检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 1996年第8期17卷 573-577页

作者：陈晞王学忠刘继周陈辰嘉王杰凌震王迅王淑梅吕少哲北京大学物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ... 详细信息

用分子束外延生长了不同组分ｘ的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ外延膜和Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格．由于Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ的能隙Ｅｇ随组分变化在低组分区形成弓形，且弓形的范围随温度变化的反常特性，首次在光致发光谱（ＰＬ）中观测到当温度升高时，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／Ｚｎｓｅ超晶格中由ＺｎＳｅ为阱、Ｚｎ１－ｘＳｅ为垒转换成Ｚｎ１－ｘＳｅ为阱，ＺｎＳｅ为垒．瞬态光致发光结果表明，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格中Ｍｎ＋＋离子的激发态弛豫时间远大于Ｚｎ１＝ｘＭｎｘＳｅ外延模中Ｍｎ＋＋离子的弛豫时间，这可能是由于超晶格中界面效应引起Ｍｎ＋＋离子间交换相互作用改变所致．

关键词：稀磁半导体 ZnMnSe薄膜外延生长超晶格

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蓝光发射钙钛矿薄膜的制备与光学特性

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半导体技术 2019年第9期44卷 696-701,722页

作者：周缈蒋泵陈东运高明肖帆徐飞马忠权上海大学物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室上海市高温超导重点实验室上海200444 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室上海200433

有机-无机钙钛矿薄膜作为有机发光二极管中的发光层,其本身的薄膜质量与热稳定性是影响其发光特性的主要因素。采用一步溶液法制备了蓝光发射MAPbClxBr3-x薄膜,并通过光学显微镜、吸收光谱、光致发光(PL)谱等分析手段研究了薄膜的成膜... 详细信息

有机-无机钙钛矿薄膜作为有机发光二极管中的发光层,其本身的薄膜质量与热稳定性是影响其发光特性的主要因素。采用一步溶液法制备了蓝光发射MAPbClxBr3-x薄膜,并通过光学显微镜、吸收光谱、光致发光(PL)谱等分析手段研究了薄膜的成膜质量与不同Cl/Br摩尔比之间的关系,以及无机Cs离子掺杂对薄膜热稳定性与发光特性的影响。实验结果表明:随着Cl/Br摩尔比的增大,晶粒尺寸逐渐增大;Cs离子掺杂可以提高薄膜的覆盖度、光吸收强度、热稳定性及PL强度;通过调节Cl/Br摩尔比及Cs离子掺杂获得了室温下具有蓝色发光波长435 nm的Cs0.1MA0.9PbCl2.375Br0.625薄膜。MAPbClxBr3-x薄膜与Cs0.1MA0.9PbCl2.375Br0.625薄膜的发光机制主要为激子辐射复合。此外,Cs0.1MA0.9PbCl2.375Br0.625薄膜还存在Cs离子掺杂能级参与的辐射复合机制。

关键词：混合钙钛矿薄膜蓝光发射 Cs离子掺杂变温光致发光辐射复合

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Zn_(1-x)Mn_(x)/ZnSe应变超晶格分子束外延生长及光学特性研究

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光学学报 1998年第5期18卷 635-640页

作者：靳彩霞史向华柯炼张保平凌晨余更才王杰候晓远复旦大学应用表面物理国家重点实验室长沙电力学院物理系日本仙台理化研究所光物性研究中心

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，... 详细信息

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上成功生长了高质量的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ（ｘ＝０．１６）超晶格结构，用Ｘ射线衍射和低温光致发光（ＰＬ）对其结构、应变分布以及光学性能进行了研究。结果表明，２Ｋ温度下，Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ／ＺｎＳｅ超晶格的光致发光中主发光峰对应于ＺｎＳｅ阱中基态电子和基态轻空穴之间的自由激子跃迁，而且其峰位相对于ＺｎＳｅ薄膜材料的自由激子峰有明显移动。其中，当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，自由激子峰位向低能方向红移２ｍｅＶ；当超晶格总厚度小于其临界厚度时，自由激子峰位向高能方向蓝移６ｍｅＶ。理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子的峰位移动，理论和实验符合很好。

关键词： Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格 X射线衍射谱光致发光性质

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SiGe／Si应变层超晶格的结构和光散射特性

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光散射学报 1996年第2期8卷 63-81页

作者：黄大鸣刘晓晗蒋最敏张翔九复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下，原子互扩散导致异质界面展宽；同时，由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明，利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。（１）我们... 详细信息

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下，原子互扩散导致异质界面展宽；同时，由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明，利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。（１）我们首先把界面陡峭超晶格中折叠纵声学（ＦＬＡ）声子的色散关系和散射强度的理论计算推广到界面展宽的情形。然后，我们分析了测量得到的在不同温度下退火的超晶格样品的ＦＬＡ声子散射谱。通过测量谱和计算结果的比较，得到了不同退火温度下异质界面的展宽或扩散长度。我们也从理论上证实并且在实验上观察到：ＬＦＡ声子在超晶格布里渊区边界的能带分裂随异质界面的展宽而减小。（２）我们定量地分析了ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格中光学声子的散射谱随退火温度的变化。考虑到原子互扩散引起的合金组份变化以及应变弛豫两大因素，我们发现，对上述合金型ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格，在８００℃下退火１０分钟，超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽是非常严重的。相比之下，晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关。对较低温度（４００℃）下生长的超晶格，晶格弛豫量并不大，仅为１６％。这一结果也得到了Ｘ－射线衍射谱的支持。

关键词： SiGe/Si超晶格拉曼散射结构稳定性

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片上光学近场的远场辐射调控

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光电工程 2023年第8期50卷 3-14页

作者：陈宜臻潘威康金相宇何琼周磊孙树林复旦大学信息科学与工程学院上海超精密光学制造工程技术研究中心上海200433 复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室上海200433

表面波作为一种信息或能量传递载体,在片上光学器件及系统中具有重要应用,然而实现近场表面波到远场传输波的高效自由调控是片上光子学领域中的基础难题。本文从表面波的远场辐射原理出发,介绍了人们利用超表面对表面波辐射场的相位、... 详细信息

表面波作为一种信息或能量传递载体,在片上光学器件及系统中具有重要应用,然而实现近场表面波到远场传输波的高效自由调控是片上光子学领域中的基础难题。本文从表面波的远场辐射原理出发,介绍了人们利用超表面对表面波辐射场的相位、振幅、偏振态等多种参量的调控能力,以及表面波的定向辐射、远场聚焦、特殊光束激发、全息成像等复杂波前调控效应,最后对表面波远场辐射调控的主要挑战和未来发展做了总结。

关键词：片上光场表面波远场辐射超构表面

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氧化物分子束外延技术及其在关联材料电子态研究中的应用

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物理 2012年第4期41卷 211-216页

作者：封东来沈大伟徐海超彭瑞复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050

氧化物分子束外延薄膜和异质结生长技术近年来迅速发展,人们已实现以单原子层的精度来精确生长多种复杂量子材料,有力地推动了铜氧化物高温超导电性、二维电子气、氧化物电子学和自旋电子学器件等领域的研究.文章介绍了氧化物分子束外... 详细信息

氧化物分子束外延薄膜和异质结生长技术近年来迅速发展,人们已实现以单原子层的精度来精确生长多种复杂量子材料,有力地推动了铜氧化物高温超导电性、二维电子气、氧化物电子学和自旋电子学器件等领域的研究.文章介绍了氧化物分子束外延的技术关键,并以La1-xSrxMnO3薄膜为例,介绍了钙钛矿结构的氧化物薄膜生长和刻画.特别是文章作者通过建立超高真空下的原位样品传送系统,可把薄膜样品直接传送到角分辨光电子能谱仪中,实现了薄膜的原位电子结构测量.所测得的La1-xSrxMnO3的电子结构与能带计算结果较为相符.而此类立方结构的、不可解理材料的电子结构,过去往往是无法直接测量的.

关键词：氧化物异质结构关联材料氧化物分子束外延角分辨光电子能谱

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Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质

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Journal of Semiconductors 2003年第10期24卷 1040-1043页

作者：危书义马丽杨宗献戴宪起张开明河南师范大学物理与信息工程学院新乡453002 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电... 详细信息

用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究 .

关键词：化学吸附钴硅低指数单晶面金属薄膜

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有机发光二极管中不同金属电极引起的奇特磁效应

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中国科学：物理学、力学、天文学 2012年第5期42卷 475-481页

作者：陈林雷衍连张巧明张勇游胤涛熊祖洪西南大学物理科学与技术学院发光与实时分析教育部重点实验室重庆400715 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用三类金属阴极材料Ca,Al和Cu(Au)通过分子束沉积和电子束加热方式制备了有机发光二极管ITO/CuPc/NPB/Alq3/金属阴极,并在300,200,150,100,50和15K6个温度下,分别测量了不同电极器件的发光随外加磁场的变化(即Magneto-ElectroLuminesc... 详细信息

采用三类金属阴极材料Ca,Al和Cu(Au)通过分子束沉积和电子束加热方式制备了有机发光二极管ITO/CuPc/NPB/Alq3/金属阴极,并在300,200,150,100,50和15K6个温度下,分别测量了不同电极器件的发光随外加磁场的变化(即Magneto-ElectroLuminescence,MEL).在室温300K下,发现Ca,Al和Cu(Au)电极器件的MEL在低场(0B50mT)均表现为快速上升;但随磁场(B>50mT)的进一步增大,Ca和Al电极器件的MEL缓慢变大并逐渐趋于饱和,且与阴极的制膜方式无关;而采用电子束加热方式制备的Cu(Au)电极器件,其MEL却表现出高场缓慢下降;且温度越低,该类Cu电极器件MEL的高场下降更为显著.实验研究表明,Ca和Al电极器件的MEL主要是由超精细耦合作用随外加磁场变化引起的.但电子束加热方式制备的Cu(Au)电极器件的MEL除了超精细耦合作用引起的低场快速上升外,其高场下降的可能机制则是:Cu(Au)电极器件中电子-空穴对的俘获区(e-hCapture Zone)靠近阴极界面,相比较于热蒸发的方式,电子束蒸发的方式更容易使重金属Cu(Au)原子得到更高的能量,使其渗透进相邻的有机层Alq3中,Cu(Au)原子的强自旋轨道耦合作用导致电子-空穴对发生自旋翻转,此为MEL出现高场下降的原因.

关键词：有机发光二极管, 金属电极, 自旋轨道耦合, 磁效应

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器件老化处理对有机发光磁效应的影响

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科学通报 2012年第13期57卷 1100-1105页

作者：张巧明雷衍连陈丽佳陈林张勇游胤涛熊祖洪西南大学物理科学与技术学院发光与实时分析教育部重点实验室重庆400715 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

制备了基于小分子tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(III)(Alq3)的有机发光二极管,并在室温下对器件进行大电流老化处理;然后测量了器件的光电性能,以及电致发光磁效应(magneto-electroluminescence,MEL)随老化时间的变化关系.实验结... 详细信息

制备了基于小分子tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum(III)(Alq3)的有机发光二极管,并在室温下对器件进行大电流老化处理;然后测量了器件的光电性能,以及电致发光磁效应(magneto-electroluminescence,MEL)随老化时间的变化关系.实验结果显示,经老化处理后,器件的发光效率降低、工作电压增大;但器件的MEL随老化时间则表现出先增加、后减小的特点,且其线型保持不变.基于器件光电性能退化的主要机制,分析了器件MEL发生非单调变化的可能原因,即器件中形成了对发光激子有淬灭作用的Alq3阳离子,该阳离子引起发光强度的减弱造成MEL在短时间处理后增加,而阴极/Alq3界面的退化导致发光层中电场的增大则引起器件MEL的减小.这对理解有机发光的退化机制和有机磁效应的形成机制具有较好的促进作用.

关键词：老化处理有机磁效应 Alq3阳离子界面退化

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LiF分子的极化对有机发光二极管磁效应的影响

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科学通报 2013年第30期58卷 3045-3051页

作者：白江文张巧明雷衍连张勇熊祖洪西南大学物理科学与技术学院发光与实时分析教育部重点实验室重庆400715 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

在常规的有机发光二极管的发光层中掺入lithium fluoride(LiF),可以有效调控器件在不同温度下的电流与电致发光的磁场效应.与未掺杂的参考器件相比,LiF掺杂器件的磁场效应的线型与幅度都发生了明显的改变.在室温下,当外加磁场强度达到... 详细信息

在常规的有机发光二极管的发光层中掺入lithium fluoride(LiF),可以有效调控器件在不同温度下的电流与电致发光的磁场效应.与未掺杂的参考器件相比,LiF掺杂器件的磁场效应的线型与幅度都发生了明显的改变.在室温下,当外加磁场强度达到几百毫特斯拉时,常规器件的磁场效应随磁场增加缓慢增大并趋于饱和,而掺杂器件的磁场效应随磁场增加几乎呈直线增加,且表现出了不饱和的高场效应.此外,随LiF掺杂浓度的增大,电流与发光的高场效应的幅度均表现出先增加后降低的变化趋势.掺杂器件与未掺杂器件磁场效应的差异,可以归结为LiF颗粒在器件内电场中发生介电极化的结果.发光层中的激子与LiF颗粒表面的极化电荷发生反应,导致了器件特殊的磁场效应.

关键词：磁电导极化三重态激子激子-电荷反应

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