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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：蒋明伟汤晓燕宋庆文张玉明张义门何艳静西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安 710071 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安 710071 西安电子科技大学先进材料与纳米材料学院陕西西安 710071

文章利用ISE软件进行了浮结(FJ)浓度的变化对SiC UMOSFET击穿电压影响的仿真,分析了FJ浓度变化通过对UMOSFET器件内部电场分布的影响,给出了击穿电压和FJ掺杂浓度的关系,仿真结果表明,当FJ浓度满足槽栅拐角处的电场峰值和FJ与下漂移区... 详细信息

文章利用ISE软件进行了浮结(FJ)浓度的变化对SiC UMOSFET击穿电压影响的仿真,分析了FJ浓度变化通过对UMOSFET器件内部电场分布的影响,给出了击穿电压和FJ掺杂浓度的关系,仿真结果表明,当FJ浓度满足槽栅拐角处的电场峰值和FJ与下漂移区的PN结处电场峰值大致相等时,SiC UMOSFET器件的击穿电压最大,在最优的掺杂FJ掺杂浓度下器件的击穿电压达到了约1600V.

关键词：金属-氧化物-半导体器件碳化硅浮结浓度击穿电压

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辐照总剂量对SOINMOS器件阈值电压影响的定量研究

辐照总剂量对SOINMOS器件阈值电压影响的定量研究

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第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：王倩琼刘红侠王树龙卓青青陈树鹏西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

本文研究了总剂量效应对Silicon-on-Insulator(SOI)技术下的N型metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistors(MOSFETs)器件阈值电压的影响.通过亚阈值分离技术将引起阈值电压漂移的因子分解为:陷阱氧化物电荷和界面态,分析说明这两个因子对阈值电压漂移的影响随辐照剂量的变化情况.分析研究了不同辐射剂量率条件下,辐照总剂量对阈值电压的影响.通过对于界面态影响的定量分析说明低剂量率下,阈值电压漂移更为显著.

关键词：金属氧化物半导体器件绝缘体上硅辐照总剂量阈值电压定量分析

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氮掺杂对于N型6H-SiC氧化速率的影响

氮掺杂对于N型6H-SiC氧化速率的影响

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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

作者：赵亚秋郭辉张玉明凌显宝西安电子科技大学微电子学院陕西西安 710071 西安电子科技大学微电子学院陕西西安 710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安 710071

基于修改的Deal-Grove模型和Arrhenius方程,通过提取氧化的线性速率常数和抛物线速率常数以及它们分别对应的活化能,研究了不同氮掺杂浓度对n型6H-SiC干氧氧化速率的影响.实验结果表明:除了温度,掺杂浓度的增加也可以增大氧化速率;线性... 详细信息

基于修改的Deal-Grove模型和Arrhenius方程,通过提取氧化的线性速率常数和抛物线速率常数以及它们分别对应的活化能,研究了不同氮掺杂浓度对n型6H-SiC干氧氧化速率的影响.实验结果表明:除了温度,掺杂浓度的增加也可以增大氧化速率;线性和抛物线速率常数以及它们对应的活化能和指前因子都随着掺杂浓度的增加而增大.提出一种新的结论,利用提取出的Arrhenius活化能的变化来解释掺杂提高氧化速率是不合理的.

关键词：半导体材料碳化硅氧化速率活化能氮浓度

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一个应用于探测生理信号SoC中的CMOS全集成高线性度低噪声上变频器设计

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电子学报 2013年第4期41卷 821-827页

作者：梁元张弘西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

本文设计一款用于探测生理信号SoC芯片中的5GHz双边带上变频器.该混频器基于传统的吉尔伯特单元,采用交流耦合curren-t bleeding结构以及三阶非线性失真抵消技术抑制非线性.通过将跨导级晶体管偏置在不同的工作区域(transconductance-bo... 详细信息

本文设计一款用于探测生理信号SoC芯片中的5GHz双边带上变频器.该混频器基于传统的吉尔伯特单元,采用交流耦合curren-t bleeding结构以及三阶非线性失真抵消技术抑制非线性.通过将跨导级晶体管偏置在不同的工作区域(transconductance-boost结构),使得带内变频损失小于5dB而IIP3介于22.3dBm到39.8dBm,而且双边带噪声指数小于8.2dB.应用全差分结构和感性源极钝化,再次抑制了二阶以及三阶失真.全部上变频器在1.2V供电条件下总功耗为8.4mW.

关键词：雷达感应芯片上变频混频器非线性失真线性化技术

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功率MOSFET的负偏置温度不稳定性效应中的平衡现象

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物理学报 2013年第16期62卷 349-355页

作者：张月卓青青刘红侠马晓华郝跃西安电子科技大学微电子学院西安710071 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071 西安电子科技大学技术物理学院西安710071

通过对功率金属氧化物半导体场效应晶体管在静态应力下的负偏置温度不稳定性的实验研究,发现器件参数的退化随时间的关系遵循反应扩散模型所描述的幂函数关系,并且在不同栅压应力下,实验结果中均可观察到平台阶段的出现.基于反应扩散理... 详细信息

通过对功率金属氧化物半导体场效应晶体管在静态应力下的负偏置温度不稳定性的实验研究,发现器件参数的退化随时间的关系遵循反应扩散模型所描述的幂函数关系,并且在不同栅压应力下,实验结果中均可观察到平台阶段的出现.基于反应扩散理论的模型进行了仿真研究,通过仿真结果分析和验证了此平台阶段对应于反应平衡阶段,并且解释了栅压应力导致平台阶段持续时间不同的原因.

关键词：功率金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性反应扩散模型

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一种高速低功耗的NoC时钟网络设计

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西安电子科技大学学报 2013年第3期40卷 115-120页

作者：刘毅陈博杨银堂刘刚西安电子科技大学微电子学院陕西西安710071 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

为了实现高速低功耗的片上网络时钟网络,针对MESH型片上网络,用金属-绝缘质-金属电容替代MOS电容作为发送端驱动电容和接收端耦合电容,设计了一种基于改进的电容驱动型低摆幅收发器的瀑布型时钟网络.Spectre仿真结果表明,在0.13μm CMO... 详细信息

为了实现高速低功耗的片上网络时钟网络,针对MESH型片上网络,用金属-绝缘质-金属电容替代MOS电容作为发送端驱动电容和接收端耦合电容,设计了一种基于改进的电容驱动型低摆幅收发器的瀑布型时钟网络.Spectre仿真结果表明,在0.13μm CMOS工艺条件下,该时钟网络的时钟频率可达5GHz,功耗和延时仅为传统时钟网络的49%和55%,并具有更好的噪声抑制能力.

关键词：片上网络时钟网络低功耗低摆幅

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含反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质

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人工晶体学报 2013年第6期42卷 1098-1103页

作者：宋久旭杨银堂王平郭立新西安电子科技大学理学院西安710071 西安石油大学电子工程学院西安710065 西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究。SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷;这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米... 详细信息

基于第一性原理计算,对含有SiC反位缺陷或CSi反位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质进行了研究。SiC缺陷在纳米管的表面形成了凸起,CSi缺陷在纳米管的表面形成了凹陷;这两种缺陷都导致在纳米管的导带底附近形成了缺陷能级,使得纳米管表现出n型电导;导带顶到杂质能级间的跃迁使得纳米管的光学带隙呈现了减小的趋势。这些结果对碳化硅纳米管电子器件和光学器件的研究都有较重要的参考价值。

关键词：碳化硅纳米管反位缺陷电子结构光学性质

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基于Verilog-A的深亚微米GGNMOS ESD保护器件可调模型研究

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兰州大学学报（自然科学版） 2013年第2期49卷 270-275页

作者：吴晓鹏杨银堂董刚西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到... 详细信息

针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型,并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真模型.详细讨论了保护器件寄生衬底电阻对保护器件触发电压的影响,进一步给出了衬底电阻值可随源极扩散到衬底接触扩散间距调节的解析表达式并用于特性模拟,仿真结果与流片器件的传输线脉冲测试结果吻合.

关键词：栅接地NMOS 静电放电衬底电阻传输线脉冲

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利用噪声抵消技术设计低噪声放大器

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电路与系统学报 2013年第1期18卷 408-411页

作者：张滨杨银堂李跃进西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz^2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输... 详细信息

采用ADS软件设计并仿真了一种应用于WiMax2标准的低噪声放大器。该低噪声放大器基于TSMC 0.13μmCMOS工艺,工作带宽为2.3 GHz^2.7GHz。在电路设计中采用噪声抵消技术降低CMOS管的电流噪声。使用共栅极结构进行输入匹配,使用电容进行输出匹配。偏置电路采用电流镜原理。使用ADS2006软件进行设计、优化和仿真。仿真结果显示,在2.3 GHz^2.7GHz带宽内,放大器的电源电压在1.2V时,噪声系数低于1.96dB,增益大于21.8dB,整个电路功耗为9mW。

关键词：低噪声放大器噪声抵消增益噪声系数

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一种高隔离度低损耗CMOS射频收发开关设计方法

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电路与系统学报 2013年第2期18卷 223-227页

作者：杨小峰郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071

本文采用了LC并联谐振的办法设计了高性能的CMOS收发开关,由于消除了CMOS晶体管的寄生电容的影响,降低了开关电路的插入损耗、提高隔离性能。同时利用直流偏置和交流浮动技术来提高开关的功率容纳能力。采用TSMC0.35 m RF-CMOS工艺设计... 详细信息

本文采用了LC并联谐振的办法设计了高性能的CMOS收发开关,由于消除了CMOS晶体管的寄生电容的影响,降低了开关电路的插入损耗、提高隔离性能。同时利用直流偏置和交流浮动技术来提高开关的功率容纳能力。采用TSMC0.35 m RF-CMOS工艺设计的收发开关,模拟结果表明谐振频率工作点的插入损耗为1.03dB,收发端隔离39.277dB,输入1dB压缩点(P1dB)功率26.28dBm。

关键词： CMOS 收发开关 LC谐振插入损耗隔离度

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