检索结果-内蒙古大学图书馆

光散射学报 1997年第2期9卷 209-211页

作者：黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

ＳｉＧｅ／Ｓｉ多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃＰｈｏｎｏｎｓｉｎＭｕｌｔｉｐ... 详细信息

ＳｉＧｅ／Ｓｉ多重超晶格的声学声子光散射谱黄大鸣刘晓晗王兴军朱海军蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＬｉｇｈｔＳｃａｔｅｒｉｎｇｆｒｏｍＡｃｏｕｓｔｉｃＰｈｏｎｏｎｓｉｎＭｕｌｔｉｐｌｅＳｉＧｅ／ＳｉＳｕｐｅｒｌａｔ...

关键词：硅铕/硅超晶格声学声子光散射谱

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SiGe／Si应变层超晶格的结构和光散射特性

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光散射学报 1996年第2期8卷 63-81页

作者：黄大鸣刘晓晗蒋最敏张翔九复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下，原子互扩散导致异质界面展宽；同时，由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明，利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。（１）我们... 详细信息

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格是一种亚稳态结构。在高温下，原子互扩散导致异质界面展宽；同时，由晶格失配引起的应变会发生弛豫。这两种现象都将导致超晶格结构的变化。本文证明，利用拉曼散射光谱可以定量地反映这一变化。（１）我们首先把界面陡峭超晶格中折叠纵声学（ＦＬＡ）声子的色散关系和散射强度的理论计算推广到界面展宽的情形。然后，我们分析了测量得到的在不同温度下退火的超晶格样品的ＦＬＡ声子散射谱。通过测量谱和计算结果的比较，得到了不同退火温度下异质界面的展宽或扩散长度。我们也从理论上证实并且在实验上观察到：ＬＦＡ声子在超晶格布里渊区边界的能带分裂随异质界面的展宽而减小。（２）我们定量地分析了ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格中光学声子的散射谱随退火温度的变化。考虑到原子互扩散引起的合金组份变化以及应变弛豫两大因素，我们发现，对上述合金型ＳｉＧｅ／Ｓｉ超晶格，在８００℃下退火１０分钟，超晶格中由于原子互扩散引起的界面展宽是非常严重的。相比之下，晶格弛豫的大小与材料的生长条件有关。对较低温度（４００℃）下生长的超晶格，晶格弛豫量并不大，仅为１６％。这一结果也得到了Ｘ－射线衍射谱的支持。

关键词： SiGe/Si超晶格拉曼散射结构稳定性

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Zn_（1－x）Mg_xS_ySe_（1－y）四元半导体合金的拉曼散射光谱研究

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光散射学报 1996年第1期8卷 1-5页

作者：王东红黄大鸣靳彩霞刘晓晗凌震王杰复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做... 详细信息

用分子束外延方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了Ｚｎ１－ｘＭｇｘＳｙＳｅ１－ｙ四元半导体合金薄膜．用Ｘ－射线衍射方法确定了外延层的结构和晶格常数．测量了这些样品在平行和垂直两种不同几何配置下的拉曼散射光谱并对其特性做了研究。从实验上观察到了四类不同的晶格振动模：类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模以及类ＺｎＳ和类ＭｇＳ的ＬＯ模，实验发现：在ＺｎＳｅ和ＺｎＳＳｅ中加入Ｍｇ使得类ＺｎＳｅ的ＴＯ和ＬＯ模的振动频率下降；同时，也使类ＺｎＳ模的频率随Ｓ的增加率减小。

关键词：四元半导体合金拉曼散射光谱 ZnMgSSe 分子束外延

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Mn/GaAs(100)界面电子结构的同步辐射光电子能谱研究

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物理学报 1995年第1期44卷 145-151页

作者：陈艳董国胜张明金晓峰陆尔东潘海斌徐彭寿张新夷范朝阳复旦大学李政道物理学综合实验室和应用表面物理国家重点实验室上海200433 中国科学技术大学国家同步辐射实验室合肥230026 浙江大学物理系杭州310027

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<... 详细信息

利用同步辐射光电子能谱,研究了室温下在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜的电子结构.实验发现,在θ<2ML的覆盖度下,Mn3d电子的能量态密度分布与体金属α-Mn差别很大;当θ>2ML之后,便逐步接近α-Mn的体电子结构.这一结果可由Mn3d电子的自旋向上带和自旋向下带的交换分裂很好地解释.由此推断,当覆盖度θ<2ML时,在GaAs(100)表面上淀积的Mn的超薄膜具有磁有序结构.

关键词： Mn/GaAs(100) 界面电子结构光电子能谱

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SiGe／Si应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究

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光散射学报 1995年第2期7卷 113-114页

作者：刘晓晗黄大鸣蒋最敏复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究刘晓晗，黄大鸣，蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｔａｂｉｌｉｔｙｏｆＳｕＧＥ... 详细信息

ＳｉＧｅ／Ｓｉ应变层超晶格异质界面热稳定性的光散射研究刘晓晗，黄大鸣，蒋最敏（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＩｎｔｅｒｆａｃｅＳｔａｂｉｌｉｔｙｏｆＳｕＧＥ／ＳｉＬａｙｅｒＳｕｐｅｒｌａｔｔ...

关键词： SiGe/Si 应变层超晶格异质界面热稳定性光散射半导体硅衬底锗化硅散射光谱

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外延Zn_（1－x）Mg_xSe半导体合金的拉曼散射谱研究

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光散射学报 1995年第2期7卷 96-96,98页

作者：黄大鸣王杰刘晓晗王东红靳彩霞郑玉祥复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

外延Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＺｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ... 详细信息

外延Ｚｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅ半导体合金的拉曼散射谱研究黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥（复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室上海２００４３３）ＲａｍａｎＳｔｕｄｙｏｎＺｎ＿（１－ｘ）Ｍｇ＿ｘＳｅＡｌｌｏｙｓＥｐｉｔａｘｉａｌＧｒ...

关键词： Zn1-xMgxSe半导体合金拉曼散射谱半导体蓝绿激光锌镁硒化合物外延生长三元合金

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外延Zn1－xMgxSe半导体合金的拉曼散射谱研究

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光散射学报 1995年第Z1期 96+98-96+98页

作者：黄大鸣，王杰，刘晓晗，王东红，靳彩霞，郑玉祥复旦大学物理系和应用表面物理国家重点实验室

关键词：半导体合金表面物理复旦大学物理系 Zn Mg_xSe 拉曼散射谱禁带宽度国家重点实验室四元合金

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多孔硅的双峰光致发光谱与光发射机制

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科学通报 1995年第18期40卷 1644-1647页

作者：张树霖何国山黄福敏杨昌黎李经建刁鹏刘忠范蔡生民北京大学物理系北京100871 复旦大学应用表面物理国家重点实验室上海200433 北京大学化学系光电智能材料研究室北京100871

多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处理的多孔硅在低温下明显存在多峰光致发光谱,本文将报道室温下在后处理多孔硅中观察到的双峰光致发光谱,并讨... 详细信息

多孔硅的光致发光谱是多孔硅研究的极其重要的一个方面,除了早已广泛研究的单峰光致发光谱外,近来有人报道新制备的或经干氧处理的多孔硅在低温下明显存在多峰光致发光谱,本文将报道室温下在后处理多孔硅中观察到的双峰光致发光谱,并讨论后处理条件对光谱特征的影响,这种讨论对多孔硅可见光发射机制的探索提供了十分有价值的启示.多孔硅样品用电化学阳极氧化方法制备.样品衬底是P^-(100)单晶硅片。

关键词：多孔硅光致发光谱光发射机制

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碳纳米管激光等离子体的质谱研究

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物理化学学报 1994年第1期10卷 9-11页

作者：吕建中朱雷宋捷李郁芬黄丰黄荣彬郑兰荪三束材料改性国家重点实验室固体表面物理化学国家重点实验室固体表面物理化学国家重点实验室复旦大学物理系上海 200433 复旦大学物理系厦门大学化学系厦门 361005

自从1991年Iijima发现碳纳米管和1992年Ebbesen等提出大规模合成碳纳米管的制备方法以来,碳纳米管特殊的导电性能和机械性能正吸引着科学界广泛兴趣和研究,人们期望碳纳米管在高强度纤维材料、复合材料以及纳米电子器件等方面的广阔应... 详细信息

自从1991年Iijima发现碳纳米管和1992年Ebbesen等提出大规模合成碳纳米管的制备方法以来,碳纳米管特殊的导电性能和机械性能正吸引着科学界广泛兴趣和研究,人们期望碳纳米管在高强度纤维材料、复合材料以及纳米电子器件等方面的广阔应用前景。目前研究碳纳米管主要是用高分辨率透射电镜(TEM)对其及它的掺杂复合材料进行结构分析,尚未见用飞行时间质谱仪分析其在激光作用下产生的等离子体质谱的报导,本文尝试通过质谱分析对其结构特性作初步研究。实验在厦门大学化学系自制的飞行时间质谱仪上进行,所用脉冲激光是DCR-11调QYAG的基频与倍频输出,作用在样品表面的激光功率密度在10~8W·cm^(-2)左右,碳纳米管样品在复旦大学物理系石墨电弧放电制备富勒烯的装置上制得。

关键词：碳纳米管富勒烯激光等离子体

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快速退火后重掺硼的分子束外延层的电学特性

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物理学报 1994年第7期43卷 1137-1143页

作者：袁健陆昉孙恒慧卫星杨敏黄大鸣徐宏来沈鸿烈邹世昌复旦大学李政道物理学综合实验室和物理系复旦大学应用表面物理国家重点实验室中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡... 详细信息

对快速退火后用共蒸发Ｂ＿２Ｏ＿３方法实现重掺杂硼的硅分子束外延层的电学特性进行了研究．１１００℃退火可以使得外延层中载流子浓度提高４倍，空穴的霍耳迁移率与相同浓度下硅体材料的水平相当；外延层与衬底之间载流子浓度转变陡峭，获得了晶体质量良好的外延层．

关键词：分子束外延快速退火电学性质

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