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检索条件"机构=复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室上海"
288 条 记 录,以下是51-60 订阅
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Plasmonic Field Enhancement for Vibration Spectroscopy at Metal/Water Interfaces
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Chinese Journal of Chemical Physics 2016年 第1期29卷 87-90,I0002页
作者: 刘志华 徐倩 刘韡韬 复旦大学物理系 应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室先进微结构协同创新中心上海200433
Electrochemical (EC) reactions play vital roles in many disciplines, and its molecular-level understanding is highly desired, in particular under reactions. The vibration spectroscopy is a powerful in situ technique... 详细信息
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Si_(1-x)Ce_x/Si量子阱发光材料制备及特性研究
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物理学报 1995年 第6期44卷 995-1002页
作者: 杨宇 卢学坤 黄大鸣 蒋最敏 杨敏 章怡 龚大卫 陈祥君 胡际璜 张翔九 赵国庆 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433 复旦大学物理二系 上海200433
在si(100)衬底上用分子束外延成功生长了Si_(1-x)Ge_x/si量子阱发光材料,发现在生长过程中背景杂质含量直接影响材料的发光特性,用光致发光(PL)和卢瑟福背散射(RBS)对样品质量进行标定。在PL测量中观察到合金量子阱带边激子分辨峰,并对... 详细信息
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SiO_x、Si/Si_(1-x)Ge_x的横向磁阻和迁移率的无接触测量
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固体电子学研究与进展 1999年 第1期19卷 92-96页
作者: 褚幼令 盛篪 王昕 龚大卫 王宗欣 复旦大学物理系 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室 复旦大学电子工程系
用分子束外延技术在p型Si衬底上生长成了Si/Si1-xGex应变层超晶格和掺铒(Er)SiOx外延层,用无接触法测量了它们的横向磁阻,并且用拟合方法由横向磁阻计算了它们的迁移率。
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电子能量损失谱探测银纳米棒与介质层强耦合的数值模拟
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物理学报 2022年 第14期71卷 269-279页
作者: 赵世杭 张元 吕思远 程少博 郑长林 王鹿霞 北京科技大学数理学院物理系 理论物理研究所北京100083 郑州大学物理学院 材料物理教育部重点实验室郑州450052 复旦大学物理学系 应用表面物理国家重点实验室上海200438
表面等离激元与量子发射体间的强耦合现象通常通过散射、吸收以及荧光等远场光谱探测方法进行研究.利用高度聚焦的电子束,电子能量损失谱能够实现亚纳米尺度的局域探测,可以更加有效地研究强耦合现象.本文在理论上分别模拟了银纳米棒、... 详细信息
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平均键能模型的物理基础及该模型的应用
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发光学报 1996年 第4期17卷 299-310页
作者: 柯三黄 王仁智 黄美纯 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海200433 厦门大学物理系 厦门361005
平均键能模型是一种建立在数值基础上的用来确定半导体异质界面能带偏移的模型方法。本文首先对这一模型方法的物理基础进行了理论分析,并给予其完整的物理解释。通过与TB“pinned”模型、介电隙能级(DME)模型以及电中性点(CNP)模型的比... 详细信息
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稀磁半导体Zn_(1-x)Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱
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光谱学与光谱分析 1995年 第3期15卷 7-10页
作者: 王学忠 陈辰嘉 刘国彬 曹阳 王杰 王迅 北京大学物理系 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
测量了用热壁外延(HWE)生长的不同组分(0≤x≤0.98)的Zn1-xMnxSe薄膜在温度为300K下的反射光谱,用X射线能借测定样品实际的组分x值,由此获得了其能隙Eg与组分x的关:在O<X<0.2组分范围,E... 详细信息
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硅中δ掺杂的新进展
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物理 1996年 第11期25卷 658-661页
作者: 蒋最敏 复旦大学物理系 复旦大学应用表面物理国家重点实验室
掺杂Si材料是一种新型半导体材料,它是利用杂质工程和能带工程的结合来调节半导体的性质的。它的许多物理性质为低维半导体统的研究开辟了一个新领域,同时正是这些物理特性使得该材料在硅基光电子器件、电子器件研制中具有广阔的... 详细信息
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离子注入调制掺杂V形槽GaAs/AlGaAs单量子线光电性质
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中国科学(G辑) 2005年 第2期35卷 121-130页
作者: 黄少华 陈张海 柏利慧 王防震 沈学础 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室 上海200433
低温显微偏振光致发光谱的测量表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,V形槽量子线表现出良好的一维量子限制效应,其光致发光呈现约63%的线性偏振度;对量子线样品的低温磁阻测量亦表明,经选择性As+离子注入和快速退火后,准一维量子线表... 详细信息
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表面微构造的硅材料——一种新型的光电功能材料
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物理 2003年 第7期32卷 455-457页
作者: 赵明 苏卫锋 赵利 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室 上海200433
在SF6气体氛围内用飞秒激光照射硅表面 ,可在硅表面产生准规则排列的微米量级尖峰结构 ,形成“黑硅”新材料 .初步研究表明 ,这种“黑硅”新材料对波长为 2 5 0— 2 5 0 0nm的光波有大于 90 %的吸收 ,同时它还具有相当好的场致发射特性 ... 详细信息
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氮化铝薄膜的低温沉积
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Journal of Semiconductors 2000年 第9期21卷 914-917页
作者: 孙剑 吴嘉达 应质峰 施维 凌浩 周筑颖 丁训民 王康林 李富铭 复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室 上海200433 复旦大学现代物理研究所 上海200433 复旦大学物理系应用表面物理国家重点实验室 上海200433
介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,... 详细信息
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