检索结果-内蒙古大学图书馆

发光学报 1996年第4期17卷 299-310页

作者：柯三黄王仁智黄美纯复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 厦门大学物理系厦门361005

平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比... 详细信息

平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比较,揭示了各模型之间的相互关系,并分析了平均键能模型的优点及其局限性。在此基础上,本文应用这一模型方法对二十七种异质界面的价带偏移值进行了全面的计算,并对结果进行了广泛的分析和比较。结果表明:(1)阳离子浅d轨道是影响价带偏移理论值的一个重要因素;(2)界面偶极子势是决定异质界面价带偏移值的一个关键要素;(3)在与实验的比较上,平均键能模型的准确性优于几种其它的模型方法;(4)平均键能模型不适用于不具有sp^3杂化特性的材料系统。

关键词：能带不连续性半导体异质界面平均键能

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Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究

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物理学报 1995年第1期44卷 145-151页

作者：陈艳董国胜张明金晓峰陆尔东潘海斌徐彭寿张新夷范朝阳复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230026 浙江大学物理系杭州310027

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<... 详细信息

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大;当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构.

关键词： Mn/GaAs(100) 界面电子结构光电子能谱

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多孔硅的双峰光致发光谱与光发射机制

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科学通报 1995年第18期40卷 1644-1647页

作者：张树霖何国山黄福敏杨昌黎李经建刁鹏刘忠范蔡生民北京大学物理系北京100871 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 北京大学化学系光电智能材料研究室北京100871

多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处理的多孔硅在低温下明显存在多峰光致发光谱,本文将报道室温下在后处理多孔硅中观察到的双峰光致发光谱,并讨... 详细信息

多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处理的多孔硅在低温下明显存在多峰光致发光谱,本文将报道室温下在后处理多孔硅中观察到的双峰光致发光谱,并讨论后处理条件对光谱特征的影响,这种讨论对多孔硅可见光发射机制的探索提供了十分有价值的启示.多孔硅样品用电化学阳极氧化方法制备.样品衬底是P^-(100)单晶硅片。

关键词：多孔硅光致发光谱光发射机制

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碳纳米管激光等离子体的质谱研究

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物理化学学报 1994年第1期10卷 9-11页

作者：吕建中朱雷宋捷李郁芬黄丰黄荣彬郑兰荪三束材料改性国家重点实验室固体表面物理化学国家重点实验室固体表面物理化学国家重点实验室复旦大学物理系上海 200433 复旦大学物理系厦门大学化学系厦门 361005

自从1991年Iijima发现碳纳米管和1992年Ebbesen等提出大规模合成碳纳米管的制备方法以来,碳纳米管特殊的导电性能和机械性能正吸引着科学界广泛兴趣和研究,人们期望碳纳米管在高强度纤维材料、复合材料以及纳米电子器件等方面的广阔应... 详细信息

自从1991年Iijima发现碳纳米管和1992年Ebbesen等提出大规模合成碳纳米管的制备方法以来,碳纳米管特殊的导电性能和机械性能正吸引着科学界广泛兴趣和研究,人们期望碳纳米管在高强度纤维材料、复合材料以及纳米电子器件等方面的广阔应用前景。目前研究碳纳米管主要是用高分辨率透射电镜(TEM)对其及它的掺杂复合材料进行结构分析,尚未见用飞行时间质谱仪分析其在激光作用下产生的等离子体质谱的报导,本文尝试通过质谱分析对其结构特性作初步研究。实验在厦门大学化学系自制的飞行时间质谱仪上进行,所用脉冲激光是DCR-11调QYAG的基频与倍频输出,作用在样品表面的激光功率密度在10~8W·cm^(-2)左右,碳纳米管样品在复旦大学物理系石墨电弧放电制备富勒烯的装置上制得。

关键词：碳纳米管富勒烯激光等离子体

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快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

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物理学报 1994年第7期43卷 1137-1143页

作者：袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡... 详细信息

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．

关键词：分子束外延快速退火电学性质

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用氢钝化Si(100)面抑制分子束处延界面的硼尖峰

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物理学报 1993年第12期42卷 1968-1973页

作者：卫星龚大卫杨小平吕宏强崔堑盛篪张翔九王迅王勤华陆昉孙恒慧复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学物理系上海200433

采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬... 详细信息

采用一种新的简便的氢钝化方法,可以在Si(100)衬底表面获得稳定的钝化层。用俄歇电子能谱(AES),反射式高能电子衍射(RHEED),C-V和二次离子质谱(SIMS)等方法对衬底表面及其上面生长的分子束外延层进行检测,发现这种方法可以有效地防止衬底表面被碳、氧沾污,降低退火温度至少200℃,并完全消除外延层与Si(100)衬底界面处的高浓度硼尖峰。在此基础上,结合衬底表面锗束处理的实验结果,对硼尖峰的主要来源是由于硅衬底表面的氧化层这一观点提供了新的有力证据。

关键词：氢钝化分子束外延硼尖峰钝化

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Ge_xSi_(1-x)/Si超晶格中周期不均匀对折叠声学声子拉曼线宽的影响

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光散射学报 1993年第1期5卷 1-5页

作者：金鹰侯永田张树霖秦国刚周国良樊永良俞鸣人北京大学物理系北京 100871 中科院国际材料物理中心沈阳 110015 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

本文报导了在 Ge_Si_(1-x)/Si 超晶格中观察到了超晶格周期不均匀导致的折叠声学声子拉曼谱线展宽,这种谱线展宽与折叠指数(m)有关,折叠声学声子的谱线越宽,m 相同的折叠声学声子具有相同的线宽。

关键词：超晶格折叠声学声子喇曼效应

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衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响

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物理学报 1992年第8期41卷 1308-1314页

作者：吕宏强王杰沈军刘咏王迅王昌平王建宝李晨沈孝良复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学物理系上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出... 详细信息

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。

关键词：硒化锌薄膜热壁外延法衬底温度

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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子

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Journal of Semiconductors 1991年第7期12卷 448-451页

作者：张树霖金鹰秦国刚盛篪周国良周铁成北京大学物理系北京100871 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间... 详细信息

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.

关键词： GeSi/Si 应变层超晶格声学声子

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