检索结果-内蒙古大学图书馆

第四届全国设备维修与改造技术交流会

作者：李诚人西北工业大学304教研室

XK5040数控铣床是北京第一机床厂70年代出厂的硬件数控铣床。控制机为B1K211A约40块插件板。驱动系统为电液伺服系统,开环控制。目前国内此类机床的控制柜大多不能正常工作。根据船舶工业总公司874厂的要求,我们为该厂的一台XK5040进行... 详细信息

XK5040数控铣床是北京第一机床厂70年代出厂的硬件数控铣床。控制机为B1K211A约40块插件板。驱动系统为电液伺服系统,开环控制。目前国内此类机床的控制柜大多不能正常工作。根据船舶工业总公司874厂的要求,我们为该厂的一台XK5040进行改造。由于原控制机B1K211A已严重老化,备件无法解决,加上驱动系统的漏油、噪音等问题,决定采用全面改造方法,即用国产STD工业控制机取代原有的硬件控制器。用国产脉宽调速直流伺服系

关键词：数控铣床 XK5040 工业控制机光电编码器电液伺服系统直流伺服系统压保护直流伺服电机工业控制计算机

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氰基团修饰的苯腙类有机分子掺杂极化聚合膜光学非线性的研究

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光学学报 1999年第5期19卷 672-676页

作者：陶曲明侯占佳刘丽英陈杰徐雷王文澄李富铭叶明新复旦大学物理系三束材料改性国家重点实验室复旦大学材料科学系

采用实时测量光学二次谐波产生（ＳＨＧ）和吸收光谱的方法对苯腙类有机分子ＮＤＡ及一种新合成的经氰基团修饰的有机分子ＣＮＤＡ掺杂ＰＭＭＡ极化聚合膜的非线性光学性质进行了研究。实验中发现两种掺杂极化聚合膜的最佳电晕极化温度... 详细信息

采用实时测量光学二次谐波产生（ＳＨＧ）和吸收光谱的方法对苯腙类有机分子ＮＤＡ及一种新合成的经氰基团修饰的有机分子ＣＮＤＡ掺杂ＰＭＭＡ极化聚合膜的非线性光学性质进行了研究。实验中发现两种掺杂极化聚合膜的最佳电晕极化温度均低于它们的玻转温度，ＣＮＤＡ／ＰＭ－ＭＡ极化掺杂聚合膜的χ（２）较ＮＤＡ／ＰＭＭＡ极化聚合膜的大。结合极化前和极化后吸收峰强度的变化，得到ＣＮＤＡ分子的非线性极化率β约为１４６×１０－３０ｅｓｕ。在撤离极化场后。

关键词：二次谐波产生掺杂聚合膜苯腙类光学非线性

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发电厂金属检验数据库管理系统及网页制作

发电厂金属检验数据库管理系统及网页制作

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第三届计算机在焊接中的应用技术交流会

作者：杨永强方志明广州华南理工大学机电系 510641

本文在收集大量爆管案例的基础上,通过对锅炉管件的爆管事故案例及其设计、安装、运行、定期检测数据进行整理和综合分析,为电厂金属检验室建立包括爆管案例、检验报告、设备材料状态和完整性评定程序在内的数据库管理系统,并在电厂局... 详细信息

本文在收集大量爆管案例的基础上,通过对锅炉管件的爆管事故案例及其设计、安装、运行、定期检测数据进行整理和综合分析,为电厂金属检验室建立包括爆管案例、检验报告、设备材料状态和完整性评定程序在内的数据库管理系统,并在电厂局域网内建立金属检验网页,实现电厂对锅炉金属检验和安全运行的网络化管理,提高设备的安全性、可靠性,减少停机时间.金属检验数据管理系统已在某发电厂试运行,反应较好.

关键词：锅炉管件管件焊缝安全分析数据库系统

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Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术

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Journal of Semiconductors 1999年第2期20卷 172-176页

作者：陈峥汤庭鳌邹斯洵复旦大学电子工程系 ASIC和系统国家重点实验室

为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容，研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率，ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对... 详细信息

为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容，研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率，ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对ＰＺＴ及Ｔｉ进行ＲＩＥ的优化工艺条件．在不同的条件下得到对ＰＺＴ的刻蚀速率为２～７ｎｍ／ｍｉｎ；采用纯Ａｒ气体时Ｐｔ的刻蚀速率为２～６ｎｍ／ｍｉｎ；

关键词：铁电薄膜反应离子刻蚀 Sol-Gel法 PZT 铂/钛

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适用于低温和多种Ge分布的SiGeHBT电流增益模型

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固体电子学研究与进展 1999年第2期19卷 190-198页

作者：王大强阮刚薛乐川复旦大学电子工程系专用集成电路与系统国家重点实验室

在前人优秀工作的基础上，叙述了一个适用于低温和多种基区Ｇｅ组分分布的ＳｉＧｅ－ＨＢＴ电流增益的解析模型，详细推出了它的模型公式。该模型考虑了基区处于非平衡态下的载流子准弹道输运效应对集电极电流Ｊｃ和电流增益β的影响，... 详细信息

在前人优秀工作的基础上，叙述了一个适用于低温和多种基区Ｇｅ组分分布的ＳｉＧｅ－ＨＢＴ电流增益的解析模型，详细推出了它的模型公式。该模型考虑了基区处于非平衡态下的载流子准弹道输运效应对集电极电流Ｊｃ和电流增益β的影响，并考虑了ＳｉＧｅ材料迁移率及本征载流子浓度随温度的变化。解析模型的计算结果与数值模拟结果符合较好，证明了解析模型是可信的和有一定精度的。模型计算结果表明：均匀Ｇｅ分布、较低的发射区掺杂浓度和较宽的基区有利于ＳｉＧｅＨＢＴ在低温下具有较大的电流增益。

关键词：锗硅异质结双极晶体管电流增益 HBT

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非均匀掺杂增强型埋沟pMOSFET阈值电压的建模

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固体电子学研究与进展 1999年第2期19卷 62-69页

作者：阮刚专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学电子工程系

比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公式，比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算值... 详细信息

比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公式，比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算值和测量值，计算值和测量值的相对偏差＜１０％，表明文中提出的有关方法和模型是有一定精度的。计算结果也表明掺杂浓度和结深是影响阈值电压的两个主要参数。

关键词：埋沟金属氧化物硅场效应晶体管阈值电压器件建模

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IPSEc中密角管理协议的研究

IPSEC中密角管理协议的研究

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1999信息安全国际会议

作者：沈一平许勇吴国新东南大学计算机系网络开放实验室(南京)

因特网安全关联与密钥管理协议ISAKMP是在两个或多个主机之间可靠的建立安全关联和加密密钥的一个重要协议。首先介绍了它在用IPSEc构建的虚拟专用网VPN中的作为密钥管理的实现框架，然后详细分析了两个希望安全通信的系统之间如何使用I... 详细信息

因特网安全关联与密钥管理协议ISAKMP是在两个或多个主机之间可靠的建立安全关联和加密密钥的一个重要协议。首先介绍了它在用IPSEc构建的虚拟专用网VPN中的作为密钥管理的实现框架，然后详细分析了两个希望安全通信的系统之间如何使用ISAKMP/Oakley协议在第一阶段建立安全关联和交换密钥的过程。

关键词：密钥管理管理协议

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Voronoi图算法及其在混合电路的衬底耦合研究中的应用

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计算机辅助设计与图形学学报 1999年第2期11卷 139-142页

作者：蒋慧文胡俊梁峭岩黄均鼐复旦大学电子工程系CAD室

提出了对版图进行划分的Ｖｏｒｏｎｏｉ图的算法：将Ｖｏｒｏｎｏｉ图进行变换，通过扫描技术，从下到上对每个点与交点进行处理，从而形成变换后的Ｖｏｒｏｎｏｉ图，最后将此图转换为Ｖｏｒｏｎｏｉ图．在计算中，针对集成电路的物理... 详细信息

提出了对版图进行划分的Ｖｏｒｏｎｏｉ图的算法：将Ｖｏｒｏｎｏｉ图进行变换，通过扫描技术，从下到上对每个点与交点进行处理，从而形成变换后的Ｖｏｒｏｎｏｉ图，最后将此图转换为Ｖｏｒｏｎｏｉ图．在计算中，针对集成电路的物理特性，改进了阱区附近的Ｖ图的生成以及多个水平位置点和兼并问题．算法时间复杂度为Ｏ（ｎｌｏｇｎ），空间复杂度为Ｏ（ｎ）．

关键词： Voronoi图算法数模混合电路耦合数字电路

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Ⅱ-Ⅵ族稀磁半导体ZnTe/Zn_(1-x)Mn_xTe超晶格光学性质的研究

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红外与毫米波学报 1999年第2期18卷 113-119页

作者：李海涛陈辰嘉王学忠刘继周孙允希凌震王迅吕少哲孔祥贵北京大学物理系复旦大学应用表面物理实验室中国科学院激发态物理开放实验室

在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平... 详细信息

在１１Ｋ－８０Ｋ温度范围内研究了用ＭＢＥ生长的ＺｎＴｅ／Ｚｎ１－ｘＭｎｘＴｅ超晶格样品的光致发光光谱、光调制反射谱和拉曼散射谱．在考虑了样品中晶格失配所致的应力效应后对激子能级进行了理论计算，并讨论了导带偏移Ｑｃ和平均晶格常数的取值对计算结果的影响，还研究了ｘ值对轻、重空穴激子能级位置的影响．在拉曼散射实验结果中不仅观测到高阶声子（６阶）。

关键词：光致发光稀磁半导体超晶格光学性质锌碲

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一个有效的用于确定SRAM型FPGA容错布线中预留线的算法

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计算机辅助设计与图形学学报 1999年第4期11卷 328-331页

作者：徐健黄维康黄志军复旦大学电子工程系CAT室

在ＨａｎｃｈｅｋＦ等提出的对基于ＳＲＡＭ型ＦＰＧＡ的故障逻辑块进行容错的节点覆盖技术，及相应容错布线技术的基础上，提出了一个改进的容错布线线段预留量算法．新算法可以有效地消除ＨａｎｃｈｅｋＦ等方法中线段预留量的冗余部... 详细信息

在ＨａｎｃｈｅｋＦ等提出的对基于ＳＲＡＭ型ＦＰＧＡ的故障逻辑块进行容错的节点覆盖技术，及相应容错布线技术的基础上，提出了一个改进的容错布线线段预留量算法．新算法可以有效地消除ＨａｎｃｈｅｋＦ等方法中线段预留量的冗余部分．实验证明，新算法在容错布线中可以有效地减少线段预留量，优于以往文献提出的方法．

关键词：容错 FPGA 布线预留线算法 SRAM型

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