检索结果-内蒙古大学图书馆

利用不同偏振态入射光在银和铝表面上产生的光学二次谐波.本实验对这些金属的表面非线性极化源进行了研究.实验结果表明,Rudnick和Stern引入的、描述垂直于金属表面的面谐波电流的唯象参数“α”,应在-2和-7之间(倍频光波长为0.532μm).这与过去理论计算及实验测量值都有较大的不同;实验结果还表明,参数α值随入射角略有变化.本实验还首次验证了,衡量平行于金属表面的面谐波电流的唯象参数b≈-1的理论计算值.

关键词：金属表面二次谐波准象参数

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分子束外延生长Si/GaP珐()异质结的界面特性

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物理学报 1989年第8期38卷 1265-1270页

作者：邓容平蒋维栋孙恒慧复旦大学物理系

本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(Ⅲ)异质结的界面特性。采用c-V法测量Si/GaP(Ⅲ)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(Ⅲ)是一种弱整流结构。导带失... 详细信息

本文研究了分子束外延(MBE)生长的n-N型Si/GaP(Ⅲ)异质结的界面特性。采用c-V法测量Si/GaP(Ⅲ)异质结的表观载流子浓度分布n(x),从中导出了异质界面的导带失配值和界面电荷密度。实验结果表明,n-N型Si/GaP(Ⅲ)是一种弱整流结构。导带失配△E_c=0.10eV,界面电荷密度σ_i=8.8×10^(10)cm^(-2)。通过表现载流子浓度n(x)的理论计算曲线与实验曲线符合较好,说明了实验结果的可靠性。

关键词：半导体异质结硅磷化镓外延生长

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超晶格GaAs/(GaAl)As(100)和GaAs/Ge(100)的电子结构

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固体电子学研究与进展 1989年第1期9卷 83-91页

作者：沈丁立陆奋张开明复旦大学物理系

本文采用经验紧束缚方法,计算了第一类半导体超晶格(GaAs)_(nl)/(Ga_xAl_(1-x)As)_(n2)(100)和(GaAs_n/(Ge)_n(100)的电子结构。对于GaAs/(GaAl)As,得到了能带边随层数(n_1,n_2)变化的关系及带边电子态的空间分布,并得出能隙随n和组分x的变化(n_1=n_2=n≤10),结果与现有实验值和其它理论计算基本相符;对于GaAs/Ge,计算了GaAs和Ge等厚时,间接能隙随层数的变化,考察了(GaAs)_5/(Ge)_5(100)的能带结构。在两种超晶格中,本文都报道了界面态的存在,讨论了超晶格的准二维性质。

关键词：超晶格 GaAs/Ge GaAs/As 电子结构

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原子核与激光的相互作用(一)——激光引起的同质异能态衰变和γLaser

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高能物理与核物理 1989年第7期13卷 664-669页

作者：霍裕昆潘正瑛复旦大学物理二系

用参量化的方法推导了激光引起的原子核同质异能态共振跃迁的几率,并考虑了激光频率宽度的效应.进而研究了基于以下概念发展γ激光器的可能性:即用强的可见光激光将长寿命的同质异能素转换到能量上近似兼并的短寿命同质异能素,并使后者... 详细信息

用参量化的方法推导了激光引起的原子核同质异能态共振跃迁的几率,并考虑了激光频率宽度的效应.进而研究了基于以下概念发展γ激光器的可能性:即用强的可见光激光将长寿命的同质异能素转换到能量上近似兼并的短寿命同质异能素,并使后者达到粒子数反转.在分析了同质异能态的粒子占有数随时间变化的基础上,数值计算了这一途径所需要的激光强度.

关键词：原子核激光衰变同质异能态

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氢在金刚石表面的吸附

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Journal of Semiconductors 1989年第9期10卷 722-724页

作者：徐丹东叶令复旦大学物理系

运用集团模型和自洽EHT方法研究氢原子在金刚石表面的吸附.计算表明,氢在金刚石表面倾向于顶位吸附,且根据吸附后电子态的变化,可以对金刚石表面其禁带中是否存在本征表面态这一理论与实验的不一致给予一定的解释.

关键词：表面态金刚石氢悬挂键位能曲线

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择优生长的多晶硅压阻统计理论

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Journal of Semiconductors 1989年第9期10卷 693-701页

作者：赵甘鸣鲍敏杭复旦大学电子工程系

本文报道了计算择优生长的多晶硅压阻灵敏度的统计平均理论,由此得到了〈100〉、〈110〉〈111〉、〈211〉、〈311〉、〈331〉等低指数晶向择优生长的p型和n型多晶硅的平均晶粒压阻系数.将这些结果应用到具有多重择优晶向的多晶硅材料,... 详细信息

本文报道了计算择优生长的多晶硅压阻灵敏度的统计平均理论,由此得到了〈100〉、〈110〉〈111〉、〈211〉、〈311〉、〈331〉等低指数晶向择优生长的p型和n型多晶硅的平均晶粒压阻系数.将这些结果应用到具有多重择优晶向的多晶硅材料,经过计算可进一步得到多晶硅力敏电阻的灵敏度.对于制作在矩形膜中心区域的一系列多晶硅电阻,实验得到的结果与理论分析的结果符合得很好.这些结果为多晶硅压阻型压力传感器的设计提供了有效的手段.

关键词：硅传感器力敏电阻器灵敏度

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原子核与激光的相互作用(2)——激光增强的核共振中子宽度

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高能物理与核物理 1989年第9期13卷 856-859页

作者：霍裕昆潘正瑛复旦大学物理二系

本文研究强激光对中子-核辐射俘获反应过程的影响.已往有关这一问题的理论和实验研究中曾出现过巨大的分歧.从爱因斯坦有关光发射与吸收的一般理论出发,推导了计算激光增强的核共振中子宽度的普遍公式,其特点是用与模型无关的可测量表示... 详细信息

本文研究强激光对中子-核辐射俘获反应过程的影响.已往有关这一问题的理论和实验研究中曾出现过巨大的分歧.从爱因斯坦有关光发射与吸收的一般理论出发,推导了计算激光增强的核共振中子宽度的普遍公式,其特点是用与模型无关的可测量表示.对已发表的实验进行了理论分析,计算值与实验结果不矛盾.讨论了进一步观测激光-核反应效应的可能前景.

关键词：原子核激光核共振中子

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一个实验性的多媒介数据库模型系统

一个实验性的多媒介数据库模型系统

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第九届全国数据库学术会议

作者：胡晓峰国防科技大学

本文介绍了一个实验性的分布式多媒介数据库模型系统DMDB,讨论了它的多媒介文献结构、再现方法及用户接口方面的有关问题。

关键词：数据库模型多媒介分布式媒介信息用户接口实验性

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