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作者

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语言

  • 32 篇 中文
检索条件"机构=复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室"
32 条 记 录,以下是31-40 订阅
排序:
光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究
光生电压谱方法对ZnSe/GaAs异质结导带偏移的研究
收藏 引用
1996年中国青年学者物理学讨论会
作者: 谌达宇 王建宝 靳彩霞 陆昉 孙恒慧 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 李政道综合物理实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 李政道综合物理实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 李政道综合物理实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 李政道综合物理实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 李政道综合物理实验室
对宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结、量子阱和超晶格材料的研究是人们感兴趣的课题。由于 ZnSe/GaAs 异质结导带偏移较小,目前对其能带排列的研究存在不同的结果。本文采用的样品 A 是用分子束外延技术将厚度为100nm 的 ZnSe 薄膜生长在 n ... 详细信息
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表面结构的最新进展——第四届国际表面结构会议简介
收藏 引用
中国科学基金 1994年 第1期 34-37页
作者: 蒋平 复旦大学李政道物理学综合实验室 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
第四届国际表面结构会议(ICSOS-Ⅳ)最近在上海举行。与会代表交流了表面和界面结构研究方面的最新成果。本文除介绍了会议概况外,着重介绍在会上引起普遍关注的热点内容。
来源: 评论