检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1995年第1期44卷 115-121页

作者：张明董国胜徐敏陈艳金晓峰朱兴国复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室上海200433 浙江大学基础部

利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的... 详细信息

利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.

关键词：亚稳态γ-Mn GaAs(100) 界面扩散化学反应

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GaN异质外延的离子化氮源方法

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物理学报 1994年第7期43卷 1123-1128页

作者：贺仲卿丁训民侯晓远王迅沈孝良复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室复旦大学分析测试中心

用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损... 详细信息

用电离Ｎ＿２产生的离子束作为外延生长氮化物的Ｎ源已获得成功，在ＧａＡｓ（１００）衬底上长出了具有立方结晶的ＧａＮ薄膜，其（２００）ｘ射线衍射峰宽仅２３’。并用高分辨率电子能量损失谱测到立方ＧａＮ的表面光学声子出现在损失能量为８２ｍｅＶ处．

关键词：氮化镓外延生长离子源离子束

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多孔硅在液体中的两种电致发光光谱

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物理学报 1997年第6期46卷 1223-1229页

作者：廖良生袁泽亮刘小兵侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭... 详细信息

ｐ型硅片上制作的多孔硅在含有强氧化剂的酸液中处于正向偏压时，可先后产生两种不同的电致发光光谱．一种是红光发射，所需的工作电压极小．随着通电时间增加，红光峰位发生蓝移．这种发光可能与量子尺寸效应有关．另一种是红光猝灭之后出现的白光发射，所需的工作电压很高．由于在酸液中红光猝灭之后，多孔层中形成了一连续的ＳｉＯ２薄层，因此在高电场作用下，热电子注入该薄氧化层。

关键词：多孔硅电致发光光谱液体红光发射白光

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砷化镓及其它Ⅲ—Ⅴ族半导体表面的硫钝化

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物理学进展 1995年第2期 218-231页

作者：李深王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室和复旦大学李政道物理学综合实验室

砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究，弄清了这种方法所存在的问题后，一些改进的硫钝化方法正不断发展，使之有可能... 详细信息

砷化镓的表面钝化是一个长期未能完满解决的问题。八十年代后期出现的硫钝化技术曾带来很大的希望，但它的化学稳定性仍不够理想。通过对硫钝化机理的研究，弄清了这种方法所存在的问题后，一些改进的硫钝化方法正不断发展，使之有可能在不远的将来成为ＧａＡｓ器件制造中的一种实用钝化工艺。

关键词：硫钝化半导体表面砷化镓砷化物梗梗

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硅分子束外延中硼δ掺杂生长研究

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Journal of Semiconductors 1995年第11期16卷 826-830页

作者：陈祥君杨宇龚大卫陆昉王建宝樊永良盛篪孙恒慧复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室

利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１... 详细信息

利用硅分子束外延技术和Ｂ２Ｏ３掺杂源，成功地实现了硅中的硼δ掺杂，硼δ掺杂面密度ＮＢ可达３．４×１０１４ｃｍ－２（１／２单层）以上，透射电镜所示宽度为１．５ｎｍ．我们首次用原位俄歇电子能谱（ＡＥＳ）对硼在Ｓｉ（１００）表面上的δ掺杂行为进行了初步的研究，发现在ＮＢ＜３．４×１０１４ｃｍ－２时，硼δ掺杂面密度与时间成正比，衬底温度６５０℃，掺杂源温度９０００℃时，粘附速率为４．４×１０１３ｃｍ－２／ｍｉｎ；在ＮＢ＞３．４×１０１４ｃｍ－２时，粘附有饱和趋势，测量表明在硼δ掺杂面密度ＮＢ高达４．４×１０１４ｃｍ－２，都未观察到氧．我们还用反射式高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）和Ｃ－Ｖ测试对硼δ掺杂样品进行了观察．

关键词：硅分子束外延硼掺杂外延生长

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单个散射杂质对电子波导影响的理论研究

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复旦学报（自然科学版） 1996年第1期35卷 18-24页

作者：费爱国蒋临徐光照蒋平复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学表面物理国家重点实验室

本文用一双波导模型模拟漏波导，用δ函数模拟散射势，从理论上研究了单个散射杂质对漏波导传输特性的影响．结果表明，波导中即使存在单个散射杂质也会极大地影响无杂质漏波导中所观察到的电导台阶和隧穿电流的振荡，而位于隧穿势垒外... 详细信息

本文用一双波导模型模拟漏波导，用δ函数模拟散射势，从理论上研究了单个散射杂质对漏波导传输特性的影响．结果表明，波导中即使存在单个散射杂质也会极大地影响无杂质漏波导中所观察到的电导台阶和隧穿电流的振荡，而位于隧穿势垒外的散射杂质对电导和隧穿电流的影响均可忽略．计算结果还显示，当散射势足够强时，其影响将趋于饱和．散射杂质对波导中的每一传播模的影响也作了讨论．

关键词：漏波导隧穿谱散射杂质波导

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锗硅量子阱异质界面附近缺陷研究

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Journal of Semiconductors 1995年第12期16卷 905-908页

作者：王勤华陆昉龚大卫王建宝孙恒慧复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形... 详细信息

用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了量子阱样品价中载流子的热发射和异质界面附近的深能级缺陷，得到Ｓｉ０．６７Ｇｅ０．３３／Ｓｉ单量子样品的能带偏移为０．２４ｅＶ．量子阱异质界面附近高浓度的深能级缺陷在样品的ＤＬＴＳ谱上形成一少于峰，该信号只有当测量的脉冲宽度足够大时才能检测到．对比不；司组分相同结构的多量子阱样品发现，组分大时异质界面的深能级缺陷浓度大，因此它可能是失配应变或位错引起的．相应的光致发光谱（ＰＬ）测试结果表明该深能级缺陷还会导致ＰＬ谱中合金层的带边激子峰的湮灭．

关键词：锗硅合金量子阱异质界面缺陷半导体

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GaAs表面的室温光致氮化

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Journal of Semiconductors 1995年第9期16卷 721-724页

作者：徐前江丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理学综合实验室

在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下，到达ＧａＡｓ表面的Ｎ２会离解并和Ｇａ、Ａｓ原子成键，Ｘ射线光电子能谱测量结果证实了这一设想．

关键词：砷化镓半导体表面光致氮化室温

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多孔硅发光机理的新探索

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物理 1995年第4期24卷 212-217,232页

作者：俞鸣人王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室

自从９０年代初次发现多孔硅发射可见光的现象以来，人们在其发光机理和可能的技术应用上作了许多工作，而发光机理则是开发实用器件的重要前提。该文在对当前研究动态作介绍之后，分析了一个涉及载流子在约束态和表面态之间转移的综合... 详细信息

自从９０年代初次发现多孔硅发射可见光的现象以来，人们在其发光机理和可能的技术应用上作了许多工作，而发光机理则是开发实用器件的重要前提。该文在对当前研究动态作介绍之后，分析了一个涉及载流子在约束态和表面态之间转移的综合的多孔硅发光模型，并在研究固态接触的多孔硅发光二极管结构的瞬态特性之后，提出了载流子注入、约束和复合机理的定性假设。

关键词：多孔硅发光机理量子约束载流子注入

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SiGe／Si量子阱结构材料的激子发光谱

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Journal of Semiconductors 1994年第3期15卷 213-216页

作者：黄大鸣杨敏盛篪卢学坤龚大卫张翔九王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理学综合实验室

在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利... 详细信息

在用分子束外延生长的ＳｉＧｅ／Ｓｉ多量子阱结构中，观察到激子发光光谱，从无声子参与的或ＴＯ－声子参与的激子发光峰位能量，计算了量子阱中合金的组份，并与通过Ｘ－射线衍射谱得到的结果作了比较，发现在Ｇｅ的组份比较小时，利用激子发光峰位能量确定合金组份比利用Ｘ－射线衍射谱更为方便和精确．

关键词： SiGe/Si 量子阱激子发光谱

来源：评论

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