检索结果-内蒙古大学图书馆

核技术 2000年第2期23卷 94-100页

作者：张卫东裘元勋孙传琛贺勉鸿复旦大学现代物理研究所应用离子束核物理实验室上海200433

利用复旦大学现有的串列静电加速器（ＮＥＣ９ＳＤＨ—２）获得了能量为１—４ＭｅＶ的硼、碳、硅及金等小型高能团簇离子束：Ｂｎ＋（ｎ＝２）、Ｃｎ＋（ｎ＜１０）、Ｓｉｎ＋（ｎ＝２，３，４）以及Ａｕｎ＋（ｎ＝２）；束流强度与团... 详细信息

利用复旦大学现有的串列静电加速器（ＮＥＣ９ＳＤＨ—２）获得了能量为１—４ＭｅＶ的硼、碳、硅及金等小型高能团簇离子束：Ｂｎ＋（ｎ＝２）、Ｃｎ＋（ｎ＜１０）、Ｓｉｎ＋（ｎ＝２，３，４）以及Ａｕｎ＋（ｎ＝２）；束流强度与团簇的种类和所含的原子数有关，为０．１—１００ｎＡ量级。注入加速器的低能团簇负离子由铯溅射离子源（ＳＮＩＣＩＩ）产生，高能团簇正离子的质量鉴别用磁分析器完成。高能碳团簇负离子Ｃ８－在与剥离气体分子Ｎ２碰撞过程中形成的团簇碎片质量谱显示出与碳团簇结构有关的奇偶效应。

关键词：碳团簇串列静电加速器 MeV高能团簇离子束

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直流磁控溅射法制备含氦铝膜

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原子能科学技术 2006年第3期40卷 372-376页

作者：贾建平施立群赖新春王庆富表面物理与化学国家重点实验室四川绵阳621907 复旦大学现代物理研究所应用离子束物理实验室上海200433

采用氦氩混合气氛下直流磁控溅射沉积方法制备含有氦原子的金属铝膜。经碳原子弹性前冲散射分析(C-ERDA),薄膜中氦原子浓度可达约7%,且分布均匀。实验研究了薄膜中的氦含量与溅射真空室气氛中氦的相对含量、基底偏压及沉积温度间的关系... 详细信息

采用氦氩混合气氛下直流磁控溅射沉积方法制备含有氦原子的金属铝膜。经碳原子弹性前冲散射分析(C-ERDA),薄膜中氦原子浓度可达约7%,且分布均匀。实验研究了薄膜中的氦含量与溅射真空室气氛中氦的相对含量、基底偏压及沉积温度间的关系。薄膜的X射线衍射分析结果显示:膜中的氦含量变化并未引起明显的峰位移,只是随氦含量增加谱峰宽化。热释放实验证实,氦在薄膜中稳定存在,约500℃以上时方出现氦的释放。

关键词：磁控溅射氦弹性前冲散射分析 X射线衍射热释放谱

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负离子光致脱附实验中基于飞行时间法的电子谱仪的研制

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原子与分子物理学报 2004年第B4期21卷 348-350页

作者：黄永义张雪梅陆福全杨福家复旦大学现代物理研究所应用离子束物理实验室上海200433

负离子光致脱附电子谱的研究是目前国际上比较热门的课题。在本文中将介绍基于飞行时间法的电子能谱仪的研制工作。基于此谱仪的特点 ,配合合适的电场 ,可以转换成为探测立体角为 4π的电子动量谱仪。

关键词：负离子光致脱附基于时间法的电子谱仪

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氘在碳钨共沉积层中的滞留行为研究

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物理学报 2013年第19期62卷 328-333页

作者：张文钊唐兴华李嘉庆施立群复旦大学现代物理研究所应用离子束物理教育部重点实验室上海200433 复旦大学核科学与技术系上海200433

运用射频磁控溅射方法,在氘氩混合气氛中制备了含氘碳钨共沉积薄膜.利用离子束分析方法[卢瑟福背散射(RBS)和弹性反冲(ERD)]对薄膜样品的厚度、成分、氘含量等进行了分析;利用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM),分别分析了薄膜的结构和表... 详细信息

运用射频磁控溅射方法,在氘氩混合气氛中制备了含氘碳钨共沉积薄膜.利用离子束分析方法[卢瑟福背散射(RBS)和弹性反冲(ERD)]对薄膜样品的厚度、成分、氘含量等进行了分析;利用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM),分别分析了薄膜的结构和表面形态.离子束分析发现,氘原子更易被碳原子俘获位俘获,并且氘含量会随着沉积温度的升高而降低;其他镀膜条件固定的情况下,不同混合气体压强下薄膜样品中的氘浓度在5.0 Pa处有一个峰值;拉曼光谱分析显示,沉积温度从室温升高到725 K时,碳钨共沉积层中的类石墨化成分增加,同时,非晶化的程度也加剧;扫描电子显微镜图像表明,随着温度的升高薄膜表面被腐蚀的痕迹消失,但是由于应力的改变表面出现了多处的凸起.

关键词：氘滞留碳钨共沉积射频磁控溅射

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吸气剂材料的吸氢动力学理论

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原子能科学技术 2004年第5期38卷 399-404页

作者：刘超卓施立群徐世林罗顺忠龙兴贵周筑颖复旦大学现代物理研究所应用离子束物理实验室上海200433 中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900

以非蒸散型吸气剂材料为研究对象,提出了一种吸氢动力学的基本模型。氢的吸入过程将由表面吸附、表层渗透和体内扩散3步组成。通常情况下,必须对它们的动力学方程同时求解。在氢通过化学解离吸附进入体内(亚表面层)的吸入过程中,表面势... 详细信息

以非蒸散型吸气剂材料为研究对象,提出了一种吸氢动力学的基本模型。氢的吸入过程将由表面吸附、表层渗透和体内扩散3步组成。通常情况下,必须对它们的动力学方程同时求解。在氢通过化学解离吸附进入体内(亚表面层)的吸入过程中,表面势垒对氢从表面渗透至体内的障碍作用不可忽略。在低的体氢浓度条件下,采用晶格气体模型描述体扩散过程,并讨论了影响吸气速率的因素。

关键词：力学理论度条件解离吸附扩散过程吸气速率吸气剂求解体内吸入体模

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第三讲激光在真空中加速电子

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物理 2007年第1期36卷 32-38页

作者：王平晓孔青霍裕昆复旦大学现代物理研究所应用粒子束物理实验室上海200433

文章简要回顾了真空中激光加速电子的研究进展,着重介绍了真空俘获加速电子的动力学特点和物理机制.出现俘获加速(captureandaccelerationscenario,CAS)的经典物理机制是聚焦激光束的衍射效应导致光波沿俘获电子轨迹的有效相速度减慢,... 详细信息

文章简要回顾了真空中激光加速电子的研究进展,着重介绍了真空俘获加速电子的动力学特点和物理机制.出现俘获加速(captureandaccelerationscenario,CAS)的经典物理机制是聚焦激光束的衍射效应导致光波沿俘获电子轨迹的有效相速度减慢,以致电子有可能被长时间俘获在加速相位中并从激光场获得足够多的能量.CAS出现需要的入射动量的相空间不小,而且在实验上可以达到.此外,最佳入射动能对激光强度并不敏感,在小角入射时大约在10—20MeV.研究发现,CAS出现需要的激光场强相当高,电子获得的能量在电子进入CAS通道时急剧上升.此外文章还介绍了有质动力加速模型的特点和机制、附加磁场的加速机制.

关键词：激光加速强激光有质动力

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多层膜样品的背散射/沟道、溅射剥层/背散射和二次离子质谱分析

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复旦学报（自然科学版） 2002年第2期41卷 140-144页

作者：赵国庆姜蕾宋玲根杨宇孙耀德周筑颖复旦大学现代物理研究所应用离子束物理实验室上海200433 复旦大学材料科学系国家微分析中心上海200433 云南大学物理系昆明650091

用背散射 /沟道、溅射剥层 /背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜 .由 2MeV 4He+ 离子背散射 /沟道分析 ,确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性 ;用低能Ar+ 离子溅射剥层 ,减薄样品外延层厚... 详细信息

用背散射 /沟道、溅射剥层 /背散射和二次离子质谱方法分析了分子束外延生长的Si/GexSi1-x多层膜 .由 2MeV 4He+ 离子背散射 /沟道分析 ,确定了外延生长薄膜的厚度、组分和晶格结构的完美性 ;用低能Ar+ 离子溅射剥层 ,减薄样品外延层厚度后 ,再做背散射分析 ,可获得有关较深层薄膜与基体界面和溅射剥层的信息 ;

关键词：多层膜背散射沟道溅射剥层二次离子质谱分析

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负离子与气体碰撞单电子脱附的实验研究

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原子与分子物理学报 2004年第B4期21卷 187-188页

作者：黎光武张雪梅陆福全杨福家中国原子能科学研究院核物理研究所复旦大学现代物理研究所应用离子束实验室上海200433

本文主要介绍我们在负离子与气体碰撞单电子脱附实验研究中采用的方法和装置。该实验利用增长率测量法 ,由于实验测量中采用同一个粒子探测器对入射束和产生的中性粒子进行测量 ,大大降低了实验误差。实验系统由铯溅射负离子源、同位素... 详细信息

本文主要介绍我们在负离子与气体碰撞单电子脱附实验研究中采用的方法和装置。该实验利用增长率测量法 ,由于实验测量中采用同一个粒子探测器对入射束和产生的中性粒子进行测量 ,大大降低了实验误差。实验系统由铯溅射负离子源、同位素分离器、反应靶室和粒子探测器组成。负离子的能量范围为5～ 30keV ,实验结果的不确定度约为± 8%。

关键词：负离子单电子脱附增长率方法

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Ag^-与He原子碰撞的单电子脱附截面的实验研究

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强激光与粒子束 2001年第6期13卷 766-768页

作者：黎光武金正宇张雪梅吴师民贺勉鸿陆福全彭先觉杨福家复旦大学现代物理研究所应用离子束物理实验室上海200433 中国工程物理研究院核物理与化学研究所四川绵阳621900 中国工程物理研究院

对 Ag-与 He原子碰撞的单电子脱附过程进行了实验研究 ,使用增长率方法在 5～1 0 ke V能量范围内对脱附截面进行了测量 ,得到在 2 0 ke V时的典型值为 6.6× 1 0 -16cm2 。实验结果的不确定度约为 8%

关键词：电子脱附银负离子增长率方法 He原子氦原子碰撞脱附截面

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上海电子束离子阱低温超导磁体系统的研制

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核技术 2006年第3期29卷 169-173页

作者：王纳秀陈永林阎和平蒋迪奎朱希恺郭盘林王福堂丁立人施锦李炜路迪邹亚明中国科学院上海应用物理研究所上海201800 中国科学院合肥等离子体研究所合肥230031 中国电子科技集团公司第16研究所合肥230043 复旦大学应用离子束物理实验室上海200433

介绍了上海电子束离子阱(Electronbeamiontrap,EBIT)装置低温超导磁体系统的研制过程和测试结果。超导磁体由一对上下布置的Helmholtz线圈组成,中心最大磁场强度可达5.3T,两线圈的峰值磁场偏差小于3×10-4T,在中心轴线上±10mm... 详细信息

介绍了上海电子束离子阱(Electronbeamiontrap,EBIT)装置低温超导磁体系统的研制过程和测试结果。超导磁体由一对上下布置的Helmholtz线圈组成,中心最大磁场强度可达5.3T,两线圈的峰值磁场偏差小于3×10-4T,在中心轴线上±10mm内磁场均匀度好于2×10-4,磁场衰减率在8h内小于1×10-4。低温系统采用双冷屏结构,通过二级G-M制冷机冷却冷屏来降低液氦的蒸发量。系统液氦灌注达到平衡后,液氦的平均蒸发量为1.1L/h,基本满足了用户的要求。

关键词：电子束离子阱超导磁体冷屏 G-M制冷机

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