检索结果-内蒙古大学图书馆

淮北师范大学学报（自然科学版） 2022年第4期43卷 60-64页

作者：张远张永兴张金锋牟福生淮北师范大学物理与电子信息学院安徽淮北235000 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂... 详细信息

文章对原子层淀积(ALD)Si掺杂ZnO(SZO)薄膜的结构、电学和光学性能进行研究.通过生长ZnO和SiO2叠层的方法得到不同硅(Si)掺杂浓度的SZO薄膜,XRD测量结果表明,SZO薄膜为多晶结构,AFM测量结果表明,掺杂后样品的表面粗糙度变小.随着Si掺杂浓度的提高,SZO薄膜的载流子浓度先增大后减小,电阻率不断增大. SZO薄膜的可见光透射率在85%之上,光致发光谱表面SZO薄膜的发光以紫外光为主. ALD生长的SZO薄膜可以通过调整Si浓度对其光电性能进行精确调控,在透明导电薄膜、薄膜晶体管、紫外发光和探测器件方面有巨大的应用潜力.

关键词： Si掺杂 ZnO薄膜原子层淀积透光率光致发光

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集成电路光刻机精密运动台控制方法综述

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长春工业大学学报 2022年第4期43卷 419-427页

作者：姜龙滨刘维珂杨晓峰复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中... 详细信息

集成电路的持续发展推动了信息技术的进步。步进扫描式光刻机是集成电路装备中技术难度最高、价格最昂贵的关键设备。其中,精密运动台是光刻机最为核心的子系统之一,高速、高加速和高精度的要求对控制方法的研究和应用提出了挑战。文中对集成电路光刻机中精密运动台的控制方法进行了综述。首先,介绍了面向光刻机工件台或掩模台单一运动台的前馈反馈复合控制方法;其次,介绍了工件台和掩模台的同步控制方法;最后,介绍了运动台的主动减振控制方法。

关键词：光刻机迭代学习控制扰动观测器同步控制主动减振控制

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金刚石薄膜三维卷曲微结构的制备及其光学微腔研究

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功能材料与器件学报 2022年第4期28卷 395-400页

作者：武楷博田子傲梅永丰复旦大学材料科学系上海200433 复旦大学智慧纳米机器人与纳米系统国际研究院上海200438 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海2000503 复旦大学光电研究院上海200438 复旦大学义乌研究院浙江322000

特征长度位于纳米至微米级尺度的三维(3D)微结构具有丰富而独特的性质与功能,成为了下一代微纳器件的重要组成部分。本文实现了通过应力工程将具有百纳米级厚度的纳米晶金刚石纳米薄膜卷曲构筑成微管、微环、微锯齿条带以及微弹簧等复... 详细信息

特征长度位于纳米至微米级尺度的三维(3D)微结构具有丰富而独特的性质与功能,成为了下一代微纳器件的重要组成部分。本文实现了通过应力工程将具有百纳米级厚度的纳米晶金刚石纳米薄膜卷曲构筑成微管、微环、微锯齿条带以及微弹簧等复杂三维微结构,观测到乙醇表面张力诱导金刚石纳米薄膜脱附衬底的现象。并且,本文研究了金刚石自卷曲微管的回音壁模式光谱特性及色心的腔耦合增强特性,通过精细结构设计实现了高阶谐振模式的有效调控。

关键词：金刚石自卷曲回音壁模式光学微腔

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一种新型纳米器件逻辑纠错专用集成电路架构

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半导体技术 2020年第2期45卷 116-121页

作者：窦怀阳薛晓勇冯洁上海交通大学薄膜与微细技术教育部重点实验室上海200240 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路(asic)架构FT-FPNI,这种架构适用于易出错的... 详细信息

新型纳米器件被视为摩尔定律极限临近情况下CMOS技术的有力补充。为克服新型纳米器件缺陷率高的问题,提出了一种基于现场可编程纳米线互连(FPNI)架构的具有自修正能力的纠错(FT)专用集成电路(asic)架构FT-FPNI,这种架构适用于易出错的纳米器件逻辑门电路。使用基于硬件描述语言的缺陷注入技术来仿真架构,仿真结果表明,这种架构可以100%检测缺陷和错误。为取得最小的纠错代价,需要保持尽可能小的单元阵列尺寸。Hspice软件仿真结果表明,碳纳米管或非(NOR)门输出延迟为2.89 ps,平均功耗为6.748 pW,与现有CMOS技术相比功耗降低2个数量级。

关键词：内嵌自修复(BISR) 现场可编程纳米线互连(FPNI) 纳米器件逻辑碳纳米管场效应管(CNTFET) 电路纠错

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印度洋偶极子研究进展回顾

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地球科学进展 2021年第6期36卷 579-591页

作者：姜继兰刘屹岷李建平张人禾中国科学院大气物理研究所大气科学和地球流体力学数值模拟国家重点实验室北京100029 中国科学院大学地球与行星科学学院北京100049 中国海洋大学深海圈层与地球系统前沿科学中心/物理海洋教育部重点实验室山东青岛266100 青岛海洋科学与技术国家实验室区域海洋动力学与数值模拟功能实验室山东青岛266237 复旦大学大气与海洋科学系/大气科学研究院上海200438

印度洋偶极子是热带印度洋中重要的年际变率之一,对印度洋周边国家乃至全球的气候有着重要的影响,关于其形成机制及气候影响的研究对于气候预测具有重要意义。主要回顾了近10年印度洋偶极子的相关研究进展,包括印度洋偶极子的基本特征... 详细信息

印度洋偶极子是热带印度洋中重要的年际变率之一,对印度洋周边国家乃至全球的气候有着重要的影响,关于其形成机制及气候影响的研究对于气候预测具有重要意义。主要回顾了近10年印度洋偶极子的相关研究进展,包括印度洋偶极子的基本特征、与热带太平洋中厄尔尼诺—南方涛动之间的关系、与亚洲夏季风之间的关系、对全球气候的影响以及全球变暖背景下的变化等。印度洋偶极子与热带太平洋中厄尔尼诺—南方涛动之间的关系体现为二者之间是相互影响的,但不同类型的印度洋偶极子对热带太平洋中厄尔尼诺—南方涛动的影响机制尚不明确,还需进一步的研究。印度洋偶极子与亚洲夏季风之间的关系体现为二者之间存在强烈的相互作用,印度洋偶极子与印度洋东部夏季风环流之间存在相互促进作用,而印度洋偶极子与印度夏季风环流之间的相互作用尚需进一步研究。此外,研究表明全球变暖背景下极端正印度洋偶极子的发生将增多,同时极端印度洋偶极子对我国极端气候事件的发生有着重要影响。以往的研究主要集中于单独的印度洋偶极子或印度洋偶极子和热带太平洋中厄尔尼诺—南方涛动的结合对我国极端气候的影响,而印度洋偶极子与中高纬环流系统或泛热带海洋之间的协同作用对我国极端气候事件的影响还亟需相关研究。对印度洋偶极子的系统性回顾可为未来印度洋偶极子的研究提供一定的科学基础。

关键词：印度洋偶极子厄尔尼诺—南方涛动亚洲夏季风相互作用全球增暖

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应用于LTE的高效率高线性功率放大器

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微电子学 2021年第6期51卷 822-827页

作者：曾丽珍李杰尹怡辉赵灏谢志远张卫陈永和孙堂友刘兴鹏李琦李海鸥桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004 中国电子科技集团公司第三十四研究所广西桂林541004 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器。采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真,实现了高线性度;利用二次谐波终端电容改变电路工作模式,减少时域电压电流的重叠损耗功率,... 详细信息

基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器。采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真,实现了高线性度;利用二次谐波终端电容改变电路工作模式,减少时域电压电流的重叠损耗功率,提高了功率附加效率。结果表明,在3.4 V电源电压、2.8 V偏置电压时,在工作频带815~915 MHz范围内,该功率放大器的增益大于29.5 dB,输入回波损耗小于-13.2 dB;在10 MHz LTE输入调制信号、28 dBm回退输出功率时,功率附加效率为39%~41%,第一相邻信道泄漏比ACLR;小于-38.1 dBc,第二相邻信道泄漏比ACLR_(1)小于-44.8 dBc。

关键词：功率放大器 InGaP/GaAs HBT 模拟预失真相位补偿功率附加效率

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TaN薄膜的等离子体增强原子层沉积及其抗Cu扩散性能

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材料研究学报 2019年第1期33卷 9-14页

作者：王永平丁子君朱宝刘文军丁士进专用集成电路与系统国家重点实验室复旦大学微电子学院上海200433

使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组... 详细信息

使用Ta[N(CH3)2]5和NH3等离子体作为反物用等离子体增强原子层沉积工艺生长了TaN薄膜,借助原子力显微镜、X射线光电子能谱、四探针和X射线反射等手段研究了薄膜的性能与工艺条件之间的关系。结果表明,TaN薄膜主要由Ta、N和少量的C、O组成。当衬底温度由250℃提高到325℃时Ta与N的原子比由46:41升高到55:35,C的原子分数由6%降低到2%。同时,薄膜的密度由10.9 g/cm3提高到11.6 g/cm3,电阻率由0.18Ω?cm降低到0.044Ω?cm。与未退火的薄膜相比,在400℃退火30 min后TaN薄膜的密度平均提高了～0.28 g/cm3,电阻率降低到0.12～0.029Ω?cm。在250℃生长的3 nm超薄TaN阻挡层在500℃退火30 min后仍保持良好的抗Cu扩散性能。

关键词：材料表面与界面原子层沉积扩散阻挡层退火 TaN薄膜

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基于工业互联网的药品标识解析技术研究与实现

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信息与电脑 2021年第3期33卷 4-8页

作者：李露露王俊宇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 珠海复旦创新研究院广东珠海518057

药品安全直接关系人民群众的身体健康和生命安全。为推动药品信息化追溯体系建设,国家药品监督管理局相继发布了10项药品信息化追溯标准,采用“多码并存、多系统并存”方案,允许药品上市许可持有人和生产企业可以自主选择编码方式建设... 详细信息

药品安全直接关系人民群众的身体健康和生命安全。为推动药品信息化追溯体系建设,国家药品监督管理局相继发布了10项药品信息化追溯标准,采用“多码并存、多系统并存”方案,允许药品上市许可持有人和生产企业可以自主选择编码方式建设药品追溯系统,药品信息化追溯监管将面临新的局面.本文针对药品追溯存在的问题研究药品标识解析技术,并针对基于工业互联网的Handle解析技术,设计药品标识注册和解析流程,并开发了原型系统进行验证,实现了多编码、多系统情况下的药品标识解析以及药品追溯数据互通共享,能够为Handle标识解析技术在实际药品追溯场景中的应用提供参考示例。

关键词：工业互联网 Handle 药品追溯标识解析

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近十年植物入侵生态学重要研究进展

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生物多样性 2022年第10期30卷 272-288页

作者：刘艳杰黄伟杨强郑玉龙黎绍鹏吴昊鞠瑞亭孙燕丁建清中国科学院东北地理与农业生态研究所中国科学院湿地生态与环境重点实验室长春130102 中国科学院武汉植物园中国科学院水生植物与流域生态重点实验室武汉430074 中国科学院核心植物园保护生物学中心武汉430074 兰州大学生态学院草种创新与草地农业生态系统全国重点实验室兰州730000 中国科学院西双版纳热带植物园中国科学院热带森林生态学重点实验室云南勐腊666303 华东师范大学生态与环境科学学院浙江天童森林生态系统国家野外科学观测研究站上海200241 崇明生态研究院上海202162 信阳师范学院生命科学学院河南信阳464000 复旦大学生物多样性科学研究所生物多样性与生态工程教育部重点实验室上海长江河口湿地生态系统国家野外科学观测研究站上海200438 华中农业大学资源与环境学院武汉430070 河南大学生命科学学院省部共建作物逆境适应与改良国家重点实验室河南开封475004

外来植物入侵对本地生物多样性、生态安全、社会经济发展和人类健康造成了严重威胁。因此,探究植物入侵机制及其生态效应对我国生态可持续发展具有重要意义,也是植物入侵生态学的主要研究内容。过去10年,生态学家开展了大量研究,取得了... 详细信息

外来植物入侵对本地生物多样性、生态安全、社会经济发展和人类健康造成了严重威胁。因此,探究植物入侵机制及其生态效应对我国生态可持续发展具有重要意义,也是植物入侵生态学的主要研究内容。过去10年,生态学家开展了大量研究,取得了丰硕成果,为推动入侵植物防控与生物多样性保护提供了理论指导。为深入解析外来植物入侵机制,为其防控管理提供依据,本文从以下3个方面综述了植物入侵生态学重要进展:首先是外来植物生物学特性、生物和非生物环境对植物入侵的调控作用;其次是外来植物入侵对本地生态系统的影响;最后介绍了外来植物入侵的类比研究范式——本地植物入侵,以及多组学技术在入侵生态学研究中的应用。基于这些研究进展,本文展望了该领域的未来发展趋势,包括:(1)研究对象从单一物种扩展到多物种比较;(2)研究地理范围从局域尺度扩大到纬度梯度格局;(3)入侵机制从单一理论验证到综合阐释多个假说。

关键词：生物互作生物入侵多样性生态学效应全球变化入侵机制

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基于变压器匹配的5G通信手机功率放大器设计

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微电子学 2021年第6期51卷 833-837页

作者：谢志远李杰郭磊赵灏尹怡辉张卫李琦孙堂友刘兴鹏陈永和李海鸥桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004 中国电子科技集团公司第三十四研究所广西桂林541004 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

基于AWSC 2μm的HBT工艺,设计了一种用于5G通信N77频段(3.3~4.2 GHz)的功率放大器。采用变压器匹配的方式,显著提高了功率放大器的增益、输出功率和功率附加效率,解决了放大电路级间匹配较难的问题。仿真和测试结果表明,在N77工作频段内... 详细信息

基于AWSC 2μm的HBT工艺,设计了一种用于5G通信N77频段(3.3~4.2 GHz)的功率放大器。采用变压器匹配的方式,显著提高了功率放大器的增益、输出功率和功率附加效率,解决了放大电路级间匹配较难的问题。仿真和测试结果表明,在N77工作频段内,该功率放大器的增益为36~38 dBm,输出功率1 dB压缩点为37 dBm,输出功率1 dB压缩点处的功率附加效率为49.3%,输出功率28.5 dBm处的功率附加效率为16.5%、相邻频道泄漏比为-38.2 dBc。

关键词：功率放大器 HBT 变压器 5G

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