检索结果-内蒙古大学图书馆

电子学报 2010年第1期38卷 199-203页

作者：潘伟涛谢元斌郝跃史江义西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

将数据挖掘方法用于数字集成电路规律性提取,提出了一种扇形结构模板的规律性提取算法.采用压缩式存储及删除缓冲器结构等方法,降低了电路的存储空间.通过边权值编码,实现了逐级产生扇形频繁子电路的算法,解决了传统算法对大规模数字集... 详细信息

将数据挖掘方法用于数字集成电路规律性提取,提出了一种扇形结构模板的规律性提取算法.采用压缩式存储及删除缓冲器结构等方法,降低了电路的存储空间.通过边权值编码,实现了逐级产生扇形频繁子电路的算法,解决了传统算法对大规模数字集成电路规律性提取时间复杂度过高的问题.实验结果表明该算法比SPOG与TREE算法更能充分提取电路的规律性,规律性提取时间更短.

关键词：频繁子电路数据挖掘规律性提取规则性系数

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一种面向彩色CIS数据接口的低功耗编码方法

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西南交通大学学报 2010年第4期45卷 568-573页

作者：刘毅杨银堂文博西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

为有效降低彩色CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器数据输出接口的动态功耗,对输出接口信号的活动性进行了分析.根据同色像素信号高六位相关性高、活动性低的特点,提出了一种编码方法.该方法通过比较当前与前一同色像素信号,决定是... 详细信息

为有效降低彩色CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器数据输出接口的动态功耗,对输出接口信号的活动性进行了分析.根据同色像素信号高六位相关性高、活动性低的特点,提出了一种编码方法.该方法通过比较当前与前一同色像素信号,决定是否保持当前接口信号的高六位,从而显著降低接口信号的活动性.仿真结果表明,用该方法,接口的动态功耗降低了24.2%.

关键词： CMOS图像传感器数据接口总线编码

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高精度Sigma-delta调制器系统设计和仿真

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湖南大学学报（自然科学版） 2010年第5期37卷 54-59页

作者：石立春杨银堂吴笑峰李迪丁瑞雪西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071 西安通信学院陕西西安710106

提出了一种基于MATLAB/SIMULINK sigma-delta(ΣΔ)调制器系统设计与仿真的方法.该方法首先根据设计目标确定调制器的阶数、过采样率和内嵌量化器位数,优化调制器噪声传输函数NTF的零极点,调整调制器的结构系数,得到性能优化的调制器系... 详细信息

提出了一种基于MATLAB/SIMULINK sigma-delta(ΣΔ)调制器系统设计与仿真的方法.该方法首先根据设计目标确定调制器的阶数、过采样率和内嵌量化器位数,优化调制器噪声传输函数NTF的零极点,调整调制器的结构系数,得到性能优化的调制器系统结构;然后通过分析调制器非理想因素,对非理想情况下的调制器基于SIMULINK进行行为级建模与仿真;最后得到调制器子模块电路参数.调制器电路级仿真结果表明由该方法得到模块参数能够有效、可靠的指导调制器的电路设计.

关键词： sigma-delta调制器系统设计行为仿真非理想性

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高精度音频多位sigma-delta调制器设计

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中南大学学报（自然科学版） 2010年第2期41卷 592-599页

作者：石立春杨银堂李迪吴笑峰丁瑞雪梁宏军西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071 西安通信学院基础部陕西西安710106

设计一个内部采用4位量化器的二阶单环多位sigma-delta调制器。为解决反馈回路中多位DAC元件失配导致的信号谐波失真问题,该sigma-delta调制器采用CLA(Clocked averaging algorithm)技术提高多位DAC的线性度,同时采用动态频率补偿技术... 详细信息

设计一个内部采用4位量化器的二阶单环多位sigma-delta调制器。为解决反馈回路中多位DAC元件失配导致的信号谐波失真问题,该sigma-delta调制器采用CLA(Clocked averaging algorithm)技术提高多位DAC的线性度,同时采用动态频率补偿技术增加积分器的稳定性。调制器信号频率带宽为24kHz,过采样率(OSR)为128,采用尺寸为0.5μm的CMOS工艺,工作电压为5V。测试结果表明:在输入信号频率为20kHz时,信噪比(SNR)达103dB,调制器输出信号无杂波动态范围为102dB;整个调制器功耗为87mW,芯片总面积为2.56mm2。

关键词： sigma-delta调制器开关电容积分器高精度多位

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一种NoC路由器间互连线的自适应驱动方法

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西安电子科技大学学报 2010年第1期37卷 28-32页

作者：刘毅杨银堂梅伟锋张旭西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

针对片上网络路由器间相邻长互连线串扰导致信号抖动大的问题,基于互连线有效负载解析模型,提出了一种通过相邻信号的比较得到有效负载大小,调整信号驱动强度,从而保持传播延迟时间稳定,抑制信号抖动的方法.与缓冲器驱动模式相比较,在... 详细信息

针对片上网络路由器间相邻长互连线串扰导致信号抖动大的问题,基于互连线有效负载解析模型,提出了一种通过相邻信号的比较得到有效负载大小,调整信号驱动强度,从而保持传播延迟时间稳定,抑制信号抖动的方法.与缓冲器驱动模式相比较,在驱动级具有相同宽长比的情况下,当互连线的长度为2 mm、宽度和间距均为0.4μm时,信号的相对抖动减小了29.6%,有效提高了长互连线的最高工作频率.

关键词：耦合串扰抖动自适应驱动

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一种考虑工艺波动的RC互连延时统计模型

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系统仿真学报 2010年第3期22卷 584-588页

作者：杨杨董刚柴常春杨银堂冷鹏西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料与器件重点实验室西安710071

基于Elmore延时模型,提出了一种考虑工艺波动的RC互连延时统计模型,在给定互连参数波动范围条件下,利用该模型可以得到互连延时均值和标准差的解析表达式,与目前国内外互连工艺波动研究中广泛采用的Hspice蒙特卡罗(Monte Carlo)分析方... 详细信息

基于Elmore延时模型,提出了一种考虑工艺波动的RC互连延时统计模型,在给定互连参数波动范围条件下,利用该模型可以得到互连延时均值和标准差的解析表达式,与目前国内外互连工艺波动研究中广泛采用的Hspice蒙特卡罗(Monte Carlo)分析方法相比,所提模型在确保计算精度的前提下大大缩短了计算时间,可以应用于VLSI的互连延时分析和优化设计中。

关键词： RC互连延时工艺波动统计模型

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基于安全与纠错算法的增强型蓝牙基带研究与实现

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计算机科学 2010年第8期37卷 107-110,151页

作者：李振荣庄奕琪张博牛玉峰西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于蓝牙在安全、纠错和抗干扰方面的不足,分析和改进了蓝牙协议数据链路层的跳频和纠错算法。分析了基于高级加密标准(AES)迭代型分组密码算法构造的新型跳频序列的性能,仿真结果表明该序列具有良好的安全性、均匀性和相关性。针对蓝... 详细信息

基于蓝牙在安全、纠错和抗干扰方面的不足,分析和改进了蓝牙协议数据链路层的跳频和纠错算法。分析了基于高级加密标准(AES)迭代型分组密码算法构造的新型跳频序列的性能,仿真结果表明该序列具有良好的安全性、均匀性和相关性。针对蓝牙DM分组,采用了融合交织编码和前向纠错的增强型纠错机制,并基于Gillbert-Elliott信道模型进行了仿真。结果表明该增强型纠错机制大大提高了数据传输的抗干扰能力。提出了基于AES的跳频序列发生器和融合交织编码的增强型纠错机制的ASIC实现结构,并运用低功耗和资源优化技术,给出了VLSI实现结果。基于改进算法IP,实现了高安全、强纠错的增强型蓝牙基带,并结合标准蓝牙基带进行了性能分析。最后,采用基于平台的设计方法,搭建了蓝牙SoC系统平台,并进行了实测。

关键词：蓝牙基带安全性纠错性专用集成电路设计片上系统平台

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一种抑制总线串扰的自适应时空编码方法

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电路与系统学报 2010年第6期15卷 52-56页

作者：刘毅焦亚冬杨银堂文博西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

片上总线互连线间逐步增强的线间耦合效应加剧了总线信号串扰。本文根据互连线串扰模型,提出先传送奇数位信息,再传送偶数位信息,双时钟周期发送恶性串扰总线数据的自适应时间编码方法。在消除恶性串扰的同时,减小了总线自翻转能耗。并... 详细信息

片上总线互连线间逐步增强的线间耦合效应加剧了总线信号串扰。本文根据互连线串扰模型,提出先传送奇数位信息,再传送偶数位信息,双时钟周期发送恶性串扰总线数据的自适应时间编码方法。在消除恶性串扰的同时,减小了总线自翻转能耗。并结合码本编码,获得一种自适应时空编码方法。仿真结果显示该方法的时间节省率达到30%以上,能耗节省率为4%～38%。对于32位数据总线,该方法仅需6根冗余线。

关键词：总线编码串扰自适应时空编码

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新型HfO_2栅介质中的频散效应及参数提取方法

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中国科学：信息科学 2010年第6期40卷 892-898页

作者：刘红侠匡潜玮栾苏珍 ZHAO Aaron TALLAVARJULA Sai 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 美国应用材料公司

本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄... 详细信息

本文研究了原子层化学气相淀积ALCVD(atom layer chemical vapor deposition)方法淀积的HfO2/SiO2/p-SiMOS电容的电特性.高频时,积累电容出现了频率色散现象.针对双频C-V法测量超薄HfO2/SiO2堆栈栅MOS电容中制备工艺和测量设备引入的寄生效应,给出了改进的等效电路模型,消除了频率色散.研究发现,高k介质中存在的缺陷和SiO2/Si处的界面态,使高频C-V特性发生漂移.对禁带中界面态的分布进行归纳,得到C-V曲线形变的规律.研究了形变的C-V曲线与理想C-V特性的偏离,给出了界面态电荷密度的分布,得到了相对于实测C-V曲线的矫正线.通过比较理想C-V曲线和矫正线,提取了平带电压、栅氧化层电荷、SiO2/Si界面的界面态密度等典型的电学参数.

关键词：高k栅介质二氧化铪频率色散等效电路模型双频C-V法参数提取

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基于ADS的锁相频率合成器的相位噪声性能仿真

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电子器件 2010年第5期33卷 591-594页

作者：章磊庄奕琪邢晓领李振荣西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

快速有效的频率合成器的相位噪声性能仿真可以对频率合成器的设计实现提供有效的帮助。对此我们提出了一种仿真频率合成器整体相位噪声性能的新方法。首先对在Cadence下仿真得到的频率合成器中各模块相位噪声曲线进行拟合,然后在ADS下... 详细信息

快速有效的频率合成器的相位噪声性能仿真可以对频率合成器的设计实现提供有效的帮助。对此我们提出了一种仿真频率合成器整体相位噪声性能的新方法。首先对在Cadence下仿真得到的频率合成器中各模块相位噪声曲线进行拟合,然后在ADS下对应建立各模块的噪声模型,通过在ADS下仿真快速得到频率合成器整体的相位噪声性能。通过仿真验证了这种方法准确、快速。

关键词：相位噪声仿真频率合成器 Cadence ADS软件

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