检索结果-内蒙古大学图书馆

Journal of Semiconductors 1991年第7期12卷 448-451页

作者：张树霖金鹰秦国刚盛篪周国良周铁成北京大学物理系北京100871 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间... 详细信息

用喇曼光谱研究了Ge_xSi_(1-x)/Si(x=0.5)应变层超晶格的折迭纵声学声子.在Ge_xSi_(1-x)和Si的层厚分别为50和250A的样品中,我们首次观察到了多达9级的折迭纵声学声子模.与理论计算比较,鉴认了不同波矢值的声学声子模.理论与实验结果间符合得相当的好.它表明 Rytov模型对长周期 Ge_xSi_(1-x)/Si 超晶格可以较好地得到应用.

关键词： GeSi/Si 应变层超晶格声学声子

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Zn_(1-x)Mg_xSe外延合金薄膜的结构研究

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Journal of Semiconductors 1997年第12期18卷 881-887页

作者：魏彦锋黄大鸣王东红靳彩霞王杰沈孝良复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，... 详细信息

用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长了Zn1-xMgxSe三元合金薄膜（0≤x≤1），用X-射线衍射和喇曼散射谱7研究了薄膜的结构，发现对x较小的样品，合金层为单一的（100）面闪锌矿结构，（111）面的含量可以忽略．对x≈0．5的样品，合金层中（100）和（111）面的闪锌矿结构共存，两种结构呈现不同的组分，且（111）结构的x值总是小于（100）结构．对x＝1的样品，外延层呈现单一的（100）氯化钠结构．对不同结构和含量所作的定量分析表明，（111）面闪锌矿结构可能是Zn1-xMgxSe合金从（100）面闪锌矿结构向（100）面氯化钠结构转变的中间相．

关键词：分子束延法外延生长三元合金薄膜半导体材料

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应变层超晶格Zn_(1-x)Cd_xSe/ZnSe和ZnSe/ZnS_xSe_(1-x)光致发光谱

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Journal of Semiconductors 1998年第11期19卷 818-823页

作者：史向华柯练靳彩霞魏彦峰凌震俞根才王杰复旦大学应用表面物理国家重点实验室长沙电力学院物理系

本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献... 详细信息

本文报道了分子束外延生长的应变层超晶格Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ和ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．８８的光致发光谱．分析了影响激子线型展宽的主要因素．定量表征了４．４Ｋ下合金涨落和阱厚涨落对线型展宽的贡献．理论分析表明，在低温（４．４Ｋ）下，合金涨落和阱宽涨落对线型展宽起主导作用．对比结果显示，Ｚｎ０．７７Ｃｄ０．２３Ｓｅ／ＺｎＳｅ超晶格的合金涨落和阱宽涨落对线型展宽的贡献大于ＺｎＳｅ／ＺｎＳ０．１２Ｓｅ０．

关键词：应变层超晶格光致发光谱外延生长半导体生长

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S钝化GaAs(100)衬底上分子束外延ZnSe薄膜的喇曼光谱研究

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Journal of Semiconductors 1998年第3期19卷 166-171页

作者：史向华靳彩霞凌震俞根才王杰侯晓远长沙电力学院物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室

用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比... 详细信息

用分子束外延法（ＭＢＥ）分别在经（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液和Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＺｎＳｅ薄膜．用室温喇曼光谱对不同处理方法的ＧａＡｓ上所长ＺｎＳｅ薄膜的晶体质量和ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面进行对比研究．用喇曼散射的空间相关模型定量分析了一级喇曼散射的空间相关长度与晶体质量间的关系．根据ＧａＡｓ的ＬＯ－等离子激元耦合模喇曼散射强度的变化，分析了不同Ｓ钝化方法对ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ界面以及ＺｎＳｅ薄膜质量的影响．结果表明，Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ样品具有较低的界面态密度和较好的晶体质量，因此Ｓ２Ｃｌ２溶液钝化的效果明显优于（ＮＨ４）２Ｓｘ溶液．

关键词：分子速外延硒化锌砷化镓衬底

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几何相位电磁超表面：从原理到应用

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激光与光电子学进展 2019年第20期56卷 105-125页

作者：胡中徐涛汤蓉郭会杰肖诗逸上海大学特种光纤与光接入网重点实验室上海200444 复旦大学物理学系应用表面物理国家重点实验室上海200433

从电磁相位的产生机理角度,电磁超表面可分为利用微结构共振响应的共振相位超表面和利用微结构各向异性响应的几何相位超表面。同共振相位超表面相比,几何相位超表面因为具有非色散、偏振依赖、易于制备等特点,因而受到广泛关注。综述... 详细信息

从电磁相位的产生机理角度,电磁超表面可分为利用微结构共振响应的共振相位超表面和利用微结构各向异性响应的几何相位超表面。同共振相位超表面相比,几何相位超表面因为具有非色散、偏振依赖、易于制备等特点,因而受到广泛关注。综述了利用几何相位超表面来自由调控电磁波的原理和方法,重点讲述电磁波远场和近场的一系列调控现象并介绍这些现象在全息成像、特殊光束激发和探测、平面消色差透镜等方面的具体应用。

关键词：表面光学超材料超表面几何相位表面等离激元波束设计全息成像

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衬底温度对热壁外延ZnSe薄膜质量的影响

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物理学报 1992年第8期41卷 1308-1314页

作者：吕宏强王杰沈军刘咏王迅王昌平王建宝李晨沈孝良复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 复旦大学物理系上海200433 复旦大学分析测试中心上海200433

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出... 详细信息

用热壁外延法在不同衬底温度条件下生长一系列ZnSe薄膜,并通过X射线衍射、喇曼散射以及光致发光技术对ZnSe薄膜质量作了研究。实验结果表明,随着衬底温度下降,ZnSe薄膜质量逐渐变差;当衬底温度低于300℃时,(100)ZnSe薄膜中有(111)孪晶出现;但同时发现衬底温度大于375℃时,衬底Ga原子对ZnSe外延层扩散严重。

关键词：硒化锌薄膜热壁外延法衬底温度

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GaAs表面钝化的新方法：S_2Cl_2处理

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Journal of Semiconductors 1994年第7期15卷 505-510页

作者：李喆深蔡卫中苏润洲侯晓远董国胜金晓峰丁训民王迅复旦大学应用表面物理国家重点实验室复旦大学李政道物理综合实验室东北林业大学物理系

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇ... 详细信息

本文用光致发光谱（ＰＬ）结合俄欧电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），首次研究了Ｓ２Ｃｌ２钝化的ＧａＡｓ（１００）表面．结果表明，ＰＬ强度较钝化前样品提高了将近两个数量级．钝化后的表面ＡＥＳ谱显示含有Ｓ，Ｇａ，ＡＳ，Ｃ和少量Ｃｌ原子而不含Ｏ原子．ＸＰＳ谱说明Ｓ原子和Ｇａ、Ａｓ原子都成键．与（ＮＨ４）２Ｓ处理的比较结果显示，几秒钟的．Ｓ２Ｃｌ２处理即可达到或超过几十分钟（ＮＨ４）２Ｓ处理的钝化效果．

关键词：砷化镓钝化氯化硫处理

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一种新的半导体材料和器件结构:COS

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物理 2002年第11期31卷 702-707页

作者：阎志军王迅兰州大学物理系兰州730000 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长... 详细信息

国际半导体技术发展进程表预期器件的特征尺寸不久将减小到 0 1μm以下 ,SiO2 作为MOS器件栅介质遇到不可克服的困难 .人们在寻找新的栅介质材料时 ,提出了一种新的结构 ,称为半导体上的晶态氧化物 (COS) .最近 ,COS被用作Si衬底上生长GaAs的过渡层 ,成为半导体材料和器件发展中一项新的突破 .

关键词：半导体材料器件结构 COS 晶态氧化物 MOS晶体管硅基集成半导体器件

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NH_3在Cu及其氧化表面物理吸附的光声振动谱研究

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物理学报 1992年第7期41卷 1119-1124页

作者：胡长武俞立民徐颖朱昂如王兆永复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 香港浸会学院物理系

本工作采用激光光声谱对85K多晶Cu表面上NH_3分子的物理吸附进行了研究。通过监测NH_3分子伞形振动模(ν_2),发现在清洁和预吸附O的Cu表面上,相同物理吸附态NH_3分子振动谱的峰位频率和峰的半高宽度(FWHM)随覆盖度表现出不同的变化规律... 详细信息

本工作采用激光光声谱对85K多晶Cu表面上NH_3分子的物理吸附进行了研究。通过监测NH_3分子伞形振动模(ν_2),发现在清洁和预吸附O的Cu表面上,相同物理吸附态NH_3分子振动谱的峰位频率和峰的半高宽度(FWHM)随覆盖度表现出不同的变化规律,对应着不同的物理吸附机理。实验结果同时表明高分辨率的光声谱在研究弱吸附体系细致结构和细微作用方面的潜力。

关键词：铜表面氨分子物理吸附光声谱

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复杂氧化物中电子相分离的量子调控

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物理学报 2018年第22期67卷 111-124页

作者：王文彬朱银燕殷立峰沈健复旦大学微纳电子器件与量子计算机研究院上海200433 应用表面物理国家重点实验室复旦大学物理系上海200433 人工微结构科学与技术协同创新中心南京210093

复杂氧化物可以呈现出高温超导、庞磁阻以及多铁效应等诸多新奇的物理现象.这类材料中的电荷/自旋/轨道和晶格自由度之间的强耦合相互作用,可以导致多种相互竞争且能量非常接近的电子态的空间共存,这就是电子相分离现象.如果可以将材料... 详细信息

复杂氧化物可以呈现出高温超导、庞磁阻以及多铁效应等诸多新奇的物理现象.这类材料中的电荷/自旋/轨道和晶格自由度之间的强耦合相互作用,可以导致多种相互竞争且能量非常接近的电子态的空间共存,这就是电子相分离现象.如果可以将材料的空间尺寸缩小到电子相分离的特征长度,其物理性质甚至电子关联作用本身都会发生根本的变化,从而有可能实现复杂氧化物中的量子调控.本文综述了我们课题组在过去几年中针对复杂氧化物中电子相分离的量子调控取得的进展,内容包括:发现了锰氧化物边缘电子态,通过氧化物微纳加工技术,实现了量子态空间分布的调控,提高了庞磁阻锰氧化物的临界温度;研究了当材料空间尺度小于其电子相分离特征尺度时电子相分离的表现,确定了在电子相分离消失以后体系的磁结构;通过超晶格生长技术调控了材料中的掺杂有序度,对锰氧化物中大尺度的电子相分离的物理机理从实验上给出了解释.

关键词：复杂氧化物电子相分离量子调控自旋电子器件

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