检索结果-内蒙古大学图书馆

中国激光 2006年第12期33卷 1688-1691页

作者：李平王煜冯国进郑春弟赵利朱京涛中国计量科学研究院光学材料与光谱实验室复旦大学物理系表面物理国家重点实验室同济大学物理系精密光学工程技术研究所上海200092

在特定的气体氛围下，用一定能量密度的超短脉冲激光连续照射单晶硅片表面，制备出表面具有准规则排列的微米量级锥形尖峰结构的“黑硅”新材料。不同背景气体下的实验表明，激光脉宽和背景气体对表面微构造的形成起着决定性的作用。具... 详细信息

在特定的气体氛围下，用一定能量密度的超短脉冲激光连续照射单晶硅片表面，制备出表面具有准规则排列的微米量级锥形尖峰结构的“黑硅”新材料。不同背景气体下的实验表明，激光脉宽和背景气体对表面微构造的形成起着决定性的作用。具体分析了SF6气体氛围中，皮秒和飞秒激光脉冲作用下硅表面微结构的演化过程。虽然两者均可造成硅表面的准规则排列微米量级尖峰结构，但不同脉冲宽度的激光与硅表面相互作用的物理机制并不相同。在皮秒激光脉冲作用下，尖峰结构形成之前硅片表面先熔化；而飞秒激光脉冲作用下尖峰的演化过程中始终没有出现液相。对材料的光辐射吸收的初步研究表明，该材料对1．5～16μm的红外光辐射吸收率不低于80％。

关键词：激光技术表面微构造硅超短激光脉冲光辐射吸收

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分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究

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物理实验 2003年第2期23卷 43-47页

作者：林俊陈岳瑞胡际璜张翔九复旦大学物理系上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现 ,不同尺寸的掩膜窗内生长的 Si Ge外延层中的位错密度在整个外延层中从 Si Ge/Si界面到 Si Ge外延层表面由少到多 ,再由多到少明显地分成 3个区 .无掩膜窗限制的大面积区内的 Si Ge层则... 详细信息

Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现 ,不同尺寸的掩膜窗内生长的 Si Ge外延层中的位错密度在整个外延层中从 Si Ge/Si界面到 Si Ge外延层表面由少到多 ,再由多到少明显地分成 3个区 .无掩膜窗限制的大面积区内的 Si Ge层则只呈现 2个区 .掩膜材料与掩膜窗尺寸不同 ,这 3个区的位错密度也不同 .掩膜形成过程中产生的应力对衬底晶格的影响 ,以及掩膜边界对衬底与外延层的影响是造成这种不同的根本原因 .

关键词：分子束外延生长 SiGe合金应变弛豫边界效应位错密度掩膜应力衬底晶格薄膜分析

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Ge_xSi_(1-x)/Si应变层超晶格的折迭纵声学声子

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Journal of Semiconductors 1991年第7期12卷 448-451页

作者：张树霖金鹰秦国刚盛篪周国良周铁成北京大学物理系北京100871 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间... 详细信息

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.

关键词： GeSi/Si 应变层超晶格声学声子

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新型四元硫族化合物光伏特性的高通量筛选和第一性原理研究

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物理学报 2024年第17期73卷 75-84页

作者：康家兴严全河曹浩宇孟威威徐飞洪峰上海大学理学院上海市高温超导重点实验室上海200444 华南师范大学华南先进光电子研究院广州510006 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433

本工作提出了一种对Cu_(2)ZnSnS_(4)中Zn元素异价取代策略,探讨了新型四元硫族化合物A_(2)M_(2)M'Q_(4)(A=Na,K,Rb,Cs,In,Tl;M=Cu,Ag,Au;M'=Ti,Zr,Hf,Ge,Sn;Q=S,Se,Te)作为新型太阳能电池吸收层材料的应用潜力.利用第一性原理高通量计算,评估了1350种A_(2)M_(2)M'Q_(4)化合物热力学稳定性、带隙、光谱极限最大效率和声子色散谱等特性.结果表明,有10种热力学和动力学稳定的候选材料,它们表现出合适的带隙,并展现出高的光吸收性能,光谱极限最大效率的理论值均超过30%.它们的电子结构和光学性质类似于Cu_(2)ZnSnS_(4),有望应用于高效单结薄膜太阳能电池.本文数据集可在https://***/10.57760/sciencedb.j00213.00006中访问获取.

关键词：第一性原理高通量筛选四元硫族化合物光伏应用

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一种新型蓝光发射聚合物的非线性光学性质和超快动力学(英文)

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物理化学学报 2010年第3期26卷 707-713页

作者：王耀川闫永丽周慧何楠冯苗钱士雄陈彧复旦大学物理系上海200433 复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433 华东理工大学化学系教育部结构可控先进功能材料及其制备技术重点实验室上海200237 福州大学材料科学与工程学院福州350002

以一种新型蓝光发射聚合物多聚(5-二苯胺基)-1,3-苯乙烯(Yu1)及其单体材料5-二苯胺基苯基-1,3-二甲醛(Yu0)为研究对象,利用飞秒Z扫描技术和泵浦-探测技术研究了这两种材料的非线性光学性质以及超快动力学.结果表明,聚合后,聚合物Yu1的... 详细信息

以一种新型蓝光发射聚合物多聚(5-二苯胺基)-1,3-苯乙烯(Yu1)及其单体材料5-二苯胺基苯基-1,3-二甲醛(Yu0)为研究对象,利用飞秒Z扫描技术和泵浦-探测技术研究了这两种材料的非线性光学性质以及超快动力学.结果表明,聚合后,聚合物Yu1的双光子吸收性质得到显著增强,每重复单元的双光子吸收截面达到单体Yu0的10倍.超快动力学研究结果揭示了Yu0和Yu1的不同弛豫过程.聚合物Yu1的400nm单色泵浦-探测实验结果表现出明显的各向异性:由于激子迁移的高度方向性,泵浦光与探测光偏振方向平行配置时观察到的快过程在偏振方向垂直配置时消失.非线性光学性质以及超快动力学研究结果表明聚合单体对非线性性质的增强效应.

关键词：双光子吸收双光子荧光蓝光发射聚合物 Z扫描激发态动力学

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Co/Cu_(92)Mn_8/Co结构中的低场巨磁电阻研究

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物理学报 1999年第S1期48卷 144-150页

作者：王辉曹嵘郑卫民金庆原夏宇兴李富铭祝向荣沈鸿烈金晓峰复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室上海200433 上海交通大学应用物理系中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室复旦大学应用表面物理国家重点实验室

对三明治结构的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ和Ｃｏ／Ｃｕ９２Ｍｎ８／Ｃｏ系列的巨磁电阻效应进行了研究，发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡，但是接近反相．作为与Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ系统的比较，发现若在Ｃｕ基中稀释Ｍｎ原子... 详细信息

对三明治结构的Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ和Ｃｏ／Ｃｕ９２Ｍｎ８／Ｃｏ系列的巨磁电阻效应进行了研究，发现两者的巨磁电阻均随中介层厚度作周期性振荡，但是接近反相．作为与Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ系统的比较，发现若在Ｃｕ基中稀释Ｍｎ原子，巨磁电阻随外磁场变化的曲线会有非常大的改变，同时饱和场或开关场也有较大的下降，这意味着有可能为Ｃｏ／Ｃｕ金属多层膜的巨磁电阻的实用化研究开辟出一条新的思路．

关键词：巨磁电阻合金膜国家重点实验室 Co/Cu 金属多层膜开关场矫顽力交换耦合缓冲层第一峰值

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Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究

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Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 881-887页

作者：魏彦锋黄大鸣王东红靳彩霞王杰沈孝良复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，... 详细信息

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，合金层中（100）和（111）面的闪锌矿结构共存，两种结构呈现不同的组分，且（111）结构的x值总是小于（100）结构．对x＝1的样品，外延层呈现单一的（100）氯化钠结构．对不同结构和含量所作的定量分析表明，（111）面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从（100）面闪锌矿结构向（100）面氯化钠结构转变的中间相．

关键词：分子束延法外延生长三元合金薄膜半导体材料

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声空化物理化学综合法制备发光多孔硅薄膜的微结构与发光特性

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物理学报 2005年第1期54卷 416-421页

作者：刘小兵史向华廖太长任鹏柳玥柳毅熊祖洪丁训民侯晓远长沙理工大学物理与电子科学系长沙410077 湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室长沙理工大学期刊中心长沙410076 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 西南师范大学物理系重庆400715

声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅薄膜提供了一条重要的途径 .实验结果表明 ,声化学处理对于改善多孔硅的微结构 ,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术 .超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅... 详细信息

声空化所引发的特殊的物理、化学环境为制备高效发光的多孔硅薄膜提供了一条重要的途径 .实验结果表明 ,声化学处理对于改善多孔硅的微结构 ,提高发光效率和发光稳定性都是一项非常有效的技术 .超声波加强阳极电化学腐蚀制备发光多孔硅薄膜 ,比目前通用的常规方法制备的样品显示出更优良的性质 .这种超声的化学效应源于声空化 ,即腐蚀液中气泡的形成、生长和急剧崩溃 ,在多孔硅的腐蚀过程中 ,孔中的氢气泡 ,由于超声波的作用增加了逸出比率和塌缩 ,有利于孔沿垂直方向的腐蚀 .

关键词：声空化物理多孔硅发光特性塌缩氢气泡微结构声化学硅薄膜发光效率腐蚀液

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一种新的半导体材料和器件结构:COS

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物理 2002年第11期31卷 702-707页

作者：阎志军王迅兰州大学物理系兰州730000 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长... 详细信息

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层 ,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破 .

关键词：半导体材料器件结构 COS 晶态氧化物 MOS晶体管硅基集成半导体器件

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衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响

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物理学报 1992年第8期41卷 1308-1314页

作者：吕宏强王杰沈军刘咏王迅王昌平王建宝李晨沈孝良复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学物理系上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出... 详细信息

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。

关键词：硒化锌薄膜热壁外延法衬底温度

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