检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2016年第11期28卷 20-23页

作者：李媛冯国进赵利运城学院物理与电子工程系山西运城044000 中国计量科学研究院光学与激光计量科学研究所北京100013 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

在一定条件SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生μm量级的尖峰结构。针对不同尖峰高度的微构造硅,在不同温度下退火,采用电子蒸发的方法在正反面分别镀上铝电极,制备出了飞秒激光微构造光电二极管,并测试了其光电响应。实验结果表... 详细信息

在一定条件SF6气体氛围中,硅可在飞秒激光辐照区产生μm量级的尖峰结构。针对不同尖峰高度的微构造硅,在不同温度下退火,采用电子蒸发的方法在正反面分别镀上铝电极,制备出了飞秒激光微构造光电二极管,并测试了其光电响应。实验结果表明：飞秒激光微构造光电二极管的响应随微构造硅光电二极管的尖峰高度和退火温度的不同而不同。尖峰高度为3-4μm的样品在973K温度退火30min后,响应度可达0.55A/W。即使在1100nm波长处,这种新型的硅光电二极管的响应仍可高达0.4A/W。

关键词：飞秒激光微构造硅光电二极管响应度退火尖峰高度

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能谷与非线性光学

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物理 2016年第8期45卷 510-515页

作者：吴施伟复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室上海200433 南京大学人工微结构科学与技术协同创新中心南京210093

能谷自由度是近年来随着新型二维量子材料的研究而兴起的新焦点,而非线性光学则是现代光学学科中的重要分支。这两个看似没有任何交集的领域由于都对物质材料的中心反演对称破缺极度敏感而密切关联。文章将以过渡金属二硫属化物的单层... 详细信息

能谷自由度是近年来随着新型二维量子材料的研究而兴起的新焦点,而非线性光学则是现代光学学科中的重要分支。这两个看似没有任何交集的领域由于都对物质材料的中心反演对称破缺极度敏感而密切关联。文章将以过渡金属二硫属化物的单层和少层为代表,介绍能谷自由度与非线性光学中最基本的二次谐波过程之间的关系。由此得出,非线性光学可以成为研究能谷物理的重要技术和手段。同时,过渡金属二硫属化物等能谷材料也大大丰富了非线性光学的研究对象,预期二维材料和器件可以成为非线性光学研究的新机遇和新热点。

关键词：能谷过渡金属二硫属化物非线性光学二次谐波产生

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大面积二维铁磁性材料Fe3GeTe2薄膜的生长及磁性研究

大面积二维铁磁性材料Fe3GeTe2薄膜的生长及磁性研究

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第十二届全国分子束外延学术会议

作者：刘姗姗袁翔邹逸超盛宇黄策张恩泽凌霁玮刘彦闻王伟懿张成邹进王开友修发贤复旦大学物理系表面物理国家重点实验室上海20433 复旦大学微电子器件与量子计算中心上海300433 昆士兰大学材料工程院布里斯班4072 中国科学院半导体所北京100083 昆士兰大学材料工程院布里斯班4072 昆士兰大学显微技术和微量分析中心布里斯班4072 复旦大学物理系表面物理国家重点实验室上海20433 复旦大学微电子器件与量子计算中心上海300433 人工微结构科学与技术协同创新中心南京210093

近期,层状二维铁磁材料(2D FM）由于其在低维磁性研究和自旋电子器件应用的前景引起了广泛关注1.由机械剥离方法得到的单层材料实验上被证明仍具有铁磁性,因此在低维度下研究材料的磁性是非常重要的.对于二维材料的研究,如何获得大面积... 详细信息

近期,层状二维铁磁材料(2D FM）由于其在低维磁性研究和自旋电子器件应用的前景引起了广泛关注1.由机械剥离方法得到的单层材料实验上被证明仍具有铁磁性,因此在低维度下研究材料的磁性是非常重要的.对于二维材料的研究,如何获得大面积、高质量的材料是极为重要的.通过分子束外延生进行了二维铁磁薄膜Fe3GeTe2的晶圆尺寸生长，并且通过控制Fe的组成，以及将其与反铁磁材料MnTe的结合来操控Fe3GeTe2的磁性。两维逐层生长模式由周期性的原位反射高能量电子衍射强度的周期性振荡证明，且通过透射电子显微镜发现{002}的层间距离为0.82nm。由材料的反常霍尔测量得到材料的易磁化轴沿c轴方向为面外方向，居里温度为216.4K。随着Fe组分的增加，Fe3+δGeTe2的居里温度提高。在与MnTe结合为异质结后，矫顽场从0.65特斯拉增加到0.94特斯拉，增幅为50％。大规模逐层生长和可操控磁性使Fe3GeTe2有望应用于自旋电子学及相应的器件研究。可控、大面积的生长还为探索丰富的物理现象及理论提供了极大帮助，如与二维超导材料和拓扑材料的结合。

关键词：二维铁磁材料分子束生长异质结构性能表征

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铒铥共掺氧化锌薄膜近红外宽带发射及变温行为的研究

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物理学报 2015年第4期64卷 302-308页

作者：陈丹丹徐飞曹汝楠蒋最敏马忠权杨洁杜汇伟洪峰上海大学理学院物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室分析测试中心上海200444 复旦大学应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室先进材料实验室上海200433

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),16... 详细信息

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),1640 nm(1G4→3F2),1740 nm(3F4→3H6)发射峰组成.研究表明:退火温度低于800°C时,没有观察到薄膜样品明显的光致发光现象;随着退火温度从800°C升高到1000°C,I1640/I1535发射峰强度比从0.2升高到0.3,I1740/I1535发射峰强度比从0.5降低到0.4,发射峰强度比均基本保持稳定;当退火温度高于1000°C时,I1640/I1535发射峰强度比从0.3升高到0.6,I1740/I1535发射峰强度比从0.4升高到0.8,发射峰强度比均急剧增加.变温行为表明:随着温度从10 K逐渐升高到300 K,谱线的总带宽基本不变,在340—360 nm之间;Tm3+在1640和1740 nm处的发射峰强度分别降低了2/3和1/2,Er3+在1535 nm的发射峰强度增大了1.2倍.这是因为随着温度的升高,声子数目增多,Er3+与Tm3+离子之间发生能量传递的概率不断变大,并且在Tm3+离子之间没有发生交叉弛豫现象.

关键词：稀土掺杂氧化锌薄膜近红外宽带发光退火处理

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基于Se缺陷的FeSe薄膜磁性研究

基于Se缺陷的FeSe薄膜磁性研究

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中国物理学会2016年秋季会议

作者：陈维炯田子俊罗卫东高春雷上海交通大学物理与天文系人工结构及量子调控教育部重点实验室上海 200240 上海交通大学物理与天文系人工结构及量子调控教育部重点实验室上海 200240 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海 200433

利用极低温环境(4.2 K)和矢量磁场的自旋极化扫描隧道显微镜(SP-STM)，原位探测研究了生长在钛酸锶(001)上的非超导多层FeSe薄膜上Se空位附近的磁性.实验中，我们利用反铁磁的Cr针尖，发现Se空位附近的电子态无论对于面内或面外的外加...

利用极低温环境(4.2 K)和矢量磁场的自旋极化扫描隧道显微镜(SP-STM)，原位探测研究了生长在钛酸锶(001)上的非超导多层FeSe薄膜上Se空位附近的磁性.实验中，我们利用反铁磁的Cr针尖，发现Se空位附近的电子态无论对于面内或面外的外加磁场均表现出以空位为中心四度对称的顺磁磁化.

关键词：

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Giant Enhancement of Surface-Second Harmonic Generation Using Spatiotemporal Focusing

Giant Enhancement of Surface-Second Harmonic Generation Usin...

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中国物理学会2016年秋季会议

作者：梁荣达王朝晖程亚田传山复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海 200433 中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室上海 201800

Surface Second Harmonic Generation(SHG)is a unique and powerful tool for probing surface/interface in ambient *** signal is however generally very weak and limited by a threshold of pump Laser intensity,which could be the threshold of Laser damage and/or background signal generated through higher nonlinear *** is particularly problematic if femtosecond pulse is employed because the super-continuum generation appears at intensity well below the damage threshold,and thus hinders its application on surface studies.

关键词：

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表面等离激元与表面非线性光学

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物理与工程 2015年第4期25卷 9-18,27页

作者：刘韡韬王洪庆复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室上海200433

表面等离激元与表面非线性光学(如光学二次谐波、光学混频等)同为重要的表面光学现象,在现代科技中具有十分广泛的应用.近年以来,随着纳米科学与激光科学的发展,两者结合所带来的新现象、新应用引起了人们广泛的兴趣.本文对等离激元与... 详细信息

表面等离激元与表面非线性光学(如光学二次谐波、光学混频等)同为重要的表面光学现象,在现代科技中具有十分广泛的应用.近年以来,随着纳米科学与激光科学的发展,两者结合所带来的新现象、新应用引起了人们广泛的兴趣.本文对等离激元与表面非线性光学结合的工作进行了简介,并着重介绍了以相关技术探测电化学界面的新进展.

关键词：表面等离激元表面非线性光学电化学界面

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富勒烯与β淀粉样肽低聚体结合的分子动力学模拟

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物理化学学报 2014年第8期30卷 1587-1596页

作者：周晓颖郗文辉韦广红应用表面物理国家重点实验室计算物质科学教育部重点实验室复旦大学物理系上海200433

本文通过分子动力学模拟研究富勒烯在Aβ42低聚体表面的结合过程.在结合过程中,C60在Aβ表面经历一系列尝试过程,最终找到某个稳定的结合位点.根据结合的残基不同,这些结合位点可以分为六类,其中核心疏水区域(CHC)位点(17LVFFA21)及Turn... 详细信息

本文通过分子动力学模拟研究富勒烯在Aβ42低聚体表面的结合过程.在结合过程中,C60在Aβ表面经历一系列尝试过程,最终找到某个稳定的结合位点.根据结合的残基不同,这些结合位点可以分为六类,其中核心疏水区域(CHC)位点(17LVFFA21)及Turn 27-31位点(27NKGAI31)具有最强的结合稳定性.二者的结合主要通过范德华作用稳定,而溶剂化效应则起相反作用.在这六类位点中的两个位点,观察到C60会对Aβ二级结构起破坏作用.其一位于核心疏水区域,C60有挤入多肽β片层中间的趋势;另外一位点位于N端,C60能够破坏外侧Aβ的3-5号残基的主链氢键,瓦解其末端的β片结构.这两个过程对理解富勒烯抑制Aβ聚集的微观机制提供了帮助.此外,在Turn 27-31位点以及Y10-H14位点,发现了富勒烯与Aβ纤维样聚集体结合的沟槽滚动机制,即富勒烯能够在淀粉样低聚体表面形成的特定沟槽内滚动.这一特征有助于预测富勒烯在其它淀粉样多肽表面的结合位点及结合行为.

关键词：多位点结合结合能二级结构破坏疏水口袋沟槽滚动机制

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GeSi量子点的可控生长及其器件应用研究

GeSi量子点的可控生长及其器件应用研究

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第十一届全国分子束外延学术会议

作者：马英杰曾成吴子龙雷卉夏劲松钟振扬蒋最敏复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433 武汉国家光电子实验室华中科技大学武汉430074

量子点的分子束外延可控生长为调控低维量子结构的物理性质开辟了一个新的有效途径.借助于图案Si衬底,可以实现对GeSi量子点的形貌、位置、有序性和均匀性的生长调控[1].这些进展为研究单个GeSi量子点的物理性质,研究GeSi量子点间的量...

量子点的分子束外延可控生长为调控低维量子结构的物理性质开辟了一个新的有效途径.借助于图案Si衬底,可以实现对GeSi量子点的形貌、位置、有序性和均匀性的生长调控[1].这些进展为研究单个GeSi量子点的物理性质,研究GeSi量子点间的量子态耦合效应以及探索GeSi量子点的新型光电器件应用奠定了基础.单量子点的光学和电学器件应用十分具有吸引力,如量子点-单电子晶体管[2],单量子点-光子晶体微腔[3]等.实现低密度定位生长的GeSi量子点有利于GeSi单量子点器件应用.

关键词：

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Co2FeAl/（Ga,Mn）As双层膜磁性膜的光致自旋动力学研究

Co2FeAl/（Ga,Mn）As双层膜磁性膜的光致自旋动力学研究

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上海市激光学会2015年学术年会

作者：袁昊辰聂帅华赵建华马天平吴义政陈张海赵海斌陈良尧复旦大学光科学与工程系微纳光子结构教育部重点实验室上海超精密光学工程中心中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室先进材料实验室

近十多年来,铁磁半导体（Ga,Mn）As因其在自旋电子学器件中的重要应用价值而受到广泛的关注。但迄今为止,最高的居里温度为200K[1],远低于室温,这成为制约其大规模应用的一个巨大障碍。解决这一问题的思路之一在于利用铁磁临近极化效应... 详细信息

近十多年来,铁磁半导体（Ga,Mn）As因其在自旋电子学器件中的重要应用价值而受到广泛的关注。但迄今为止,最高的居里温度为200K[1],远低于室温,这成为制约其大规模应用的一个巨大障碍。解决这一问题的思路之一在于利用铁磁临近极化效应。08年EMaccherozzi等人便报道了在Fe/（Ga,Mn）As这种铁磁金属和铁磁半导体异质结中发现了靠近铁磁金属一侧的铁磁半导体薄层在室温下仍具有铁磁性[2]。CoFeAl这类Heusler合金具有高的自旋极化率和高的居里温度,而且高质量的CoFeAl也易于外延生长在GaAs上。13年聂帅华等人也报道了实验和理论上得到的CoFeAl/（Ga,Mn）As静态特性,显示两层之间为铁磁性耦合,并且正是由于铁磁临近效应使得400 K的时候靠近铁磁层1.36 nm厚的（Ga,Mn）As仍然具有铁磁性[3]。鉴于此,针对CoFeAl/（Ga,Mn）As的磁性动力学特性的研究将会对界面之间的耦合提供直接的证据,并且可以为日后自旋电子学器件的设计提供借鉴。在这项工作中,我们利用钛宝石振荡级锁模激光器,在低光功率密度<1μJ/cm激发下,可以观察到CoFeAl/（Ga,Mn）As中明显的磁矩进动,并且这一现象在80-300 K温度下均存在。与此相反,CoFeAl/GaAs中并没有激发进动。而从80-5 K,CoFeAl/（Ga,Mn）As的进动激发进一步增强,其振荡的幅值随着温度的下降逐渐升高。并且在5 K时,振荡的衰减也快十液氮温度下的结果。当温度从5 K上升至300 K时,进动的频率逐渐降低,而CoFeAl/GaAs在此温度区间并没有明显的频率变化。这都说明CoFeAl和（Ga,Mn）As之间存在耦合,正是这种耦合受到飞秒脉冲激发调制,从而激发出了CoFeAl中的磁矩进动。

关键词： (Ga,Mn)As稀磁半导体时间分辨磁光克尔谱铁磁近邻效应

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