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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二：P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016

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文献类型

198 篇 期刊文献
90 篇 会议

馆藏范围

288 篇 电子文献
0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

213 篇 工学
- 140 篇 材料科学与工程（可...
- 92 篇 电子科学与技术（可...
- 50 篇 光学工程
- 28 篇 化学工程与技术
- 6 篇 动力工程及工程热...
- 4 篇 电气工程
- 2 篇 力学（可授工学、理...
- 2 篇 仪器科学与技术
- 2 篇 船舶与海洋工程
- 1 篇 控制科学与工程
- 1 篇 纺织科学与工程
- 1 篇 生物医学工程（可授...
112 篇 理学
- 83 篇 物理学
- 31 篇 化学
- 4 篇 生物学
8 篇 医学
- 5 篇 临床医学
- 2 篇 基础医学(可授医学...
- 2 篇 中西医结合
- 2 篇 药学(可授医学、理...
- 1 篇 中药学(可授医学、...
- 1 篇 医学技术（可授医学...
2 篇 农学
1 篇 教育学
- 1 篇 教育学

主题

20 篇 分子束外延
19 篇 光致发光
11 篇 多孔硅
9 篇 外延生长
9 篇 超晶格
9 篇 硅
8 篇 半导体
7 篇 半导体材料
7 篇 薄膜
6 篇 离子注入
5 篇 同步辐射
5 篇 砷化镓
4 篇 二氧化硅
4 篇 交换偏置
4 篇 微结构
4 篇 交换耦合
4 篇 界面
4 篇 电子结构
4 篇 表面等离激元
4 篇 磁性

机构

250 篇 复旦大学
16 篇 长沙电力学院
15 篇 上海大学
11 篇 应用表面物理国家...
11 篇 北京大学
10 篇 北京师范大学
10 篇 中国科学技术大学
9 篇 南京大学
9 篇 人工微结构科学与...
9 篇 南昌大学
8 篇 西南大学
8 篇 上海交通大学
5 篇 应用表面物理国家...
5 篇 上海量子科学研究...
4 篇 中国科学院高能物...
4 篇 李政道物理学综合...
4 篇 苏州大学
4 篇 厦门大学
4 篇 表面物理国家重点...
3 篇 绍兴文理学院

作者

38 篇 蒋最敏
23 篇 徐飞
20 篇 钟振扬
19 篇 侯晓远
16 篇 黄大鸣
16 篇 吴义政
16 篇 熊祖洪
15 篇 王迅
14 篇 丁训民
14 篇 樊永良
12 篇 刘晓晗
11 篇 徐闰
11 篇 刘小兵
11 篇 张新夷
11 篇 王杰
11 篇 廖良生
10 篇 周通
10 篇 金晓峰
10 篇 史向华
10 篇 马忠权

语言

284 篇 中文
4 篇 英文

检索条件"机构=复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海"

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排序：

飞秒激光刻蚀形成黑硅的红外光致发光和电致发光研究

飞秒激光刻蚀形成黑硅的红外光致发光和电致发光研究

引用

中国物理学会2013年秋季学术会议

作者：吕泉王剑梁葱陈丹丹杨洁徐飞蒋最敏应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室复旦大学物理学系上海 200433 索朗太阳能研发实验室上海大学理学院物理学系上海 200444

硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是，由于硅作为间接带隙半导体材料，其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高硅基材料的发光效率——尤其是1.5 μm 附近的光通信波段的发光效率，则对于光互连与光集成都起到积极的... 详细信息

硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是，由于硅作为间接带隙半导体材料，其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高硅基材料的发光效率——尤其是1.5 μm 附近的光通信波段的发光效率，则对于光互连与光集成都起到积极的作用.

关键词：黑硅光致发光电致发光红外发光二极管

来源：评论

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锰掺杂与铁掺杂硅薄膜微结构研究

锰掺杂与铁掺杂硅薄膜微结构研究

引用

第十届全国X射线衍射学术大会暨国际衍射数据中心（ICDD）研讨会

作者：王佳乐苏卫锋徐闰樊永良蒋最敏应用表面物理国家重点实验室复旦大学电子信息材料系材料科学与工程学院上海大学

锰掺杂硅与铁掺杂硅材料由于被认为可以作为很有发展前景的铁磁半导体(FMS)材料而得到越来越多的研究。所以,了解这类材料的微结构对于材料生长和了解它们的物理性质是非常重要的。双晶x射线衍射(DCXRD)对于研究这类材料提供了一个非常... 详细信息

锰掺杂硅与铁掺杂硅材料由于被认为可以作为很有发展前景的铁磁半导体(FMS)材料而得到越来越多的研究。所以,了解这类材料的微结构对于材料生长和了解它们的物理性质是非常重要的。双晶x射线衍射(DCXRD)对于研究这类材料提供了一个非常有力的工具。在本文中,我们用双晶XRD研究了锰掺杂硅薄膜与铁掺杂硅薄膜微结构,从双晶XRD结果可以发现,随退火温度提高,锰或铁在硅薄膜的晶格中由填隙位置变为替位位置。

关键词：晶格常数铁掺杂锰掺杂硅薄膜微结构

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钙钛矿太阳电池吸收层薄膜材料光致发光的研究

钙钛矿太阳电池吸收层薄膜材料光致发光的研究

引用

第一届新型太阳能电池暨钙钛矿太阳能电池学术研讨会

作者：徐飞曹汝楠马忠权徐闰陈丹丹吴杨琳上海大学物理系索朗光伏材料与器件联合实验室分析测试中心复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系

我们采用一步旋涂法制备出CH3NH3I钙钛矿薄膜吸收层材料[1]。XRD结果表明,我们所制备的钙钛矿薄膜结晶性能良好,具有(220)择优取向(图1)。我们对钙钛矿薄膜进行了光致发光的研究。通过405 nm激光器泵浦钙钛矿薄膜样品,我们肉眼观察到样... 详细信息

我们采用一步旋涂法制备出CH3NH3I钙钛矿薄膜吸收层材料[1]。XRD结果表明,我们所制备的钙钛矿薄膜结晶性能良好,具有(220)择优取向(图1)。我们对钙钛矿薄膜进行了光致发光的研究。通过405 nm激光器泵浦钙钛矿薄膜样品,我们肉眼观察到样品发射出非常强的红光,其发光峰位于784 nm处,相应能量为1.58 e V(图2)。变温光致发光研究发现,其发光峰的强度与峰位都会随着温度发生变化(图3)。这都将对此钙钛矿薄膜应用于太阳电池中所为吸收层的性能产生影响。

关键词：钙钛矿吸收层光致发光

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磁场角度对Kagome人工自旋冰动力学行为的调控

磁场角度对Kagome人工自旋冰动力学行为的调控

引用

中国物理学会2016年秋季会议

作者：孙璐周超梁建辉邢弢雷娜吴义政复旦大学物理系、表面物理国家重点实验室上海 200433 北京航空航天大学电子信息工程系 Fert北京研究中心北京 100191

随着微纳加工技术的发展，现在人们可以制作具有单畴形态的二维磁阻挫结构——用具有微纳米尺度的小磁条代替原子磁矩来制作人工自旋冰。人工自旋冰的尺度使其能够在实空间被观测，并通过改变体系温度和外加磁场来调控材料的热力学和动...

随着微纳加工技术的发展，现在人们可以制作具有单畴形态的二维磁阻挫结构——用具有微纳米尺度的小磁条代替原子磁矩来制作人工自旋冰。人工自旋冰的尺度使其能够在实空间被观测，并通过改变体系温度和外加磁场来调控材料的热力学和动力学性质，从而提升对磁阻挫体系物理现象的认知，因此可以极大地丰富人们对自旋阻挫行为的深入研究，同时也对磁信息存储器和生物磁学传感器等新技术的调控提供了科学基础。

关键词：

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锰掺杂与铁掺杂硅薄膜微结构研究

锰掺杂与铁掺杂硅薄膜微结构研究

引用

第十七届全国半导体物理学术会议

作者：王佳乐苏卫锋徐闰樊永良蒋最敏应用表面物理国家重点实验室复旦大学上海 200433 电子信息材料系材料科学与工程学院上海大学上海 200444

锰掺杂与铁掺杂硅材料由于被认为可以作为很有发展前景的铁磁半导体(FMS)材料而得到越来越多的研究。而锰硅化合物由于具有大的Seebeck系数，可以作为热电器件材料得到广泛研究，同时低温β相FeSi2由于它的直接带隙特性以及和现有硅工... 详细信息

锰掺杂与铁掺杂硅材料由于被认为可以作为很有发展前景的铁磁半导体(FMS)材料而得到越来越多的研究。而锰硅化合物由于具有大的Seebeck系数，可以作为热电器件材料得到广泛研究，同时低温β相FeSi2由于它的直接带隙特性以及和现有硅工艺的相容性，也得到了广泛关注。在本文中，用拉曼光谱和双晶XRD研究了掺杂与铁掺杂硅薄膜，首次确定了锰硅化合物的两个相，MnSi1.73和MnSi,与传统XRD方法相比，拉曼光谱对于这一类物质结构更加灵敏。另外，从双晶XRD可以发现，随退火温度提高，锰或铁在硅薄膜的晶格中由填隙位置变为替位位置。另外，从拉曼光谱中可以看到，随退火温度不同，形成的MnSi1.73或β-FeSi2化合物的量并没有明显变化。

关键词：锰掺杂铁掺杂硅薄膜拉曼光谱半导体材料

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普通金属薄膜中的自旋霍尔效应

普通金属薄膜中的自旋霍尔效应

引用

2013年纳米、表面和Graphene科学与技术全国会议

作者：王旭辉肖江 Aurelien Monchon Sadamichi Maekawa King Abdullah University of Science and Technology(KAUST) Physical Science and Engineering DivisionThuwal 23955-6900Saudi Arabia 复旦大学物理系、应用表面物理国家重点实验室上海200433 Advanced Science Research CenterJapan Atomic Energy AgencyTokai 319-1195日本

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锗量子点在硅基微盘上的可控外延

锗量子点在硅基微盘上的可控外延

引用

第十二届全国分子束外延学术会议

作者：王曙光张宁宁张立建彭堃陈培宗蒋最敏钟振扬应用表面物理国家重点实验室复旦大学物理学系上海200433 人工微结构科学与技术协同创新中心江苏南京210023

硅(锗）光子学是近年来的热点课题.硅材料在固体电子学中占据主角地位,在光通信领域也有广泛应用.1但是在有源光子学领域,始终不能摆脱物性带来的缺陷,发光效率很低.许多研究者报道了基于微腔、量子点结合的新型发光结构.2根据珀塞尔效... 详细信息

硅(锗）光子学是近年来的热点课题.硅材料在固体电子学中占据主角地位,在光通信领域也有广泛应用.1但是在有源光子学领域,始终不能摆脱物性带来的缺陷,发光效率很低.许多研究者报道了基于微腔、量子点结合的新型发光结构.2根据珀塞尔效应,当实现量子点与微腔的光谱、位置匹配后,量子点的发光可以大大增强.在广泛使用的微盘领域,位置匹配还远没有实现.研究了在硅基微盘边沿定位外延锗量子点的技术。使用SOI衬底，经过电子束曝光和等离子体刻蚀，制作成微盘。利用分子束外延生长一定量的锗之后，量子点主要分布于微盘的边缘，形成“项链”状。这与微盘内部回音壁模式极大值正好处于同一径向位置，有可能大大提升量子点发光效率。理论计算表明，生长过程中锗的迁移存在两个阶段，第一阶段由边缘往中间迁移，第二段反之。采取两步生长法，第一步低温生长，抑制锗往中间的迁移。第二部提高生长温度，促进锗原子往边缘迁移。这样就使得大部分沉积到微盘上的锗能够有效迁移到边缘成核，提高了材料利用率。这些工作对实现锗硅的高效发光有重要推动作用。

关键词：锗量子点外延生长温度控制硅基微盘

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硅微盘上锗量子点的有序生长

硅微盘上锗量子点的有序生长

引用

第二十一届全国半导体物理学术会议

作者：王曙光张宁宁蒋最敏钟振扬应用表面物理国家重点实验室复旦大学物理学系上海200433 人工微结构科学与技术协同创新中心江苏南京210023

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磁控溅射制备的Er：Si共掺ZnO多层膜的PL特性的研究

磁控溅射制备的Er：Si共掺ZnO多层膜的PL特性的研究

引用

2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

作者：王啸郑玲玲蒋最敏徐飞马忠权徐闰普郁李明珠陆昉复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 上海大学理学院物理系上海大学-索朗光伏材料与器件R＆D实验室，上海200444 上海大学材料科学工程学院电子信息材料系，上海 200444

由于Er的1.54μm(4I13/2-4I15/2)处的发光恰好处在硅基光纤材料中的低损耗波长范围，掺Er半导体材料被视为富有前景的光电材料之--[1-2】。我们发现选择氧化物做为基质材料，可以提高同溶度，另一方面宽带系材料可以抑制热淬灭。所以人... 详细信息

由于Er的1.54μm(4I13/2-4I15/2)处的发光恰好处在硅基光纤材料中的低损耗波长范围，掺Er半导体材料被视为富有前景的光电材料之--[1-2】。我们发现选择氧化物做为基质材料，可以提高同溶度，另一方面宽带系材料可以抑制热淬灭。所以人们对禁带宽度为3.37eV的宽禁带半导体材料氧化锌作为Er掺杂基质材料进行了大量的研究。同时我们发现对Er3+1.54μm处的发光而言，使用纳米硅(Si-NCs)间接激发的激发效率优于直接激发【3】。它可以传递能量给Er3+，并提高氧化锌基质中Er3+的发光强度。然而，人们对ZnO材料中Si-NCs作为宽带敏化剂对Er传递能量的这一机制的研究还并不多。

关键词：磁控溅射 Er：Si共掺ZnO多层膜 PL特性

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PTO与POP有机半导体材料中电荷传输超快动力学研究

PTO与POP有机半导体材料中电荷传输超快动力学研究

引用

上海市激光学会2013年学术年会

作者：郭文平盛传祥马万里陈张海赵海斌复旦大学光科学与工程系微纳光子结构教育部重点实验室上海超精密光学工程中心苏州大学功能纳米与软物质研究院南京理工大学电子工程与光电技术学院复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室先进材料实验室

基于有机半导体材料的全溶液制程太阳能电池,由于其制备工艺简单,成本低,可火面积成膜,具有较强的柔韧性等特点,受到广泛的关注。一个简单的太阳能电池可以由高分子聚合物作为施主,富勒烯材料作为受主制作而成,它的能量转化效率可以达到... 详细信息

基于有机半导体材料的全溶液制程太阳能电池,由于其制备工艺简单,成本低,可火面积成膜,具有较强的柔韧性等特点,受到广泛的关注。一个简单的太阳能电池可以由高分子聚合物作为施主,富勒烯材料作为受主制作而成,它的能量转化效率可以达到6-7.5%[1,2],火气环境下寿命超过一年[3]。当前有机半导体材料的吸收局限于可见光范围和低的电荷迁移率是限制有机太阳能电池效率的主要原因。为了进一步提高有机太阳能电池的能量转化效率,人们在寻找新的窄带隙高分子聚合物材料方面做了大量的工作。聚合物的性质介于半导体和分子之间,并且可形成种类繁多的纳米结构,致使其能带结构及光电性质都非常复杂,激子如何快速有效地到达异质结界面产生电荷分离是国际研究的热点。瞬态光谱测量能够表征激发态粒子数目随时间的演化过程,有助于我们深入地了解电荷产生,分离,复合和输运的全过程。我们利用钛宝石放火级飞秒激光器搭建起一套泵浦-探测系统,对由苯并二噻吩(BDT)和反丁烯二氰(BCNV)合成的两种新颖的同源共聚物PTO、POP及其分别与富勒烯PCBM的混合物薄膜样品进行了瞬态光谱的测量。泵浦激发密度依赖实验室结果显示PTO、POP、PTO:PCBM、POP:PCBM相对透射变化与激发密度呈线性关系。比较PTO与PTO:PCBM混合物光致吸收光谱,混合物对600nm的光致吸收增加,而对于700nm、850nm光致吸收变弱,PTO中混合PCBM后,吸收600nm光的激发态粒子增加,吸收700nm、850nm光的激发态粒子数目减少,同时出现2-3ps内向其他态转化的超快电荷转移过程。说明PCBM的加入,形成了某种电荷传输态,导致激发态粒子在2-3ps内快速的向这种中间态转化。比较POP与POP:PCBM混合物光致吸收光谱,混合物的光致吸收明显减弱。5ps内POP与POP:PCBM混合物相对透射缓慢变化,均无超快电荷转移过程出现。

关键词：有机半导体太阳能电池瞬态吸收光谱电荷传输

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