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机构

  • 30 篇 复旦大学
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  • 2 篇 浙江大学
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  • 1 篇 复旦大学应用表面...
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  • 1 篇 中国科学技术大学

作者

  • 12 篇 侯晓远
  • 7 篇 王迅
  • 7 篇 金晓峰
  • 7 篇 廖良生
  • 6 篇 丁训民
  • 6 篇 董国胜
  • 6 篇 刘小兵
  • 5 篇 孙恒慧
  • 4 篇 何钧
  • 4 篇 蒋平
  • 4 篇 袁帅
  • 4 篇 熊祖洪
  • 4 篇 王建宝
  • 3 篇 陈艳
  • 3 篇 龚大卫
  • 3 篇 曹先安
  • 3 篇 陆昉
  • 3 篇 俞鸣人
  • 3 篇 张明
  • 2 篇 张甫龙

语言

  • 32 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室"
32 条 记 录,以下是11-20 订阅
排序:
用脉冲腐蚀制备发光多孔硅
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Journal of Semiconductors 1995年 第2期16卷 113-117页
作者: 范洪雷 侯晓远 李喆深 张甫龙 俞鸣人 王迅 复旦大学表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理学综合实验室
采用脉冲腐蚀方法,研究多孔硅的动态腐蚀过程,测定了动态电流和时间的关系,提出并讨论了动态腐蚀机理.用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅,与直流腐蚀相比较,脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅,而且PL峰位有一定的蓝移,... 详细信息
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GaAs表面S钝化方法:S气氛辉光放电法
收藏 引用
Journal of Semiconductors 1996年 第6期17卷 476-480页
作者: 陈溪滢 曹华 徐前江 王杰 朱炜 曹先安 张甫龙 丁训民 侯晓远 陆明 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理综合实验室复旦大学真空物理实验室
本文报道了一种新的GaAs表面S钝化方法──S气氛辉光放电法.用光致发光光谱(PL)结合俄歇电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS)研究了辉光放电S钝化的GaAs(100)表面.结果表明,与未处理的样品相比,用... 详细信息
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发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化
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物理 1994年 第12期23卷 761-762页
作者: 俞鸣人 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理综合实验室
发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化自从Canham[1]在1990年发现多孔硅(PS)在窒温下高效率的可见光发射以来,由于其在光电技术上的应用前景,加上它和硅大规模集成工艺的可容性,很快就引起人们的极大关注。因此,... 详细信息
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电场中高分子的发光和激子的解离
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物理学报 1998年 第9期47卷 1536-1541页
作者: 李蕾 饶雪松 孙鑫 傅柔励 褚君浩 张志林 复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室 上海大学嘉定分校
研究了电场对高分子的发光及激子的影响.1在强电场中,激子会解离成正负极化子对,这可定量解释最近观察到的实验:(1)电场超过15MV/cm时,PPP衍生物的发光强度很快减弱;(2)电场对45MV/cm时,发光强度... 详细信息
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量子围栏──扫描隧道显微术的又一杰作
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物理 1994年 第10期23卷 582-584页
作者: 蒋平 梁励芬 董树忠 复旦大学李政道物理学综合实验室 应用表面物理国家重点实验室
介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Cu(111)表面的铁原子,形成由48个铁原子组成的空心围栏,这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部,从而可以用STM与STS同时研究禁锢电子的状... 详细信息
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表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍
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物理 1994年 第3期23卷 164-166页
作者: 蒋平 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平(复旦大学李政道物理综合实验复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433)第四届国际表面结构会议(ICSOS-IV)于1993年8月16日至8月19... 详细信息
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GaAs表面钝化的新方法:S_2Cl_2处理
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Journal of Semiconductors 1994年 第7期15卷 505-510页
作者: 李喆深 蔡卫中 苏润洲 侯晓远 董国胜 金晓峰 丁训民 王迅 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 复旦大学李政道物理综合实验室东北林业大学物理系
本文用光致发光谱(PL)结合俄欧电子能谱(AES)和X射线光电子能谱(XPS),首次研究了S2Cl2钝化的GaAs(100)表面.结果表明,PL强度较钝化前样品提高了将近两个数量级.钝化后的表面AES谱显示含有S,G... 详细信息
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Mn/GaAs(100)界面磁性的光电子能谱研究
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Journal of Semiconductors 1995年 第2期16卷 81-86页
作者: 张明 董国胜 朱兴国 徐敏 金晓峰 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室浙江工学院基础部
利用X光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS),对温下Mn在GaAs(100)清洁表面淀积后的电子结构进行了研究.实验结果表明,当锰的覆盖度θ≤θc(θc≈0.25nm)时,界面体系是半导体性的;而当θ>θc时,... 详细信息
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多孔硅的一种新的后处理方法──微波等离子体辅助钝化处理
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物理学报 1997年 第10期46卷 2059-2065页
作者: 刘小兵 熊祖洪 袁帅 廖良生 何钧 曹先安 缪熙月 丁训民 侯晓远 长沙电力学院物理系 复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室
报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法,即真空中微波等离子体辅助的钝化处理.傅里叶变换红外吸收谱表明,经处理的样品表面主要是被SiSx和SiOy所覆盖.与未经处理的样品相比,其发光强度增加约35倍,PL峰位蓝移了40... 详细信息
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硅基SiN_xO_y∶C^+薄膜的光致发光
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Journal of Semiconductors 1998年 第3期19卷 172-176页
作者: 廖良生 刘小兵 熊祖洪 何钧 侯晓远 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 李政道物理学综合实验室 长沙电力学院物理系
采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约120nm的SiNxOy薄膜,并在薄膜中注入C+,注入能量为35keV,剂量为5×1016cm-2.注C+样品在441.6nm的蓝光激发下,可以产生峰值约为... 详细信息
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