检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2018年第5期38卷 311-315,323页

作者：杨同同陶永洪杨晓磊黄润华柏松宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

报道了一款阻断能力为12kV的4H-SiC N沟道绝缘栅双极型场效应晶体管(IGBT)。器件为穿通型IGBT,漂移层厚度为120μm,掺杂浓度为2e14cm^(-3);缓冲层厚度为3μm,掺杂浓度为4e16cm^(-3)。为缓解器件主结边缘处的电场集中效应,采用了结终端扩... 详细信息

报道了一款阻断能力为12kV的4H-SiC N沟道绝缘栅双极型场效应晶体管(IGBT)。器件为穿通型IGBT,漂移层厚度为120μm,掺杂浓度为2e14cm^(-3);缓冲层厚度为3μm,掺杂浓度为4e16cm^(-3)。为缓解器件主结边缘处的电场集中效应,采用了结终端扩展(JTE)终端结构。流片测试结果表明,栅极电压20V,集电极正向电流为24A/cm^2时,比导通电阻为140mΩ·cm^2。栅极和发射极短接,集电极电压为13kV时,漏电流小于10μA。

关键词： SiC 有限元仿真绝缘栅双极型场效应晶体管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

6500 V SiC场限环终端设计与实现

引用

固体电子学研究与进展 2018年第1期38卷 1-5页

作者：杨同同杨晓磊黄润华李士颜刘奥杨立杰柏松宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用三段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场... 详细信息

针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用三段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场强度控制在1MV/cm以下,体内的峰值电场强度在2.4MV/cm以下,有效减小了实际工艺中环注入窗口的工艺偏差引起的环间距拉偏对峰值电场强度的影响。环间距拉偏结果显示,在-0.2^+0.2μm的偏差范围内,器件表面(SiO_2/SiC交界处)的峰值电场强度并没有升高,只是峰值的位置发生了改变。最后利用了所设计的场限环终端进行了实际流片。测试结果显示,当施加6 500V的反向电压,漏电流小于10μA。

关键词：场限环碳化硅有限元仿真结型势垒肖特基二极管

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

6500 V 15 A 4H-SiC JBS二极管的研制

引用

微纳电子技术 2018年第3期55卷 161-165,177页

作者：薛爱杰黄润华柏松刘奥栗锐南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室

基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基（JBS）结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸（1英寸=2.54 cm）n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外... 详细信息

基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基（JBS）结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸（1英寸=2.54 cm）n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外延材料、48个宽度为3.0μm浮空场限环实现了一款反向击穿电压大于6 500 V的4H-SiC JBS二极管。电特性测试结果表明,室温下正向电流为15 A时,正向电压为2.9 V,开启电压为1.3 V;150℃下正向电流为15 A时,正向电压为5.2 V,开启电压为1.2 V。

关键词： 4H-SiC 结型势垒肖特基(JBS)二极管结终端技术浮空场限环 4英寸外延

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

碳化硅器件在新能源及相关功率转换场景下的应用

碳化硅器件在新能源及相关功率转换场景下的应用

引用

2019年第十五届中国太阳级硅及光伏发电研讨会

作者：刘奥第五十五研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室中国电子科技集团公司

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

6.5 kV,25 A 4H-SiC功率DMOSFET器件

引用

固体电子学研究与进展 2019年第1期39卷 77-77页

作者：李士颜刘昊黄润华陈允峰李赟柏松杨立杰南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子国家重点实验室南京210016

与硅IGBT相比,SiC高压功率DMOSFET器件的导通电阻和开关损耗更低,工作温度更高,在智能电网的应用中具有巨大的应用前景。南京电子器件研究所研制出一款6.5kV25ASiC功率DMOSFET器件。建立了高压SiC DMOSFET仿真模型并开展元胞结构设计,... 详细信息

与硅IGBT相比,SiC高压功率DMOSFET器件的导通电阻和开关损耗更低,工作温度更高,在智能电网的应用中具有巨大的应用前景。南京电子器件研究所研制出一款6.5kV25ASiC功率DMOSFET器件。建立了高压SiC DMOSFET仿真模型并开展元胞结构设计,通过采用低界面态密度栅极氧化层制备以及JFET区选择掺杂等先进工艺技术,在60μm厚外延层上制备了6.5 kV SiC DMOSFET,芯片有源区尺寸37 mm^2。该器件击穿电压大于6.9 kV,导通电流大于25 A,峰值有效沟道迁移率为23 cm^2/(V·s),比导通电阻降低到44.3 mΩ·cm^2,缩小了与国际先进水平的差距。

关键词： SiC kV,25 A 4H-SiC DMOSFET

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

第三代半导体电力电子器件模块高价值专利培育模式与机制探析

引用

江苏科技信息 2019年第5期36卷 8-13页

作者：柏松张弛王亚利叶新滕鹤松中国电子科技集团公司第五十五研究所-宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京苏高专利商标事务所江苏省专利信息服务中心扬州国扬电子有限公司

根据《中共江苏省委江苏省人民政府关于加快建设知识产权强省的意见》的有关部署,2015年江苏省知识产权局启动了"高价值专利培育计划"项目,目的是要围绕战略性新兴产业,以重大创新载体为主体,探索建设高价值专利培育示范中心... 详细信息

根据《中共江苏省委江苏省人民政府关于加快建设知识产权强省的意见》的有关部署,2015年江苏省知识产权局启动了"高价值专利培育计划"项目,目的是要围绕战略性新兴产业,以重大创新载体为主体,探索建设高价值专利培育示范中心,建立产学研服协同创新新模式,创造一批科技含量高、权利状态稳定、市场效益好、市场竞争力强的高价值专利。但是究竟如何培育高价值专利,这在全国尚无先例,在知识产权工作中也是个新课题。文章总结和提炼了作者单位在"第三代半导体电力电子器件模块高价值专利培育示范中心"的实施方法,对培育高价值专利的模式与机制进行了有益的探索。

关键词：高价值专利培育

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

增强型GaN功率器件及集成技术

引用

电力电子技术 2017年第8期51卷 58-60页

作者：周建军孔岑张凯孔月婵南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室江苏南京210016

针对氮化镓(GaN)功率器件的研制,采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2 V以上、击穿电压1 200 V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1 V、击穿电压350 V以上、输出电流10 A以上的p-GaN栅结构增强型GaN功率器件。同时基... 详细信息

针对氮化镓(GaN)功率器件的研制,采用栅区域势垒层减薄技术及p-GaN栅结构,分别研制了阈值电压2 V以上、击穿电压1 200 V以上的凹槽栅结构和阈值电压1.1 V、击穿电压350 V以上、输出电流10 A以上的p-GaN栅结构增强型GaN功率器件。同时基于栅区域势垒层减薄技术,开发了GaN增强型/耗尽型(E/D)集成技术,并展示了采用E/D集成技术研制的51级GaN环形振荡器验证电路,集成了106只晶体管,级延时仅24.3 ps。

关键词：功率器件氮化镓增强型集成技术

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

SiC功率MOSFET器件研制进展

引用

电力电子技术 2017年第8期51卷 1-3页

作者：柏松黄润华陶永洪刘奥宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所江苏南京210016

碳化硅(SiC)功率金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥。介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和加工工艺,采用一氧化氮(NO)栅氧退火工艺技术研制出击穿... 详细信息

碳化硅(SiC)功率金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)以其优越的性能受到广泛关注,但受限于器件设计和工艺技术水平,器件的潜力尚未得到充分发挥。介绍了SiC功率MOSFET的结构设计和加工工艺,采用一氧化氮(NO)栅氧退火工艺技术研制出击穿电压为1 800 V、比导通电阻为8mΩ·cm^2的SiC MOSFET器件,测试评价了器件的直流和动态特性,关断特性显著优于Si IGBT。评估了SiC MOSFET器件栅氧结构的可靠性,器件的栅氧介质寿命及阈值电压稳定性均达到工程应用要求。

关键词：金属-氧化物半导体场效应管碳化硅可靠性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

14kV-1 A SiC超高压PiN二极管

引用

固体电子学研究与进展 2016年第5期36卷 365-368页

作者：栗锐黄润华柏松陶永洪南京电子器件研究所宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京210016

设计了一种耐压超过14kV的4H-SiC超高压PiN二极管。外延材料N-层掺杂浓度3.0×10^(14) cm^(-3),厚度140μm。通过模拟仿真,采用台面结合双JTE结终端保护结构,器件实现了14kV以上耐压,正向导通电流1A。

关键词： 4H-SiC PiN二极管超高压双结终端扩展

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

1200V碳化硅MOSFET设计

引用

固体电子学研究与进展 2016年第6期36卷 435-438页

作者：黄润华陶永洪柏松陈刚汪玲刘奥李赟赵志飞宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所南京210016

设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A... 详细信息

设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A,击穿电压达1 900V。

关键词： 4H型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管终端保护界面态

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：