检索结果-内蒙古大学图书馆

物理 2002年第11期31卷 702-707页

作者：阎志军王迅兰州大学物理系兰州730000 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长... 详细信息

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层 ,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破 .

关键词：半导体材料器件结构 COS 晶态氧化物 MOS晶体管硅基集成半导体器件

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低束流Nd^(3+)注入硅基薄膜结构及光致发光的研究

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发光学报 2002年第4期23卷 377-380页

作者：曾宇昕王水凤元美玲程国安肖志松徐飞南昌大学材料科学工程系南昌大学物理系江西南昌330047 北京师范大学低能核物理研究所复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0e... 详细信息

采用金属蒸气真空弧离子源（MEVVA）制备了掺Nd3+硅基薄膜材料。用扫描电镜和X射线衍射观测了表面形貌及物相结构随注入条件、退火温度的变化,样品经1000°C退火处理形成NdSi相钕硅化合物。测试了样品的光致荧光谱,在254nm（～5.0eV）光激发下获得了紫蓝光区（410～430nm）和红光区（746nm）荧光发射,随着退火温度的升高,荧光强度增大。746nm红光光谱显示了Nd3+特征光发射跃迁（4F7/2,4S3/2→4I9/2）,讨论了注入层结构与荧光发射的相关性。

关键词：硅基薄膜离子注入 Nd^3+ 结构光致发光钕(Ⅲ) MEVVA 金属蒸气真空弧离子源

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MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究

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南昌大学学报（理科版） 2002年第3期26卷 259-261页

作者：王水凤曾宇昕程国安徐飞南昌大学物理学系江西南昌330047 南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047 北京师范大学低能物理所教育部射线束材料工程开放实验室北京100875 复旦大学应用物理表面国家重点实验室上海200433

用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdS... 详细信息

用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。

关键词： MEVVA源离子注入钕硅化物结构集成电路离子束工艺结晶性能导电性

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紫细菌反应中心中的超快能量传递过程

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Acta Biochimica et Biophysica Sinica 2001年第5期33卷 573-576页

作者：郭立俊马国宏邹永龙杨毅刘源徐春和钱士雄复旦大学物理系!上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海植物生理研究所!上海200032

利用飞秒泵探测技术研究了紫细菌光合反应中心RS6 0 1中的超快能量传递过程。通过选择激发反应中心中的不同色素 ,观察到了以不同色素为起点发生在飞秒时域的超快能量传递过程。从细菌去镁叶绿素H到辅助细菌叶绿素B的能量传递发生在约 1... 详细信息

利用飞秒泵探测技术研究了紫细菌光合反应中心RS6 0 1中的超快能量传递过程。通过选择激发反应中心中的不同色素 ,观察到了以不同色素为起点发生在飞秒时域的超快能量传递过程。从细菌去镁叶绿素H到辅助细菌叶绿素B的能量传递发生在约 130fs时间尺度 ,而通过激发色素B则观察到了从B到原始电子供体P的约2 40fs的超快能量传递。另外 ,P激发态的超快弛豫过程则说明其上、下激子能级间存在超快的内转换过程。通过对不同色素激发态的能量弛豫过程的分析 ,说明由原初电子供体P到原初电子受体H的电子传递过程在几个皮秒时间内完成 ,其中辅助细菌叶绿素B为该电子传递过程的中间态

关键词：光合反应中心能量传递超快过程

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酞菁铜薄膜的飞秒z-扫描研究

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复旦学报（自然科学版） 2001年第3期40卷 300-304页

作者：米君马国宏郭立俊钱士雄刘建华复旦大学物理系上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学光科学与工程系

研究了酞菁铜薄膜的吸收光谱和飞秒三阶非线性光学极化率 χ( 3 ) .酞菁铜薄膜吸收光谱Q带的分裂是由于分子间相互作用导致酞菁的大π电子环产生畸变 ,从而使eg(LUMO)轨道的二重简并度解除 .分别采用钛宝石激光器的振荡级和放大级输出 ,... 详细信息

研究了酞菁铜薄膜的吸收光谱和飞秒三阶非线性光学极化率 χ( 3 ) .酞菁铜薄膜吸收光谱Q带的分裂是由于分子间相互作用导致酞菁的大π电子环产生畸变 ,从而使eg(LUMO)轨道的二重简并度解除 .分别采用钛宝石激光器的振荡级和放大级输出 ,用z 扫描方法测量了酞菁铜的三阶非线性光学极化率 .用激光器振荡级测量的 χ( 3 ) 值为 - 4 3× 10 -7esu ,而用激光器放大级测量的结果为 2 6 2× 10 -11esu ,前者比后者大 4个量级 .酞菁铜薄膜对激光束的吸收以及振荡级激光脉冲的高重复频率表明振荡级测量的结果主要来自热致透镜效应的贡献。

关键词：酞菁铜三阶非线性光学极化率 z-扫描热致透镜效应薄膜

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ECR等离子体辅助反应脉冲激光沉积氮化碳薄膜

ECR等离子体辅助反应脉冲激光沉积氮化碳薄膜

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第四届中国功能材料及其应用学术会议

作者：施维凌浩孙剑章企吴嘉达应质峰丁训民李富铭复旦大学光科学与工程系三束材料改性国家重点实验室复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室

利用电子回旋共振等离子体辅助反应脉冲激光沉积的方法制备了氮化碳薄膜。成分分析显示,制备的薄膜主要由C和N两种元素组成,其中N的含量可高于50%,且膜层均匀.同时X射线光电子能谱(XPS),傅立叶变换红外谱(FTIR)以及喇曼光谱(Raman)分析... 详细信息

利用电子回旋共振等离子体辅助反应脉冲激光沉积的方法制备了氮化碳薄膜。成分分析显示,制备的薄膜主要由C和N两种元素组成,其中N的含量可高于50%,且膜层均匀.同时X射线光电子能谱(XPS),傅立叶变换红外谱(FTIR)以及喇曼光谱(Raman)分析都表明,膜层中除了部分C-C键外,N主要与sp

关键词：氮化碳脉冲激光沉积 ECR等离子体

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Sb/Si(001)表面的半经验研究

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物理学报 2000年第9期49卷 1747-1755页

作者：何垚车静光复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

用基于Chadi模型和格林函数方法的一种计算表面应力的半经验方法研究了Sb吸附在Si(0 0 1)衬底上的性质 .结果显示 ,Sb原子在Si(0 0 1)表面形成对称的dimer,其键长为 0 2 93nm ,表面以下层的弛豫很小 .Sb/Si(0 0 1) 2× 1表面沿着di... 详细信息

用基于Chadi模型和格林函数方法的一种计算表面应力的半经验方法研究了Sb吸附在Si(0 0 1)衬底上的性质 .结果显示 ,Sb原子在Si(0 0 1)表面形成对称的dimer,其键长为 0 2 93nm ,表面以下层的弛豫很小 .Sb/Si(0 0 1) 2× 1表面沿着dimer方向的张应力为 1 0eV/ (1× 1cell) ,而沿垂直于dimer方向的压应力为 - 1 1eV/ (1× 1cell) .Sb/Si(0 0 1)表面应力的主要贡献来自于最上面三层表面 .

关键词：表面应力异质生长锑/硅半径验法

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分子束外延生长Fe/Fe_(50)Mn_(50)双层膜的交换偏置

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物理学报 2000年第10期49卷 2022-2026页

作者：敬超金晓峰董国胜龚小燕郁黎明郑卫民上海大学物理系上海200436 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学院上海技术物理研究所红外物理实验室上海200083

利用表面磁光克尔效应和铁磁共振对分子束外延生长的Fe/Fe50 Mn50 双层膜的交换偏置场和矫顽力进行了研究 ,实验结果表明 ,当反铁磁层厚度小于 5 5nm时 ,不出现交换偏置 ,而当大于这一厚度时 ,出现交换偏置 ;大约在7nm时 ,达到极大值 ... 详细信息

利用表面磁光克尔效应和铁磁共振对分子束外延生长的Fe/Fe50 Mn50 双层膜的交换偏置场和矫顽力进行了研究 ,实验结果表明 ,当反铁磁层厚度小于 5 5nm时 ,不出现交换偏置 ,而当大于这一厚度时 ,出现交换偏置 ;大约在7nm时 ,达到极大值 .随着反铁磁层厚度的继续增大 ,偏置场和矫顽力随Fe50 Mn50 膜厚的增大而下降 .铁磁共振实验结果表明样品的磁性存在单向各向异性 .并对上述结果进行了讨论 .

关键词：分子束外延双层膜交换偏置

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氮化铝薄膜的低温沉积

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Journal of Semiconductors 2000年第9期21卷 914-917页

作者：孙剑吴嘉达应质峰施维凌浩周筑颖丁训民王康林李富铭复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433 复旦大学现代物理研究所上海200433 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,... 详细信息

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素。

关键词：氮化铝低温沉积薄膜

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ECR等离子体对硅表面的低温大面积氮化

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真空科学与技术 2000年第2期20卷 99-102页

作者：孙剑吴嘉达钟晓霞来冰丁训民李富铭复旦大学三束材料改性国家重点联合实验室上海交通大学应用物理系上海200030 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 上海交通大学应用物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室

利用电子回旋共振微波放电氮等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化的探索 ,通过样品表征和等离子体成分探测 ,分析讨论了氮化机理。结果表明 ,这种方法可以用于硅表面的低温氮化处理 ,获得大面积的均匀氮化硅表层。

关键词：等离子体氮化氮化硅硅表面处理薄膜制备

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