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Journal of Semiconductors 1998年第3期19卷 172-176页

作者：廖良生刘小兵熊祖洪何钧侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为... 详细信息

采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为５５０ｎｍ的光致发光．样品经６００℃退火后，发光强度达到最大．

关键词：硅基发光材料光致发光二氧化硅

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一种简便有效的多孔硅后处理新方法

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Journal of Semiconductors 1998年第6期19卷 458-462页

作者：熊祖洪刘小兵廖良生袁帅何钧周翔曹先安丁训民侯晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室李政道物理学综合实验室长沙电力学院物理系

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激... 详细信息

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）。

关键词：多孔硅发光器件全硅基光电子集成

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铒掺杂富硅热氧化SiO_2/Si发光薄膜的显微结构

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光谱学与光谱分析 2001年第6期21卷 758-762页

作者：徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚复旦大学应用物理表面国家重点实验室上海200433 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室南昌大学材料科学与工程系江西南昌330047

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,... 详细信息

利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将稀土元素Er离子掺杂到富硅热氧化SiO2 /Si薄膜中。卢瑟福背散射 (RBS)和X 射线电子能谱仪 (XPS)分析表明 ,Er浓度可达原子百分数 (x)～ 10 ,即Er的原子体浓度为～ 10 2 1·cm-3 。XPS研究发现 ,随着Si注量增大 ,退火态样品表面硅含量增多 ,热氧化硅含量减少。反射式高能电子衍射 (RHEED)和原子灵敏度因子法 (AFM)研究表明 ,样品表面没有大量Er析出或铒硅化物形成 ,退火后表层中Si外延再生长、有针状微晶硅颗粒形成。在 77K及室温下 ,研究了Er掺杂富硅热氧化SiO2 /Si薄膜的近红外区 1 5

关键词： MEVVA离子源半导体薄膜铒光致发光显微结构掺杂 SiO2/Si发光薄膜富硅氧化硅光谱

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铜氧化物高温超导体的角分辨光电子能谱研究

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物理 2006年第10期35卷 818-828页

作者：沈志勋封东来周兴江美国斯坦福大学物理系和应用物理系斯坦福同步辐射实验室复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海先进材料实验室上海200433 中国科学院物理研究所超导国家重点实验室北京凝聚态物理国家实验室北京100080

由于能量和动量分辨率以及实验效率的大幅度提高,角分辨光电子能谱在过去的20年取得了革命性的进展,成为当今凝聚态物理最重要的实验手段之一.文章综述了20年来角分辨光电子能谱在高温超导领域所取得的研究成果,并通过6个例子来阐明如... 详细信息

由于能量和动量分辨率以及实验效率的大幅度提高,角分辨光电子能谱在过去的20年取得了革命性的进展,成为当今凝聚态物理最重要的实验手段之一.文章综述了20年来角分辨光电子能谱在高温超导领域所取得的研究成果,并通过6个例子来阐明如何利用角分辨光电子能谱来理解铜氧化物超导体丰富的相图,以及对应的多体物理现象.

关键词：角分辨光电子能谱高温超导电子结构

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具二阶非线性光学性质的两亲性半菁稀土配合物的研究

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高等学校化学学报 1995年第1期16卷 1-4页

作者：王科志吴念祖黄春辉徐光宪徐愉刘云圻朱道本刘丽英王文澄北京大学稀土材料化学与应用国家重点实验室中国科学院化学研究所复旦大学物理系

合成了４种含半菁的新型稀土配合物：四（１－苯基３－甲基－４－苯甲酰基吡唑啉酮－５）合稀土（Ｌａ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ｙｂ）酸（Ｅ）－１－十六烷基－４－（２，４＇－二甲氨基苯基）乙烯基吡啶．用元素分析、紫外可见光谱、红外光谱、... 详细信息

合成了４种含半菁的新型稀土配合物：四（１－苯基３－甲基－４－苯甲酰基吡唑啉酮－５）合稀土（Ｌａ，Ｎｄ，Ｄｙ，Ｙｂ）酸（Ｅ）－１－十六烷基－４－（２，４＇－二甲氨基苯基）乙烯基吡啶．用元素分析、紫外可见光谱、红外光谱、核磁共振谱、差热热重谱、Ｘ射线光电子能谱、Ｘ射线粉末衍射和摩尔电导对配合物进行了表征．研究了４个配合物的空气－水（１８℃，ｐＨ＝５．６）界面上的表面压－面积（π～Ａ）等温线行为和镝配合物单层Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ膜的二次谐波发生（ＳＨＧ）性质．

关键词：半菁膜非线性光学性质稀土金属配合物

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Si_（1－x）Ge_x／Si定向耦合器的研制

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红外与毫米波学报 1996年第1期15卷 33-37页

作者：高勇李国正刘恩科赵策洲刘西钉张翔九卢学坤王迅西安交通大学电子工程系上海复旦大学应用表面物理国家重点实验室

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于... 详细信息

在运用ＳｉＧｅ脊形波导单模条件和有效折射率法分析ＳｉＧｅ／Ｓｉ定向耦合器结构参数的基础上，采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ（ｘ＝０．０５）单模定向耦合器．在波长为１．３μｍ时，平均串音小于－１８．１ｄＢ，输出功率耦合效率达到９８．１％

关键词：光波导定向耦合器硅锗材料

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Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究

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物理学报 1995年第1期44卷 145-151页

作者：陈艳董国胜张明金晓峰陆尔东潘海斌徐彭寿张新夷范朝阳复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230026 浙江大学物理系杭州310027

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<... 详细信息

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大;当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构.

关键词： Mn/GaAs(100) 界面电子结构光电子能谱

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硅基SiN_xO_y薄膜的光致发光

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科学通报 1997年第17期42卷 1900-1901页

作者：廖良生熊祖洪袁帅侯晓远刘小兵复旦大学应用表面物理国家重点实验室和李政道物理学综合实验室上海200433 长沙电力学院物理系长沙410077

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路... 详细信息

为了实现硅基光电子集成,人们正在致力于探求合适的硅基发光材料.由于SiO_2薄膜是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,因此人们正在将它作为一种有前途的发光材料进行研究,并获得了一些有价值的结果众所周知,SiN_xO_y薄膜也是硅集成电路中重要的掩蔽膜和介质膜,由于它比SiO_2薄膜具有更多的优点,并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用,所以研究SiN_xO_y薄膜是否可以成为一种合适的硅基发光材料也就显得十分有意义了.就我们所知,还没有文献报道SiN_xO_y薄膜光致发光(PL)特性的研究.

关键词：硅基发光材料二氧化硅薄膜光致发光发光机理

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电场对高分子中极化子激子的影响

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物理学进展 2000年第3期20卷 243-250页

作者：傅柔励孙鑫中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083 复旦大学物理系上海200433

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括 :研究方法 ,外电场注入的或光激发引起的电子和空穴会在高分子中形成极化子激子 ,弱或中等强度电场使极化子激子极化 ,强电场解离极化子激子 ,发现高分子中极化子... 详细信息

介绍了近年来有关外电场对高分子中极化子激子影响的研究工作。它们包括 :研究方法 ,外电场注入的或光激发引起的电子和空穴会在高分子中形成极化子激子 ,弱或中等强度电场使极化子激子极化 ,强电场解离极化子激子 ,发现高分子中极化子双激子具有反向极化新性质 ,探讨反向极化这个新的物理现象的物理起因、意义及可能的应用。

关键词：高分子极化子激子电场反向极化计算机模拟

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GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化

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Journal of Semiconductors 1997年第1期18卷 76-80页

作者：曹先安陈溪滢李喆深苏润洲丁训民侯晓远钱峰姚晓峨陈效建复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 东北林业大学物理系哈尔滨150040 南京电子器件研究所南京210016

本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响... 详细信息

本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs／AlGaAs异质结台面型晶体管，大大改善了它的直流特性．并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测，证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质，从而降低了表面复合对器件性能的影响．这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺．

关键词：硫钝化砷化镓 HBT

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