检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 1995年第2期16卷 113-117页

作者：范洪雷侯晓远李喆深张甫龙俞鸣人王迅复旦大学表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理学综合实验室

采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，... 详细信息

采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论．

关键词：发光多孔硅脉冲腐蚀多孔硅制备

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GaAs表面S钝化方法：S气氛辉光放电法

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Journal of Semiconductors 1996年第6期17卷 476-480页

作者：陈溪滢曹华徐前江王杰朱炜曹先安张甫龙丁训民侯晓远陆明复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室复旦大学真空物理实验室

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用... 详细信息

本文报道了一种新的ＧａＡｓ表面Ｓ钝化方法──Ｓ气氛辉光放电法．用光致发光光谱（ＰＬ）结合俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）研究了辉光放电Ｓ钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，与未处理的样品相比，用该方法处理后的表面复合速率大大降低，ＰＬ强度提高了将近两个数量级，而且稳定．ＡＥＳ谱和ＸＰＳ谱测量结果表明用Ｓ气氛辉光放电的方法在ＧａＡｓ（１００）表面上形成了较厚的ＧａＳ薄膜．

关键词：砷化镓表面硫钝化法辉光放电法

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发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化

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物理 1994年第12期23卷 761-762页

作者：俞鸣人王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室

发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化自从Ｃａｎｈａｍ［１］在１９９０年发现多孔硅（ＰＳ）在窒温下高效率的可见光发射以来，由于其在光电技术上的应用前景，加上它和硅大规模集成工艺的可容性，很快就引起人们的极大关注。因此，... 详细信息

发光多孔硅荧光峰位的钉扎和尺寸量子化自从Ｃａｎｈａｍ［１］在１９９０年发现多孔硅（ＰＳ）在窒温下高效率的可见光发射以来，由于其在光电技术上的应用前景，加上它和硅大规模集成工艺的可容性，很快就引起人们的极大关注。因此，之后不久各国有好多研究组都重复了这...

关键词：多孔硅荧光峰位钉扎尺寸量子化

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电场中高分子的发光和激子的解离

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物理学报 1998年第9期47卷 1536-1541页

作者：李蕾饶雪松孙鑫傅柔励褚君浩张志林复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海大学嘉定分校

研究了电场对高分子的发光及激子的影响．１在强电场中，激子会解离成正负极化子对，这可定量解释最近观察到的实验：（１）电场超过１５ＭＶ／ｃｍ时，ＰＰＰ衍生物的发光强度很快减弱；（２）电场对４５ＭＶ／ｃｍ时，发光强度... 详细信息

研究了电场对高分子的发光及激子的影响．１在强电场中，激子会解离成正负极化子对，这可定量解释最近观察到的实验：（１）电场超过１５ＭＶ／ｃｍ时，ＰＰＰ衍生物的发光强度很快减弱；（２）电场对４５ＭＶ／ｃｍ时，发光强度减为２４％；（３）电场使发光光谱向蓝色移动．２高分子中π电子具有“离域性”，易于极化．算得高分子中激子具有很大的极化率，比氢原子大三个数量级以上．

关键词：高分子电场发光激子解离电致发光

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量子围栏──扫描隧道显微术的又一杰作

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物理 1994年第10期23卷 582-584页

作者：蒋平梁励芬董树忠复旦大学李政道物理学综合实验室应用表面物理国家重点实验室

介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Ｃｕ（１１１）表面的铁原子，形成由４８个铁原子组成的空心围栏，这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部，从而可以用ＳＴＭ与ＳＴＳ同时研究禁锢电子的状... 详细信息

介绍了一项扫描隧道显微术的最新成就。用扫描隧道显微镜操纵吸附在Ｃｕ（１１１）表面的铁原子，形成由４８个铁原子组成的空心围栏，这一量子围栏能将所包围的表面态电子禁锢在其内部，从而可以用ＳＴＭ与ＳＴＳ同时研究禁锢电子的状态密度对空间和能量的分布．预期这一成果将在许多方面促进今后研究工作的发展。

关键词：量子围栏表面态扫描隧道显微

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表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍

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物理 1994年第3期23卷 164-166页

作者：蒋平复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平（复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）第四届国际表面结构会议（ＩＣＳＯＳ－ＩＶ）于１９９３年８月１６日至８月１９... 详细信息

表面结构研究的新进展──第四届国际表面结构会议介绍蒋平（复旦大学李政道物理学综合实验室，复旦大学应用表面物理国家重点实验室，上海２００４３３）第四届国际表面结构会议（ＩＣＳＯＳ－ＩＶ）于１９９３年８月１６日至８月１９日在上海举行。来自１３个国家和地区...

关键词：表面结构吸附半导体材料金属

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GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理

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Journal of Semiconductors 1994年第7期15卷 505-510页

作者：李喆深蔡卫中苏润洲侯晓远董国胜金晓峰丁训民王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室东北林业大学物理系

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇ... 详细信息

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．

关键词：砷化镓钝化氯化硫处理

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Mn／GaAs（100）界面磁性的光电子能谱研究

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Journal of Semiconductors 1995年第2期16卷 81-86页

作者：张明董国胜朱兴国徐敏金晓峰复旦大学李政道物理学综合实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室浙江工学院基础部

利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，... 详细信息

利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，界面表现出金属性．我们认为这是铁磁交换积分导致３ｄ能带分裂的结果．另外，从Ｍｎ３ｓ芯能级的多重分裂来看，至少从θ＞０．４ｎｍ开始，Ｍｎ的原子局域磁矩大小就不再变化．

关键词：锰砷化镓界面磁性光电子能谱电子结构

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多孔硅的一种新的后处理方法──微波等离子体辅助钝化处理

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物理学报 1997年第10期46卷 2059-2065页

作者：刘小兵熊祖洪袁帅廖良生何钧曹先安缪熙月丁训民侯晓远长沙电力学院物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０... 详细信息

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０ｎｍ，而且在空气条件下存放６０ｄ后发光强度没有变化．表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一．

关键词：微波等离子体多孔硅后处理钝化处理

来源：评论

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硅基SiN_xO_y∶C^+薄膜的光致发光

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Journal of Semiconductors 1998年第3期19卷 172-176页

作者：廖良生刘小兵熊祖洪何钧侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为... 详细信息

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为５５０ｎｍ的光致发光．样品经６００℃退火后，发光强度达到最大．

关键词：硅基发光材料光致发光二氧化硅

来源：评论

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