检索结果-内蒙古大学图书馆

光学学报 2003年第5期23卷 619-621页

作者：史向华王兴军俞根才侯晓远长沙电力学院物理系长沙410077 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级... 详细信息

用分子束外延 (MBE)技术 ,在GaAa( 10 0 )衬底上生长了厚度从 0 .0 45 μm到 1.4μm的ZnSe薄膜。通过室温拉曼光谱的测量对ZnSe薄膜纵光学声子 (Longitudinal opticalphonon)的谱形进行了分析。用拉曼散射的空间相关模型定量分析了一级拉曼散射的空间相关长度与晶体质量之间的关系 ,结果表明ZnSe外延层的晶体质量随着外延层厚度的减薄是渐渐退化的 ,这是由于界面失配位错引入外延层所致 ,理论分析与实验结果相吻合。

关键词：分子束外延光学材料砷化镓硒化锌拉曼光谱相干长度薄膜生长化合物半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

分子束外延ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)超晶格光学特性

引用

Journal of Semiconductors 2003年第4期24卷 377-380页

作者：史向华王兴军俞根才侯晓远长沙电力学院物理系长沙410077 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,... 详细信息

用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,主发光峰对应于阱层 Zn Se的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁 ,而且其峰位相对于 Zn Se薄膜的自由激子峰有明显蓝移 .从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动。

关键词：分子束外延 Zndse/ZnsxSe1-x 超晶格光学特性 X射线衍射谱光致发光性质硒化锌锌硫硒混合物

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

分子束外延生长ZnO薄膜及性能研究

引用

核技术 2003年第1期26卷 9-12页

作者：周映雪史向华俞根才张新夷阎文胜韦世强谢亚宁复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433 长沙电力学院物理系长沙410077 复旦大学同步辐射研究中心上海200433 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230029 中国科学院高能物理研究所同步辐射室北京100039

用分子束外延 (MBE)和氧气氛方法 ,并改变束源炉和衬底生长温度 ,在Si(10 0 )衬底上 ,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题 ,生长得到ZnO薄膜。在ZnO Zn Si(10 0 )薄膜样品的X射线衍射 (XRD)谱中 ,观测到ZnO的 (10 0 )、(0... 详细信息

用分子束外延 (MBE)和氧气氛方法 ,并改变束源炉和衬底生长温度 ,在Si(10 0 )衬底上 ,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题 ,生长得到ZnO薄膜。在ZnO Zn Si(10 0 )薄膜样品的X射线衍射 (XRD)谱中 ,观测到ZnO的 (10 0 )、(0 0 2 )、(10 1)、(10 2 )和 (10 3)等衍射峰 ;用原子力显微镜 (AFM)观测ZnO薄膜的表面形貌 ,为直径约 80— 90nm的量子点 ,表明已得到具有纳米结构的ZnO薄膜。用同步辐射EXAFS技术研究了ZnO薄膜的局域结构。

关键词：分子束外延 ZnO薄膜性能扩展X射线吸收精细结构 X射线衍射氧化锌半导体材料同步辐射

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

电子型FeSe基高温超导体的磁通束缚态与Majorana零能模

引用

物理学报 2021年第1期70卷 82-99页

作者：陈晨刘琴张童封东来复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室先进材料实验室上海200438 表面物理与化学重点实验室绵阳621908 人工微结构科学与技术协同创新中心南京210093 中国科学技术大学物理学院合肥微尺度物质科学国家研究中心合肥230026 上海量子科学研究中心上海201315

作为凝聚态物理中一类新奇准粒子态,Majorana零能模(Majorana zero mode)由于可用来实现拓扑量子计算而成为当前的研究热点.理论预言,Majorana零能模可作为特殊的束缚态出现在一些拓扑超导体的磁通涡旋中.但实际超导体磁通中还可能存在... 详细信息

作为凝聚态物理中一类新奇准粒子态,Majorana零能模(Majorana zero mode)由于可用来实现拓扑量子计算而成为当前的研究热点.理论预言,Majorana零能模可作为特殊的束缚态出现在一些拓扑超导体的磁通涡旋中.但实际超导体磁通中还可能存在其他低能束缚态或杂质态,这给Majorana零能模的辨别和具体应用带来了困难.目前实验上寻找合适的拓扑超导体系、分辨出清晰的Majorana零能模仍然是十分迫切的.本文主要介绍最近利用高能量分辨的扫描隧道显微镜,对电子掺杂铁硒类超导体(Li,Fe)OHFeSe和单层FeSe/SrTiO3磁通态进行的研究.实验上在前者的自由磁通中观测到清晰的零能模,并进一步测量到Majorana零能模的重要特征—量子化电导.而在后者磁通中只发现常规Caroli-de Gennes-Matricon(CdGM)束缚态,反映出s波对称性的特征.这系列实验既为Majorana零能模物性的进一步研究提供了合适平台,也为澄清铁基超导体中拓扑超导电性的来源提供了线索.

关键词：磁通涡旋束缚态 Majorana 零能模拓扑超导体量子化电导

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

ZnO薄膜的分子束外延生长及性能

引用

发光学报 2004年第3期25卷 287-290页

作者：周映雪俞根才吴志浩张新夷复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室复旦大学同步辐射研究中心复旦大学同步辐射研究中心上海200433

利用分子束外延 (MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(1 0 0 )、GaAs(1 0 0 )和蓝宝石Al2 O3(0 0 0 1 )衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn O化学计量比作缓冲层 ,改变衬底生长温度和氧压 ,并在氧气氛下 ,进行原位退火处理 ,得到ZnO薄膜。依... 详细信息

利用分子束外延 (MBE)和氧等离子体源辅助MBE方法分别在Si(1 0 0 )、GaAs(1 0 0 )和蓝宝石Al2 O3(0 0 0 1 )衬底上用Zn、ZnS或以一定Zn O化学计量比作缓冲层 ,改变衬底生长温度和氧压 ,并在氧气氛下 ,进行原位退火处理 ,得到ZnO薄膜。依据X射线衍射 (XRD)图 ,表明样品的结晶性能尚好 ,且呈c轴择优取向 ;实验结果表明在不同衬底上生长的ZnO薄膜 ,由于晶格失配度不同 ,其衍射峰也有区别。用原子力显微镜(AFM)观测薄膜的表面形貌 ,为晶粒尺寸约几十纳米的ZnO纳米晶 ,且ZnO晶粒呈六边形柱状垂直于衬底的表面。采用掠入射X射线反射率法测膜厚。在 36 0nm激发下 ,样品的发光光谱是峰值为 4 1 0 ,5 1 0nm的双峰谱。

关键词：氧化锌分子束外延 X射线衍射纳米晶发光

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

Si(100)上生长的CoSi_2薄膜的STM研究

引用

Journal of Semiconductors 1997年第1期18卷 50-53页

作者：梁励芬董树忠顾志光李炳宗复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学电子工程系上海200433

在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面．在Si（100）晶片上用离子束溅射淀积Co／Ti双层膜，经退火处理完成三元固相反应，生成TiN／CoSi2／Si膜，然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2... 详细信息

在大气中用STM研究了固相反应生长的CoSi2薄膜表面．在Si（100）晶片上用离子束溅射淀积Co／Ti双层膜，经退火处理完成三元固相反应，生成TiN／CoSi2／Si膜，然后经H2SO4和H2O2溶液腐蚀去除TiN膜层得到均匀平整的厚度约为100nm的CoSi2薄膜．AES，XRD等分析表明所得CoSi2膜层是Si（100）衬底的外延生长膜．STM测量结果显示CoSi2薄膜表面结构致密平整，主要由交替出现的平台和台阶结构组成．平台的平均宽度为9nm，台阶高度为2个原子层厚度，分析表明这是由于Si衬底的晶面切割偏离（100）面引起的．平台表面呈平行台阶方向的相距约1．1nm的条状结构．在平台区域的局部表面观测到有序结构，其排列方向与条状突起方向间呈45°夹角．对CoSi2薄膜进行剥层腐蚀后再用STM观察其图象，结果表明CoSi2膜的纵向生长也是均匀的。

关键词：硅半导体薄膜技术 STM

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

胶体铁磁流体的光子特性研究(英文)

引用

物理学进展 2010年第4期30卷 387-421页

作者：高勇范春珍黄吉平复旦大学物理系表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室上海200433 上海第二工业大学理学院应用物理系上海201209

这篇综述回顾了我们近年来在铁磁流体方面的一些研究工作。铁磁流体是一种纳米铁磁颗粒或亚铁磁颗粒悬浮在基液(如:水或煤油)中形成的悬浮液。铁磁流体之所以受到广泛关注,是因为它们在许多方面都有着潜在应用,例如在机械工程和生物医... 详细信息

这篇综述回顾了我们近年来在铁磁流体方面的一些研究工作。铁磁流体是一种纳米铁磁颗粒或亚铁磁颗粒悬浮在基液(如:水或煤油)中形成的悬浮液。铁磁流体之所以受到广泛关注,是因为它们在许多方面都有着潜在应用,例如在机械工程和生物医学等领域。在此综述中,我们首先介绍了铁磁流体的场感应各向异性结构,然后,介绍了几种铁磁流体基软物质材料的光学性质,即:光学负折射、磁控光子带隙和非线性光学响应。我们采用的研究方法主要是分子动力学模拟,有效媒质近似和有限元模拟。

关键词：胶体铁磁流体光学负折射光子晶体非线性光学响应分子动力学模拟有限元模拟有效媒质近似

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

锗硅分子束外延层与衬底界面的电镜研究

引用

大连理工大学学报 1996年第2期36卷 170-173页

作者：邹赫麟李建军魏希文金星王德和张翔九卢学坤蒋最敏王迅大连理工大学物理系复旦大学应用物理国家重点实验室

使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微... 详细信息

使用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备了应变锗硅外延薄膜，并在不同温度下对样品等时热退火处理；采用侧面透射电子显微镜（ＸＴＥＭ）对退火样品进行观测，获得有关高温退火后锗硅外延层与硅衬底界面的位错生长情况，采用高分辨电子显微镜（ＨＲＥＭ）观测样品退火以前的界面显微结构，表明样品在８５０℃退火温度时出现的位错生长是一种混合型热松弛机理．

关键词：分子束外延位错锗硅合金薄膜界面电镜

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

多孔硅的一种新的后处理方法──微波等离子体辅助钝化处理

引用

物理学报 1997年第10期46卷 2059-2065页

作者：刘小兵熊祖洪袁帅廖良生何钧曹先安缪熙月丁训民侯晓远长沙电力学院物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０... 详细信息

报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和ＳｉＯｙ所覆盖．与未经处理的样品相比，其发光强度增加约３５倍，ＰＬ峰位蓝移了４０ｎｍ，而且在空气条件下存放６０ｄ后发光强度没有变化．表明这种方法是增加多孔硅发光强度和提高稳定性的有效方法之一．

关键词：微波等离子体多孔硅后处理钝化处理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

引用

物理学报 1994年第7期43卷 1137-1143页

作者：袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡... 详细信息

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．

关键词：分子束外延快速退火电学性质

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：