栅氧化层退化是碳化硅-金属-氧化物-半导体场效应晶体管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor, SiC MOSFET)最常见的失效形式之一,栅氧化层状态监测是电力电子系统稳定运行的重要保证。因此,文中提出...
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栅氧化层退化是碳化硅-金属-氧化物-半导体场效应晶体管(silicon carbide metal-oxide-semiconductor field effect transistor, SiC MOSFET)最常见的失效形式之一,栅氧化层状态监测是电力电子系统稳定运行的重要保证。因此,文中提出了一种基于电磁辐射(electromagnetic radiation, EMR)信号的SiC MOSFET栅氧化层退化状态监测方法。首先在SiC MOSFET导通过程分析基础上,推导出栅氧化层老化程度与漏极电流变化率之间的关系;其次,把SiC MOSFET模块当作一个磁偶极子,测量其EMR信号,分析可知栅氧化层老化会引起EMR信号频谱幅值减小;最后,以SiC MOSFET组成的Buck变换器为被测对象,利用近场探头捕获EMR信号,根据其频谱幅值监测栅氧化层退化的程度。实验结果表明,SiC MOSFET栅氧化层退化对低频段的EMR信号频谱影响较大,在谐振点6.3 MHz附近出现峰值,并且随着栅氧化层老化程度加深,EMR信号频谱幅值也相应减小。
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