检索结果-内蒙古大学图书馆

电子技术应用 2023年第4期49卷 44-51页

作者：王于波胡毅关媛王琨李大猛肖鹏程北京智芯微电子科技有限公司北京102200 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

基于V93000 ATE设计了一种采用外加电源升压变换模块及可变增益仪器仪表运算放大器,以解决大输入摆幅高精度多工位ADC的量产测试需求的测试方案。理论分析和测试验证结果表明,该ADC测试系统可分别产生峰峰值超过29 V的Ramp波和正弦波测... 详细信息

基于V93000 ATE设计了一种采用外加电源升压变换模块及可变增益仪器仪表运算放大器,以解决大输入摆幅高精度多工位ADC的量产测试需求的测试方案。理论分析和测试验证结果表明,该ADC测试系统可分别产生峰峰值超过29 V的Ramp波和正弦波测试信号,测试信号SNR优于105 dB、THD优于-103 dB,可以满足16 bit、±10 V甚至以上高输入摆幅多工位ADC的大批量量产测试需求。

关键词：自动测试设备 A/D转换器动态参数测试 ADC终测

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单晶金刚石声子非简谐衰减效应研究

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人工晶体学报 2023年第3期52卷 442-451页

作者：李斌胡秀飞杨旖秋王英楠谢雪健彭燕杨祥龙王希玮胡小波徐现刚冯志红山东大学新一代半导体材料研究院济南250100 山东大学晶体材料国家重点实验室济南250100 专用集成电路国家级重点实验室石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

随着金刚石作为散热材料在大功率半导体器件、激光器、微波器件和大规模集成电路等领域中的应用愈加广泛,通过对金刚石局部进行精确测温以评价其散热性能是一个重要的研究课题。本文使用拉曼光谱仪对不同掺杂类型的高温高压(HTHP)样品... 详细信息

随着金刚石作为散热材料在大功率半导体器件、激光器、微波器件和大规模集成电路等领域中的应用愈加广泛,通过对金刚石局部进行精确测温以评价其散热性能是一个重要的研究课题。本文使用拉曼光谱仪对不同掺杂类型的高温高压(HTHP)样品和化学气相沉积(CVD)样品在228~678 K进行检测,得到了金刚石样品TO模拉曼峰位、半峰全宽等与温度的一一对应关系,并通过理论计算模型明确了热膨胀、三声子、四声子随温度变化对拉曼峰位、半峰全宽的贡献。理论和实验测试结果发现:不同掺杂以及不同类型样品的拉曼光谱峰位无明显区别;随温度升高,半峰全宽宽化,主要影响因素为声子衰减导致的非简谐效应,同时受载流子的电离率、浓度、类型,以及缺陷和杂质影响;声子寿命主要受到声子的非简谐衰减作用影响,基本不受杂质散射的影响。本研究为金刚石材料的温度检测提供了一种无损、非接触、高空间分辨率的方法。

关键词：单晶金刚石拉曼光谱掺杂温度相关性声子衰减声子寿命

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一种高增益的宽带低噪声放大器的设计

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微电子学 2023年第1期53卷 1-7页

作者：李海鸥余新洁陈永和傅涛谢仕锋张卫尹怡辉曾丽珍桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室广西桂林541004 中国电子科技集团公司第三十四研究所广西桂林541004 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真... 详细信息

采用SANAN公司的0.25μm E-Mode pHEMT工艺,基于ADS仿真,设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式,实现了3.3 V单电源供电。同时,设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构,实现了宽带匹配。仿真结果表明,该LNA在2.0~4.2 GHz频段内,最大增益为30.9 dB,增益平坦度为±0.6 dB左右,输入回波损耗小于-9 dB,输出回波损耗小于-12 dB;噪声系数为(1.2±0.14)dB;系统稳定性因子K在全频带内大于2.8;芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。

关键词：低噪声放大器自偏置 ADS 负反馈 GaAs

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光刻机运动台控制方法研究进展

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激光与光电子学进展 2022年第9期59卷 35-47页

作者：姜龙滨丁润泽丁晨阳杨晓峰徐云浪复旦大学工程与应用技术研究院上海市超精密运动控制与检测工程研究中心上海200433 复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

光刻机是支撑集成电路芯片制程不断减小的关键设备,而高性能的光刻机需要高加速度和高精度的运动台作为支撑。为了达到光刻机的各项工作指标,高性能的运动台控制方法必不可少。本文针对光刻机运动台的主流控制方法进行了梳理和介绍,首... 详细信息

光刻机是支撑集成电路芯片制程不断减小的关键设备,而高性能的光刻机需要高加速度和高精度的运动台作为支撑。为了达到光刻机的各项工作指标,高性能的运动台控制方法必不可少。本文针对光刻机运动台的主流控制方法进行了梳理和介绍,首先介绍了运动台的工作原理及基本控制架构,然后从前馈控制、反馈控制、冗余驱动/冗余测量等方面对运动台控制方法进行具体介绍,旨在为光刻机运动台控制方法的进一步发展提供参考。

关键词：光刻机运动台前馈控制反馈控制

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金刚石单晶中的位错及其对器件影响的研究进展

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材料导报 2024年第20期38卷 37-50页

作者：韩赛斌胡秀飞王英楠王子昂张晓宇彭燕葛磊徐明升徐现刚冯志红山东大学新一代半导体材料研究院山东大学晶体材料国家重点实验室专用集成电路国家级重点实验室中国电子科技集团公司第十三研究所

金刚石是超宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、电子饱和漂移速度快、抗辐射性能好等优异性质，在功率器件、量子信息、辐射探测等高科技领域的应用越来越广泛。然而，与其他成熟的半导体材料如Si... 详细信息

金刚石是超宽禁带半导体材料的代表之一，具有禁带宽度大、热导率高、载流子迁移率高、电子饱和漂移速度快、抗辐射性能好等优异性质，在功率器件、量子信息、辐射探测等高科技领域的应用越来越广泛。然而，与其他成熟的半导体材料如Si的零位错、SiC的螺位错（TSD）低于10～2cm-2相比，金刚石单晶的位错密度处于10～3～10～8cm-2,这是其器件性能未能充分发挥的原因之一。研究位错机理和降低位错也是现阶段金刚石研究的热点之一。本文汇总分析了金刚石单晶中位错的主要类型和位错产生原因，重点讨论了金刚石位错的表征技术、位错密度降低方法以及位错的存在对不同器件性能的影响，最后总结了金刚石当前所面临的机遇和挑战，并展望了金刚石未来发展方向。

关键词：金刚石位错位错检测技术位错密度降低方法缺陷

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DODNet:一种扩张卷积优化的图像语义分割模型

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复旦学报（自然科学版） 2020年第5期59卷 585-598,607页

作者：祖朋达李晓敏陈更生许薇复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

本文在DeepLab-V2模型的基础上提出了一种扩张卷积优化的图像语义分割模型:DODNet.在DODNet中,本文采用多混洗块扩张卷积(MSDC)替换ResNet-101中的扩张卷积,通过通道混合(ChannelShuffle)为每个特征点添加相邻特征点的部分通道(channel... 详细信息

本文在DeepLab-V2模型的基础上提出了一种扩张卷积优化的图像语义分割模型:DODNet.在DODNet中,本文采用多混洗块扩张卷积(MSDC)替换ResNet-101中的扩张卷积,通过通道混合(ChannelShuffle)为每个特征点添加相邻特征点的部分通道(channel)信息,缓解了连续级联扩张卷积带来的网格化效应;同时,本文采用Vortex-Conv模块替换掉空洞空间金字塔池化(ASPP),以增加扩张卷积对感受野信息的利用,通过像素点周围局部信息的有效融合,获取了更精确的分割结果.本文在PASCAL VOC12数据集上对算法模型进行了训练和验证.实验结果表明,DODNet模型相比DeepLab-V2模型获得了4.23%的分割精度提升,同时模型参数量减少了11.2M,计算量降低了12.2B.并且与DeepLab-V3相比,DODNet模型也获得了0.32%的分割精度提升,以及7.1M的参数量和7.7B计算量的下降.

关键词：扩张卷积混洗块多混洗块扩张卷积图像分割

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FPGA中适用于低位宽乘累加的DSP块

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复旦学报（自然科学版） 2020年第5期59卷 575-584页

作者：樊迪王健来金梅复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

Xilinx和Intel生产的许多先进现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)中,通常采用具有较高的固定位宽乘法器的数字信号处理(Digital Signal Processing,DSP)模块,它们往往不能高效支持低位宽乘累加(Multiply Accumulate,MAC)运算.为解决这一问题,本文提出一种支持低位宽乘累加的新DSP块,在实现Xilinx DSP48E1功能的基础上,通过数据移位、乘法器拆分与后置加法器单指令流多数据流(Single Instruction Multiple Data,SIMD)功能的配合,可以并行实现2个8-bit乘累加或2对共享乘数的4-bit乘累加,同时留出足够的保护位防止溢出.其中,乘法器拆分可减少部分积压缩时间,而新功能提高了DSP块利用率,从而使计算多个低位宽乘累加时所需DSP块数目变少,总使用面积减少.实验结果表明:与实现DSP48E1功能的基础DSP相比,新DSP计算速度提升了9%,当实现2倍数目的8-bit乘累加和实现4倍数目的共享乘数的4-bit乘累加时,DSP块使用总面积均减少40.8%,而单个DSP块面积增加18%.与其他文献中支持低位宽乘累加的DSP块相比,新DSP块对于4-bit乘累加的支持进一步增强,且改进方法更适应Xilinx DSP块的功能特点.

关键词：现场可编程门阵列数字信号处理乘累加低位宽

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超薄柔性硅CMOS器件及无源元件性能退化仿真研究

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微电子学 2023年第1期53卷 139-145页

作者：杨洪张正元陈仙易孝辉陈文锁重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 模拟集成电路国家级重点实验室重庆400060 重庆大学电气工程学院输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室重庆400044

基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N+型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸... 详细信息

基于150 mm 0.35μm CMOS工艺,利用Silvaco TCAD软件,针对50μm厚硅基上NMOS与PMOS器件、多晶硅-介电层-多晶硅(PIP)电容和N+型多晶硅电阻,在单轴状态不同弯曲半径下,仿真了压缩与拉伸对器件电学参数变化的影响程度。结果表明,单轴拉伸与压缩弯曲使NMOS的阈值电压最大漂移0.46 mV,使PMOS阈值电压最大漂移0.33 mV。漏极电流随变形量线性变化,NMOS压缩时系数为-0.13295,NMOS拉伸时系数为0.00601。PMOS拉伸时系数为-0.10447,PMOS压缩时系数为-0.1107。电阻阻值随变形量呈线性变化,当掺杂浓度分别为1×10^(19),2×10^(19),3×10^(19),4×10^(19),5×10^(19)时,系数分别为247,498,766,1016,1301。电容最大变化值和初始值不超过0.5%,结论归纳为无失配影响。这些结果与实验吻合,验证了模型的正确性,为研制降低退化的柔性硅基集成电路打下基础。

关键词：超薄柔性硅基弯曲器件模型

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一种基于MOSFET栅极泄漏电流的温度传感器

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微电子学 2025年

作者：袁熠杨璐含张雨恒陈东键王妍张中喻依虎宁宁于奇李靖电子薄膜与集成器件国家重点实验室电子科技大学集成电路与微系统全国重点实验室中国电子科技集团第二十四研究所电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

提出了一种基于MOSFET栅极泄漏电流感温的温度传感器。利用MOS管栅极产生泄漏电流，该电流为亚阈值电流。将该电流作用于工作在亚阈区的MOS管，从而生成与温度线性相关的参考电压。通过复制电路补偿衬底泄漏电流，提升温度传感器的线性... 详细信息

提出了一种基于MOSFET栅极泄漏电流感温的温度传感器。利用MOS管栅极产生泄漏电流，该电流为亚阈值电流。将该电流作用于工作在亚阈区的MOS管，从而生成与温度线性相关的参考电压。通过复制电路补偿衬底泄漏电流，提升温度传感器的线性度。该温度传感器具有结构简单、功耗低的特点。在SMIC 0.18 μm标准CMOS工艺下流片验证，测试结果表明，经过两点校准与去除系统误差后，在-40～80 ℃的温度范围内，该温度传感器的最大温度误差为-0.3 ℃/0.36 ℃，功耗仅53.4 pW。

关键词：温度传感器栅极泄漏电流低功耗

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二维层状材料异质结光电探测器研究进展(特邀)

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红外与激光工程 2021年第1期50卷 186-196页

作者：陈红富罗曼沈倪明徐腾飞秦嘉怡胡伟达陈效双余晨辉南通大学信息科学技术学院江苏省专用集成电路设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室上海200083

自石墨烯时代以来,具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials,2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性,光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段,... 详细信息

自石墨烯时代以来,具有独特物理、化学和光电特性的二维层状材料(Two-Dimensional Layered Materials,2DLMs)得到了国内外科研人员的广泛关注。2DLMs因其种类的多样化与带隙的层数依赖性,光谱响应范围覆盖了紫外到红外辐射的极宽波段,具有应用于新一代光电探测器件的潜力。此外,2DLMs不受晶格匹配的限制,能以范德瓦尔斯力(Van der Waals,vdWs)与其他维度材料如体材料、纳米线和量子点等结合,制备得到性能独特且优异的复合结构器件。文中概述了几种应用在光电探测器领域的新型2DLMs异质结光电探测器的研究进展,主要包括基于二硒化钨(WSe2)、黑砷磷(AsP)、三硫化铌(NbS3)、二硒化钯(PbSe2)等异质结光电探测器,这些异质结光电探测器在异质结器件结构设计与新型二维半导体工艺技术应用方面做出了创新,在器件增益、结整流比、响应速度与波长探测范围等多个重要器件性能方面获得了突破性的研究成果。同时,文中还简要分析了这类器件研究当前所面临的挑战,并对其未来的发展方向进行了展望。

关键词：二维层状材料异质结光电探测器

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