术的又一杰作
收藏 引用
物理 1994年 第10期23卷 582-584页
作者: 蒋平 梁励芬 董树忠 复旦大学李政道物理学综合实验室 应用表面物理国家重点实验室
介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Cu(111)表面的铁原子,形成由48个铁原子组成的空心围栏,这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部,从而可以用STM与STS同时研究禁锢电子的状... 详细信息
来源: 评论
表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍
收藏 引用
物理 1994年 第3期23卷 164-166页
作者: 蒋平 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平(复旦大学李政道物理学综合实验复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433)第四届国际表面结构会议(ICSOS-IV)于1993年8月16日至8月19... 详细信息
来源: 评论
发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化
收藏 引用
物理 1994年 第12期23卷 761-762页
作者: 俞鸣人 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理综合实验室
发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化自从Canham[1]在1990年发现多孔硅(PS)在窒温下高效率的可见光发射以来,由于其在光电技术上的应用前景,加上它和硅大规模集成工艺的可容性,很快就引起人们的极大关注。因此,... 详细信息
来源: 评论
GaAs表面钝化的新方法:S_2Cl_2处理
收藏 引用
Journal of Semiconductors 1994年 第7期15卷 505-510页
作者: 李喆深 蔡卫中 苏润洲 侯晓远 董国胜 金晓峰 丁训民 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理综合实验室东北林业大学物理系
本文用光致发光谱(PL)结合俄欧电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),首次研究了S2Cl2钝化的GaAs(100)表面.结果表明,PL强度较钝化前样品提高了将近两个数量级.钝化后的表面AES谱显示含有S,G... 详细信息
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快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性
收藏 引用
物理学 1994年 第7期43卷 1137-1143页
作者: 袁健 陆 昉 孙恒慧 卫星 杨敏 黄大鸣 徐宏来 沈鸿烈 邹世昌 复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系 复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室
对快速退火后用共蒸发B_2O_3方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究.1100℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高4倍,空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当;外延层与衬底之间载流子浓度转变陡... 详细信息
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表面结构的最新进展——第四届国际表面结构会议简介
收藏 引用
中国科学基金 1994年 第1期 34-37页
作者: 蒋平 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
第四届国际表面结构会议(ICSOS-Ⅳ)最近在上海举行。与会代表交流了表面和界面结构研究方面的最新成果。本文除介绍了会议概况外,着重介绍在会上引起普遍关注的热点内容。
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