检索结果-内蒙古大学图书馆

高校辅导员与大学生有效沟通的文化策略——以宁夏大学物理与电子电气工程学院为例

边疆经济与文化 2017年第4期 72-73页

作者：赵永军宁夏大学物理与电子电气工程学院银川750021

高校思想政治辅导员是高校学生管理和思想政治教育工作中的一支重要队伍,是大学生健康成长的指导者和引路人。高校要加强培训,提升辅导员专业素质;与时俱进,充分发挥自媒体在沟通中的作用;尊重学生,确保沟通工作落到实处;切实提高辅导... 详细信息

高校思想政治辅导员是高校学生管理和思想政治教育工作中的一支重要队伍,是大学生健康成长的指导者和引路人。高校要加强培训,提升辅导员专业素质;与时俱进,充分发挥自媒体在沟通中的作用;尊重学生,确保沟通工作落到实处;切实提高辅导员与学生有效沟通的水平。

关键词：辅导员大学生沟通文化策略

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宁夏大学理工科学生科学推理能力调查实证分析--以物理与电子电气工程学院大一学生为例

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物理通报 2021年第11期50卷 18-24页

作者：袁倩李佳妮杨晓梅宁夏大学物理与电子电气工程学院宁夏银川750021

科学推理能力是新课程改革的重要内容,提升学生的科学推理能力,对落实物理核心素养有着重要意义.运用LCTSR 2000对宁夏大学物理与电子电气工程学院大一学生进行科学推理能力测试,从测试卷可行性和学生得分情况进行分析.研究结果启示我们... 详细信息

科学推理能力是新课程改革的重要内容,提升学生的科学推理能力,对落实物理核心素养有着重要意义.运用LCTSR 2000对宁夏大学物理与电子电气工程学院大一学生进行科学推理能力测试,从测试卷可行性和学生得分情况进行分析.研究结果启示我们,教师应重视物理教学方法的灵活性,扎实推进物理学科核心素养的落实,以此有效地提升学生科学推理能力,同时,大学生在后续学习中也应主动提升自己的科学推理能力.

关键词：科学推理能力物理核心素养 LCTSR 2000

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宁夏大学理工科学生批判性思维调查分析——以物理与电子电气工程学院新生为例

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物理通报 2022年第11期51卷 148-151页

作者：苏煬杨晓梅徐冰艳宁夏大学物理与电子电气工程学院宁夏银川750021

采用加利福尼亚批判性思维倾向测试卷中文版(CTDI-CV),对调查样本进行批判性思维倾向调查,并利用spss26统计数据,分析学生的批判性思维倾向与性别、民族以及高考各科成绩的相关性,由此对学生批判性思维的培养提出一些建议.

关键词：批判性思维问卷调查统计分析

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基于效率矩阵的无线通信网络节点重要度测算方法

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计算机应用与软件 2025年第4期42卷 78-82,106页

作者：李慧慧宋娟潘欢河南开放大学信息工程学院河南郑州450046 宁夏大学物理与电子电气工程学院宁夏银川750021

提出基于效率矩阵的电子信息无线通信网络节点重要度测算方法。该方法通过传输效率矩阵获取节点在电子信息无线通信网络中的局部信息和全局信息,采用三角模糊数方法根据获取的信息构建重要度评价矩阵,利用重要度评价矩阵对节点在电子信... 详细信息

提出基于效率矩阵的电子信息无线通信网络节点重要度测算方法。该方法通过传输效率矩阵获取节点在电子信息无线通信网络中的局部信息和全局信息,采用三角模糊数方法根据获取的信息构建重要度评价矩阵,利用重要度评价矩阵对节点在电子信息无线通信网络中的重要度进行测算。实验结果表明,所提方法的电子信息无线通信网络节点重要度测算结果与实际测试结果相一致,提升了测算精度,缩短了运行时间。

关键词：传输效率矩阵电子信息无线通信网络三角模糊数重要度测算

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用单摆测重力加速度实验改进

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实验教学与仪器 2025年第1期42卷 63-64,67页

作者：王昌恒朱巧萍宁夏大学物理与电子电气工程学院宁夏银川750021

传统单摆实验很容易因实验者的操作不当而引起圆锥摆现象,且摆动顶点固定、周期测量等方面均有些许不足,易引起较大误差。对此,改进单摆实验,即从固定顶点、避免圆锥摆和数据处理等方面进行优化,同时借助DISLab通用软件精确测量摆动周期... 详细信息

传统单摆实验很容易因实验者的操作不当而引起圆锥摆现象,且摆动顶点固定、周期测量等方面均有些许不足,易引起较大误差。对此,改进单摆实验,即从固定顶点、避免圆锥摆和数据处理等方面进行优化,同时借助DISLab通用软件精确测量摆动周期,既减少误差,又体现物理学科的严谨性。

关键词：单摆重力加速度 DISLab 实验改进

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Fe,Co,Ni掺杂GaSb的电子结构和光学性质

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物理学报 2019年第18期68卷 135-143页

作者：潘凤春林雪玲曹志杰李小伏宁夏大学物理与电子电气工程学院

运用第一性原理LDA+U方法(考虑了交换关联项的Hubbard U修正的局域密度近似方法)研究了过渡族金属X (X=Fe, Co, Ni)掺杂GaSb的电子结构和光学性质.研究结果表明:X掺杂均能提升GaSb半导体材料对红外光区光子的吸收幅度,并能有效提高GaSb... 详细信息

运用第一性原理LDA+U方法(考虑了交换关联项的Hubbard U修正的局域密度近似方法)研究了过渡族金属X (X=Fe, Co, Ni)掺杂GaSb的电子结构和光学性质.研究结果表明:X掺杂均能提升GaSb半导体材料对红外光区光子的吸收幅度,并能有效提高GaSb材料的光催化性能;过渡金属X在GaSb材料中主要以X替代Ga缺陷(X@Ga)的形式存在, X的电荷布居和键布居表明, X的掺入容易引起体系的晶格畸变,由此产生的电偶极矩有利于光生电子-空穴对的分离,从而提高材料的光催化性能;X掺杂引入的杂质能级位于0点费米能级附近,因而掺杂体系复介电函数虚部在光子能量为0时就会有响应,同时掺杂体系的静介电常数也得到了很大的提升;X的掺杂对GaSb体系的光学性能都有很大的改善,但Ni掺入对改善GaSb材料的光催化特性最有利;最佳Ni原子的掺杂摩尔浓度为10.94%,均匀掺杂可以避免光生电子-空穴复合中心的形成,此时光学吸收范围和吸收峰值都达到最大,对材料的光催化性能最有利.

关键词：第一性原理 GaSb 电子结构光学性质

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Nb掺杂γ-TiAl金属间化合物的电子结构与力学性能

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物理学报 2017年第19期66卷 197-209页

作者：陈治鹏马亚楠林雪玲潘凤春席丽莹马治郑富汪燕青陈焕铭宁夏大学物理与电子电气工程学院银川750021

运用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了Nb掺杂γ-TiAl金属间化合物的结构参数、能带结构、电子态密度及弹性常数.结果表明:Nb替代Ti掺杂相比Nb替代Al掺杂的形成能低,Nb在替位掺杂时更倾向于取代Ti原子形成稳定的结构,Nb替代Ti掺... 详细信息

运用基于密度泛函理论的第一性原理方法计算了Nb掺杂γ-TiAl金属间化合物的结构参数、能带结构、电子态密度及弹性常数.结果表明:Nb替代Ti掺杂相比Nb替代Al掺杂的形成能低,Nb在替位掺杂时更倾向于取代Ti原子形成稳定的结构,Nb替代Ti掺杂能够提高γ-TiAl金属间化合物的抵御塑性变形能力、断裂强度和延展性;与Nb替代Ti掺杂相比,Nb替代Al掺杂同样增强γ-TiAl金属间化合物的断裂强度且其增强延展性的效果更好,但抵御塑性变形的能力有所削弱.

关键词： Nb掺杂 γ-TiAl金属间化合物电子结构力学性能

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衬底层对Fe_(65)Co_(35)合金薄膜结构与磁性的影响

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物理学报 2022年第15期71卷 239-247页

作者：韩泽宇宋乘吉周杰郑富宁夏大学物理与电子电气工程学院银川750021

采用磁控溅射法制备了具有不同衬底层(Cu,Co和Ni_(80)Fe_(20))的FeFe_(65)Co_(35)双层合金薄膜.研究了不同衬底材料以及NiFe衬底层厚度对FeCo合金薄膜结构与磁性的影响.研究结果表明:衬底层的引入可以增加薄膜的面内单轴各向异性,且薄... 详细信息

采用磁控溅射法制备了具有不同衬底层(Cu,Co和Ni_(80)Fe_(20))的FeFe_(65)Co_(35)双层合金薄膜.研究了不同衬底材料以及NiFe衬底层厚度对FeCo合金薄膜结构与磁性的影响.研究结果表明:衬底层的引入可以增加薄膜的面内单轴各向异性,且薄膜的软磁性能显著提升,获得良好软磁性的原因归结为晶粒的细化、层间的偶极相互作用以及表面粗糙度的降低,并且对于相同厚度的不同衬底层,NiFe衬底层对FeCo薄膜软磁性能的提升最为明显;通过改变NiFe衬底层厚度,实现了对薄膜各向异性的调控,NiFe/FeCo表现出良好的高频响应和低的阻尼系数,同时较小的薄膜厚度能够减小涡流损耗,因此,促进了其在高频微波磁性器件方面的应用.

关键词： FeCo合金薄膜衬底层软磁性能高频特性

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应变对(Ga,Mo)Sb磁学和光学性质影响的理论研究

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物理学报 2022年第9期71卷 245-256页

作者：潘凤春林雪玲王旭明宁夏大学物理与电子电气工程学院银川750021

近年来,作为一种自旋电子学领域的关键材料,具有高温本征铁磁性的稀磁半导体受到了广泛的关注.为探索能够提高本征铁磁性居里温度(C urie temperature,T;)的方法,本文运用第一性原理LDA+U方法研究了应变对Mo掺杂GaSb的电子结构、磁学及... 详细信息

近年来,作为一种自旋电子学领域的关键材料,具有高温本征铁磁性的稀磁半导体受到了广泛的关注.为探索能够提高本征铁磁性居里温度(C urie temperature,T;)的方法,本文运用第一性原理LDA+U方法研究了应变对Mo掺杂GaSb的电子结构、磁学及光学性质的影响.研究结果表明:-6%—2.5%应变范围下GaSb半导体材料具有稳定的力学性能,压应变下GaSb材料的可塑性、韧性增强,有利于GaSb半导体材料力学性能的提升;应变对Mo替代Ga缺陷(Mo;)的电子结构有重要的影响,-3%至-1.2%应变范围下Mo;处于低自旋态(low spin state,LSS),具有1;的局域磁矩,-1.1%—2%应变范围下Mo;处于高自旋态(high spin state,HSS),具有3;的磁矩;不管是LSS还是HSS,Mo;产生局域磁矩之间的耦合都是铁磁耦合,但铁磁耦合的强度和物理机制不同,适当的压应变可有效提高铁磁耦合强度,这有利于实现高T;的GaSb基磁性半导体;Mo可极大提高GaSb半导体材料的电极化能力,这有利于光生电子-空穴对的形成和分离,提高掺杂体系对长波光子的光电转化效率;Mo引入的杂质能级使电子的带间跃迁对所需要吸收光子的能量变小,掺杂体系光学吸收谱的吸收边发生了红移,拉应变可进一步提升(Ga,Mo)Sb体系在红外光区的光学性能.

关键词： GaSb 应变磁学性质光学性质第一性原理

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非掺杂锐钛矿相TiO_2铁磁性的第一性原理研究

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物理学报 2017年第5期66卷 235-241页

作者：潘凤春徐佳楠杨花林雪玲陈焕铭宁夏大学物理与电子电气工程学院银川750021

运用第一性原理的方法研究了锐钛矿相TiO_2中O空位(V_o)和Ti空位(V_(Ti))的电子结构和磁学性质.计算结果表明,单独的V_o并不会诱发局域磁矩,V_(Ti)可以产生大小为4μB(1μ=9.274×10^(-21)emu,CGS)的局域磁矩,主要分布在其周围的0... 详细信息

运用第一性原理的方法研究了锐钛矿相TiO_2中O空位(V_o)和Ti空位(V_(Ti))的电子结构和磁学性质.计算结果表明,单独的V_o并不会诱发局域磁矩,V_(Ti)可以产生大小为4μB(1μ=9.274×10^(-21)emu,CGS)的局域磁矩,主要分布在其周围的0原子上.这两种缺陷产生局域磁矩的原因在文中做了详细的介绍.此外,由两个V_(Ti)诱发的局域磁矩之间的磁耦合相互作用为铁磁耦合,其交换耦合系数J_0为88.7 meV,意味着V_(Ti)间的铁磁耦合可以持续到室温.虽然V_o并不会产生局域磁矩,但是引入V_o可以进一步提升两个V_(Ti)之间的耦合强度,这可以对非掺杂锐钛矿结构的TiO_2体系中铁磁性的来源作出解释:V_(Ti)产生了局域磁矩,而V_o增强了V_(Ti)间长程的铁磁耦合相互作用.此外,还提出了局域磁矩之间耦合的第二类直接交换作用模型.

关键词：第一性原理 TiO2 非掺杂铁磁性

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