检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 1993年第10期42卷 1654-1660页

作者：黄春晖陈平王迅福州大学物理系福州350002 复旦大学表面物理国家重点实验室上海200433

介绍在改装的ADES-400型光电子能谱仪上,用Si电子束蒸发的方法生长Si/GaP(Ⅲ)界面的过程,并用光电子能谱原位地分析测量不同条件下生长的Si/GaP(Ⅲ)异质界面的形成状况和价带不连续值△E_v。讨论了△E_v与界面状况和原子能级变化的相互... 详细信息

介绍在改装的ADES-400型光电子能谱仪上,用Si电子束蒸发的方法生长Si/GaP(Ⅲ)界面的过程,并用光电子能谱原位地分析测量不同条件下生长的Si/GaP(Ⅲ)异质界面的形成状况和价带不连续值△E_v。讨论了△E_v与界面状况和原子能级变化的相互关系,确定了生长有序的突变Si/GaP(Ⅲ)异质界面的条件,得到此时界面的价带不连续值为0.80eV。它与理论计算值基本一致。

关键词：异质结界面价带光电子谱法

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量子点的形成对Si/Ge界面互扩散的影响

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Journal of Semiconductors 2002年第7期23卷 731-734页

作者：周星飞施斌胡冬枝樊永良龚大卫蒋最敏宁波大学物理系宁波315211 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是... 详细信息

在Si(10 0 )衬底上低温生长了一层完全应变的Ge层 ,高温退火形成量子点 .我们用喇曼光谱研究了量子点形成时Si/Ge界面的互扩散现象 ,实验表明量子点的形成伴随着Si/Ge原子之间的互扩散 ,通常在Si衬底上形成的是SiGe合金量子点 ,而不是纯Ge量子点 .

关键词：量子点 Si/Ge界面互扩散分子束外延硅衬底喇曼光谱

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酞菁铜薄膜的飞秒z-扫描研究

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复旦学报（自然科学版） 2001年第3期40卷 300-304页

作者：米君马国宏郭立俊钱士雄刘建华复旦大学物理系上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学光科学与工程系

研究了酞菁铜薄膜的吸收光谱和飞秒三阶非线性光学极化率 χ( 3 ) .酞菁铜薄膜吸收光谱Q带的分裂是由于分子间相互作用导致酞菁的大π电子环产生畸变 ,从而使eg(LUMO)轨道的二重简并度解除 .分别采用钛宝石激光器的振荡级和放大级输出 ,... 详细信息

研究了酞菁铜薄膜的吸收光谱和飞秒三阶非线性光学极化率 χ( 3 ) .酞菁铜薄膜吸收光谱Q带的分裂是由于分子间相互作用导致酞菁的大π电子环产生畸变 ,从而使eg(LUMO)轨道的二重简并度解除 .分别采用钛宝石激光器的振荡级和放大级输出 ,用z 扫描方法测量了酞菁铜的三阶非线性光学极化率 .用激光器振荡级测量的 χ( 3 ) 值为 - 4 3× 10 -7esu ,而用激光器放大级测量的结果为 2 6 2× 10 -11esu ,前者比后者大 4个量级 .酞菁铜薄膜对激光束的吸收以及振荡级激光脉冲的高重复频率表明振荡级测量的结果主要来自热致透镜效应的贡献。

关键词：酞菁铜三阶非线性光学极化率 z-扫描热致透镜效应薄膜

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非晶Er2O3高k栅介质薄膜的制备及结构特性研究

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无机材料学报 2008年第2期23卷 357-360页

作者：方泽波谭永胜朱燕艳陈圣蒋最敏绍兴文理学院物电系绍兴312000 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且... 详细信息

采用高真空反应蒸发法在未加热的p型Si(100)衬底上实现了非晶Er_2O_3高k栅介质薄膜的生长.俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学剂量比.X射线衍射、反射式高能电子衍射和高分辨透射电子显微镜测量表明,不但原位沉积的薄膜是非晶结构,而且高真空700℃退火30min后样品仍保持了良好的非晶稳定性.原子力显微镜检测显示高真空退火有利于改善薄膜的表面形貌.退火后,Er_2O_3薄膜获得了平整的表面.电容一电压测试得到薄膜的有效介电常数为12.6,EOT为1.4nm,在1MV/cm时漏电流密度为8×10^(-4)A/cm^2.这些特征表明非晶Er_2O_3薄膜是一种较好的高k栅介质候选材料.

关键词：高k栅介质 Er2O3薄膜反应蒸发

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有机发光二极管的光致磁电导效应

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物理学报 2012年第18期61卷 461-466页

作者：焦威雷衍连张巧明刘亚莉陈林游胤涛熊祖洪西南大学物理科学与技术学院发光与实时分析教育部重点实验室重庆400715 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq_3/LiF/Al的常规有机发光二极管,之后对器件采用波长为442 nm和325 nm的激光线进行照射产生激子,并在小偏压下(保证器件没有开启)对激子的演化过程进行控制,同时测量器件的光致磁电导(photo-induced magnet... 详细信息

制备了结构为ITO/CuPc/NPB/Alq_3/LiF/Al的常规有机发光二极管,之后对器件采用波长为442 nm和325 nm的激光线进行照射产生激子,并在小偏压下(保证器件没有开启)对激子的演化过程进行控制,同时测量器件的光致磁电导(photo-induced magneto-conductance,PIMC).实验发现,不同于电注入产生激子的磁电导效应,PIMC在正、反小偏压下表现出明显不同的磁响应结果.当给器件加上正向小偏压时,器件的PIMC在0—40mT范围内迅速上升;随着磁场的进一步增大,该PIMC增加缓慢,并逐渐趋于饱和.反向小偏压时,器件的PIMC随着磁场也是先迅速增大(0—40 mT),但达到最大值后却又逐渐减小.通过分析外加磁场对器件光生载流子微观过程的影响,采用‘电子-空穴对'模型和超精细相互作用理论对正向偏压下的PIMC进行了解释;反向偏压下因各有机层的能级关系,为激子与电荷相互作用提供了必要条件,运用三重态激子与电荷的反应机制可以解释PIMC出现高场下降的实验现象.

关键词：有机发光二极管,光生载流子,高磁场效应,三重态激子-电荷反应

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TiO_2薄膜的优化及其对染料敏化太阳能电池性能的影响

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科学通报 2011年第17期56卷 1354-1359页

作者：王丽伟骆泳铭黄仕华浙江师范大学物理系金华321004 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

介绍了染料敏化太阳能电池的制备过程,深入探讨了二氧化钛薄膜厚度、四氯化钛处理电极及添加大粒子散射层对电池效率的影响.研究结果表明,在一定范围内增加TiO2电极的厚度可以显著提高电池效率,但当电极过厚时,薄膜中的缺陷态增加,降低... 详细信息

介绍了染料敏化太阳能电池的制备过程,深入探讨了二氧化钛薄膜厚度、四氯化钛处理电极及添加大粒子散射层对电池效率的影响.研究结果表明,在一定范围内增加TiO2电极的厚度可以显著提高电池效率,但当电极过厚时,薄膜中的缺陷态增加,降低了电子的传输效率,导致光电流下降,电池效率降低;四氯化钛处理电极增强了基底导电面与薄膜界面以及二氧化钛粒子间的电接触,加快电子传输使光电流增强;引入散射层,提高了电池在长波段的光捕获效率,从而提高了电池的效率.

关键词：染料敏化太阳能电池二氧化钛电极薄膜厚度四氯化钛处理散射层

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新型磁性二维材料Fe_3GeTe_2及其室温磁性调控

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物理 2019年第2期48卷 88-90页

作者：邓雨君於逸骏张远波复旦大学物理系表面物理国家重点实验室上海200433

现代微电子器件的发展,很大程度上依赖于工艺与材料的突破,其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究,已经使自旋电子学领域有了革命性的进展。为了获得具有广泛应用前景且更高性能的电子学器件,对于新型的磁性薄膜材料的研究是非常重要的课... 详细信息

现代微电子器件的发展,很大程度上依赖于工艺与材料的突破,其中特别是对磁性薄膜材料的基础研究,已经使自旋电子学领域有了革命性的进展。为了获得具有广泛应用前景且更高性能的电子学器件,对于新型的磁性薄膜材料的研究是非常重要的课题。传统的磁性薄膜材料[1,2]可通过分子束外延法制备,它们的磁性往往受限于特定的生长衬底,均匀的大面积薄膜的生长也极具挑战性。

关键词：二维材料磁转变温度 Fe3GeTe2

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维生素A含量测定方法比较

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食品工业 2012年第7期33卷 157-159页

作者：朱晨周鲁卫复旦大学物理系表面物理国家重点实验室上海200433

维生素A作为一种人体必需营养素,其含量测定是保健食品及药物的重要质量指标。通过比较正相、反相高效液相色谱法、紫外三种维生素A的测定方法,探索三种测量方法的差异,试验结果表明:正相高效液相色谱方法作为2010版药典规定的维生素A... 详细信息

维生素A作为一种人体必需营养素,其含量测定是保健食品及药物的重要质量指标。通过比较正相、反相高效液相色谱法、紫外三种维生素A的测定方法,探索三种测量方法的差异,试验结果表明:正相高效液相色谱方法作为2010版药典规定的维生素A含量测定标准方法,具有灵敏度高,分离度大等优点,能够很好的分离顺反式的维生素A,适合精密的维生素A含量测定。UV三点校正法操作简单易行,但不能够区分维生素A的顺反式。试验结果可为维生素A及相关保健食品及药物质量控制提供一定的依据。

关键词：维生素A UV三点校正法反相高效液相色谱法正相高效液相色谱法测定

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铒铥共掺氧化锌薄膜近红外宽带发射及变温行为的研究

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物理学报 2015年第4期64卷 302-308页

作者：陈丹丹徐飞曹汝楠蒋最敏马忠权杨洁杜汇伟洪峰上海大学理学院物理系索朗光伏材料与器件R&D联合实验室分析测试中心上海200444 复旦大学应用表面物理国家重点实验室微纳光子结构教育部重点实验室先进材料实验室上海200433

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),16... 详细信息

采用磁控共溅射技术制备了铒铥共掺杂氧化锌发光薄膜.通过优化退火温度,实现了薄膜的近红外平坦宽带发射,总带宽可达到～500 nm,覆盖了光通信S+C+L+U区波段.此发射带由Er3+的1535 nm(4I13/2→4I15/2)发射峰及Tm3+的1460 nm(3H4→3F4),1640 nm(1G4→3F2),1740 nm(3F4→3H6)发射峰组成.研究表明:退火温度低于800°C时,没有观察到薄膜样品明显的光致发光现象;随着退火温度从800°C升高到1000°C,I1640/I1535发射峰强度比从0.2升高到0.3,I1740/I1535发射峰强度比从0.5降低到0.4,发射峰强度比均基本保持稳定;当退火温度高于1000°C时,I1640/I1535发射峰强度比从0.3升高到0.6,I1740/I1535发射峰强度比从0.4升高到0.8,发射峰强度比均急剧增加.变温行为表明:随着温度从10 K逐渐升高到300 K,谱线的总带宽基本不变,在340—360 nm之间;Tm3+在1640和1740 nm处的发射峰强度分别降低了2/3和1/2,Er3+在1535 nm的发射峰强度增大了1.2倍.这是因为随着温度的升高,声子数目增多,Er3+与Tm3+离子之间发生能量传递的概率不断变大,并且在Tm3+离子之间没有发生交叉弛豫现象.

关键词：稀土掺杂氧化锌薄膜近红外宽带发光退火处理

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分子束外延生长SiGe合金中位错密度的研究

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物理实验 2003年第2期23卷 43-47页

作者：林俊陈岳瑞胡际璜张翔九复旦大学物理系上海200433 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现 ,不同尺寸的掩膜窗内生长的 Si Ge外延层中的位错密度在整个外延层中从 Si Ge/Si界面到 Si Ge外延层表面由少到多 ,再由多到少明显地分成 3个区 .无掩膜窗限制的大面积区内的 Si Ge层则... 详细信息

Schimmel腐蚀液腐蚀结合高倍光学显微镜观察发现 ,不同尺寸的掩膜窗内生长的 Si Ge外延层中的位错密度在整个外延层中从 Si Ge/Si界面到 Si Ge外延层表面由少到多 ,再由多到少明显地分成 3个区 .无掩膜窗限制的大面积区内的 Si Ge层则只呈现 2个区 .掩膜材料与掩膜窗尺寸不同 ,这 3个区的位错密度也不同 .掩膜形成过程中产生的应力对衬底晶格的影响 ,以及掩膜边界对衬底与外延层的影响是造成这种不同的根本原因 .

关键词：分子束外延生长 SiGe合金应变弛豫边界效应位错密度掩膜应力衬底晶格薄膜分析

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