检索结果-内蒙古大学图书馆

基于25 GHz信道间隔和30 Gbaud的28.8 Tbit/s Nyquist-WDM系统性能研究

光电子．激光 2015年第11期26卷 2119-2124页

作者：程智慧白成林张霞孙文涛聊城大学物理科学与信息工程学院山东省光通信科学与技术重点实验室山东聊城252059

为了提高奈奎斯特波分复用(Nyquist-WDM)系统的频谱效率和传输距离,利用改进型多元低密度奇偶校验(NB-LDPC)码对Nyquist-WDM系统进行信道编码,并结合偏振复用64进制正交幅度调制(PM-64QAM)技术对28.8Tbit/s Nyquist-WDM相干检测系统进... 详细信息

为了提高奈奎斯特波分复用(Nyquist-WDM)系统的频谱效率和传输距离,利用改进型多元低密度奇偶校验(NB-LDPC)码对Nyquist-WDM系统进行信道编码,并结合偏振复用64进制正交幅度调制(PM-64QAM)技术对28.8Tbit/s Nyquist-WDM相干检测系统进行性能研究。仿真结果表明,经单模光纤(SMF)传输4 900km之后,与未采用编码的系统相比,在波特率为30Gbaud、信道间隔为25GHz时,Nyquist-WDM系统通过采用改进型NB-LDPC码可以有效抑制符号间干扰,使误码性能改善2.58dB,频谱效率达到11.63bit/s/Hz;同时,通过采用NB-LDPC码可增加系统的传输距离,改善系统对非线性效应的容忍度。

关键词：多元低密度奇偶校验(NB-LDPC)码奈奎斯特波分复用(Nyquist-WDM)系统偏振复用(PM) 正交幅度调制(QAM) 光纤通信性能分析

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对史密斯-帕塞尔自由电子激光光栅的研究

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中国光学 2020年第2期13卷 381-395页

作者：孟现柱聊城大学物理科学与信息工程学院山东省光通信科学与技术重点实验室山东聊城252059

为了研究史密斯-帕塞尔自由电子激光的输出频率和光栅槽深、光栅槽长、光栅槽宽的关系,对于基于矩形光栅的史密斯-帕塞尔自由电子激光利用粒子模拟软件进行模拟和理论分析。首先,利用粒子模拟软件模拟对于基于矩形光栅的史密斯-帕塞尔... 详细信息

为了研究史密斯-帕塞尔自由电子激光的输出频率和光栅槽深、光栅槽长、光栅槽宽的关系,对于基于矩形光栅的史密斯-帕塞尔自由电子激光利用粒子模拟软件进行模拟和理论分析。首先,利用粒子模拟软件模拟对于基于矩形光栅的史密斯-帕塞尔自由电子激光进行了研究,发现史密斯-帕塞尔自由电子激光的输出频率随光栅槽深、光栅槽长、光栅槽宽的增大而减少。接着,对史密斯-帕塞尔自由电子激光的光栅槽进行了理论分析,发现每个光栅槽都可以等效为一个LC谐振电路,并发现在史密斯-帕塞尔自由电子激光中存在两种辐射,一种是史密斯-帕塞尔辐射,另一种是LC振荡辐射。最后,对光栅槽的LC振荡辐射进行了估算,发现史密斯-帕塞尔自由电子激光输出频率的模拟值与光栅槽的LC振荡辐射估算值的数量级均为102 GHz,且变化规律上一致。据此推测决定史密斯-帕塞尔自由电子激光输出频率的应该是光栅槽,而不是谐振腔。

关键词：物理电子学自由电子激光光栅谐振腔史密斯-帕塞尔辐射 LC谐振电路

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金/银纳米颗粒对Eu掺杂薄膜发光特性影响的研究

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物理学报 2014年第5期63卷 387-391页

作者：王青如李淑红史强王文军聊城大学物理科学与信息工程学院山东省光通信科学与技术重点实验室聊城252000

本文将三种金属纳米颗粒(球形银纳米颗粒、三角形银纳米薄片和三角形金纳米薄片)分别置于Eu(TTFA)3掺杂的Su8薄膜上研究了它们对铕配合物薄膜发光的影响.结果显示,金属纳米颗粒的局域等离子体共振(LSPR)谱对薄膜发光有很好的调控作用.对... 详细信息

本文将三种金属纳米颗粒(球形银纳米颗粒、三角形银纳米薄片和三角形金纳米薄片)分别置于Eu(TTFA)3掺杂的Su8薄膜上研究了它们对铕配合物薄膜发光的影响.结果显示,金属纳米颗粒的局域等离子体共振(LSPR)谱对薄膜发光有很好的调控作用.对于LSPR谱分别与铕配合物激发谱和辐射谱重叠较好的球形和三角形两种银颗粒,相比于未放置颗粒时薄膜的发光,放置有颗粒的发光有明显的增强,其中球形银颗粒的样品的发光增强效果更为明显.而对于LSPR谱与铕配合物激发谱和辐射谱都不重叠的三角形片状金颗粒,该颗粒对样品的发光则起到了猝灭作用.

关键词：金银纳米颗粒薄膜发光增强猝灭

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基于史密斯-帕赛尔效应的太赫兹振荡器的原理与特性分析

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光子学报 2016年第4期45卷 13-17页

作者：孟现柱王明红张黎明任忠民聊城大学物理科学与信息工程学院山东省光通信科学与技术重点实验室山东聊城252059

提出了一种基于史密斯-帕赛尔效应的太赫兹振荡器,该器件由电子枪、调制腔、输出腔、收集极等部分构成。在器件调制腔中,电子注的速度调制通过史密斯-帕赛尔效应完成的,当群聚电子注通过输出腔时,群聚电子注会在输出腔的间隙处激励起高... 详细信息

提出了一种基于史密斯-帕赛尔效应的太赫兹振荡器,该器件由电子枪、调制腔、输出腔、收集极等部分构成。在器件调制腔中,电子注的速度调制通过史密斯-帕赛尔效应完成的,当群聚电子注通过输出腔时,群聚电子注会在输出腔的间隙处激励起高频电场,该高频电场会使电子注的一部分动能转换为高频能量,并完成太赫兹振荡.模拟发现:当金属光栅的空间周期为0.6mm、电子注能量为100keV时,利用史密斯-帕赛尔效应调制的太赫兹振荡器可以输出频率为349.017GHz和346.324GHz、功率谱密度接近4kW/GHz、最大输出峰值功率超过2kW的太赫兹波.

关键词：物理电子学太赫兹粒子模拟振荡器史密斯-帕赛尔效应调制群聚

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嵌入Ag纳米颗粒层的DNA忆阻器

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物理学报 2015年第4期64卷 339-345页

作者：王嫒董瑞新闫循领聊城大学物理科学与信息工程学院山东省光通信和科学技术重点实验室聊城252059

构建了具有"Al/DNA-CTMAB/Ag NPs/DNA-CTMAB/ITO"结构的有机忆阻器件,并对其电流-电压(I-V)曲线进行测量.结果表明,嵌入Ag纳米颗粒层,不仅可以增强器件的导电性,而且忆阻特性也显著提高.当颗粒粒径在15—20 nm范围时,开-关电... 详细信息

构建了具有"Al/DNA-CTMAB/Ag NPs/DNA-CTMAB/ITO"结构的有机忆阻器件,并对其电流-电压(I-V)曲线进行测量.结果表明,嵌入Ag纳米颗粒层,不仅可以增强器件的导电性,而且忆阻特性也显著提高.当颗粒粒径在15—20 nm范围时,开-关电流比ION/IOFF能够达到103.器件的I-V特性受扫描电压幅值VA的影响,随着VA的增大,高阻态的电流变化较小,而低阻态的电流明显增大,开(或关)电压VSET(VRESET)和ION/IOFF增加.实验还发现,器件高低阻状态的相互转换取决于外加电场的方向,说明该忆阻器具有极性.

关键词：有机忆阻器 DNA生物聚合物 Ag纳米颗粒

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基于器件结构提高TADF-OLED器件的发光性能

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发光学报 2020年第1期41卷 77-85页

作者：刘婷婷李淑红王文军刘云龙都辉王庆林赵玲高学喜聊城大学物理科学与信息工程学院山东聊城252059 山东省光通信科学与技术重点实验室山东聊城252059

为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。... 详细信息

为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明,在最佳掺杂比例(2%)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92%,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37%;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76%;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗。TADF材料作为主体材料在提高OLED器件的光电性能方面具有很大的潜力。

关键词：热活化延迟荧光材料 TADF-OLED 单空穴器件阻抗谱

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激光辐射对供体-受体型聚合物忆阻器性能的影响

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中国激光 2019年第5期46卷 343-348页

作者：袁帅董瑞新刘汝新闫循领聊城大学物理科学与信息工程学院山东聊城252059 山东省光通信科学与技术重点实验室山东聊城252059

利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩、噻吩单元组成的供体-受体类型半导体聚合物IPDT构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,该器件具有明显的忆阻特性,开/关电压为8 V/-7.5 V,高低电阻比达到了10^2以上。研究了不同波长激光的照射对器件忆阻性能的影响... 详细信息

利用异靛蓝、丙烯二氧噻吩、噻吩单元组成的供体-受体类型半导体聚合物IPDT构建了有机电子器件Al/IPDT/ITO,该器件具有明显的忆阻特性,开/关电压为8 V/-7.5 V,高低电阻比达到了10^2以上。研究了不同波长激光的照射对器件忆阻性能的影响,结果表明:波长为632 nm、功率为3 mW的激光对忆阻性能的影响显著;照射60 s后,器件电流的走向发生了反转,开/关电压降低到-2.2 V/1.3 V,高低电阻比提高到10^4,电流降低了一个量级,且电流-电压曲线的涨落减小,有效降低了器件的功耗;稳定性循环测试次数由未经激光照射时的2000提高到3500,提高了数据读取的准确性和稳定性。

关键词：材料供体-受体聚合物忆阻器激光调控

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调控空穴传输层的分子取向提高有机发光二极管性能

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发光学报 2021年第5期42卷 691-699页

作者：崔东岳王帅李淑红刘云龙王文军聊城大学物理科学与信息工程学院山东聊城252059 山东省光通信科学与技术重点实验室山东聊城252059

有机发光二极管(OLED)器件性能的提高一直是有机电致发光领域备受关注的研究课题之一,通过优化OLED器件中的载流子平衡是提高OLED器件性能的一个非常重要的手段。但是,调控空穴传输层或电子传输层中的分子取向,从而优化器件中的载流子... 详细信息

有机发光二极管(OLED)器件性能的提高一直是有机电致发光领域备受关注的研究课题之一,通过优化OLED器件中的载流子平衡是提高OLED器件性能的一个非常重要的手段。但是,调控空穴传输层或电子传输层中的分子取向,从而优化器件中的载流子平衡未被关注。本文通过对空穴传输层进行不同温度的退火处理来改变空穴传输层中的分子取向,研究分子取向对其空穴迁移率和OLED器件性能的影响。研究发现,退火温度的升高使得空穴传输层中具有垂直取向的分子的比例增加,促进了空穴迁移率的提高。当把具有不同分子取向的空穴传输层应用于OLED器件时,可以清楚地观察到载流子平衡因子对器件性能的影响。

关键词：有机发光二极管载流子平衡单空穴器件分子取向

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基于密度矩阵理论的偏振损伤联合补偿方案

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光子学报 2023年第8期52卷 64-71页

作者：郭瑶张霞杜秋萍杨震山张晓光聊城大学物理科学与信息工程学院聊城252000 山东省光通信科学与技术重点实验室聊城252000 北京邮电大学信息光子学与光通信国家重点实验室北京100876

利用密度矩阵理论构建的损伤模型结构简单,无需任何辅助矩阵,因此分析复杂度较低,在对光通信系统中光信号的损伤进行分析与补偿时凸显出巨大优势。将该理论初步应用至模式数目为2的偏分复用系统中,建立偏振模色散与偏振态旋转并存时的... 详细信息

利用密度矩阵理论构建的损伤模型结构简单,无需任何辅助矩阵,因此分析复杂度较低,在对光通信系统中光信号的损伤进行分析与补偿时凸显出巨大优势。将该理论初步应用至模式数目为2的偏分复用系统中,建立偏振模色散与偏振态旋转并存时的损伤模型,搭建了28 GBaud偏分复用正交相移键控相干光通信仿真传输系统,实现了30~170 ps大范围差分群时延与300 krad/s~2 Mrad/s快速偏振态旋转的联合补偿,验证了基于密度矩阵理论的损伤模型以及联合补偿方案在光通信系统中的有效性。该研究为下一步推广至N维模分复用系统中光信号的损伤分析与补偿提供了有效的途径。

关键词：相干光通信密度矩阵理论偏振模色散偏振态旋转信号损伤补偿

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银铝共掺ZnS高效电子传输层的制备与特性

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发光学报 2014年第10期35卷 1221-1227页

作者：和晓晓王文军李淑红王青如杜倩倩刘云龙史强张丙元聊城大学物理科学与信息工程学院山东聊城252059 山东省光通信科学与技术重点实验室山东聊城252059

从量子力学角度分析银铝共掺硫化锌可以作为高效电子传输层材料,从理论上计算出杂质原子的波尔半径,对于银铝共掺硫化锌作为高效的电子传输层的最佳厚度给出了理论参考值。利用银铝共掺硫化锌作为电子传输层,制备了结构为ITO/NPB/Alq3/... 详细信息

从量子力学角度分析银铝共掺硫化锌可以作为高效电子传输层材料,从理论上计算出杂质原子的波尔半径,对于银铝共掺硫化锌作为高效的电子传输层的最佳厚度给出了理论参考值。利用银铝共掺硫化锌作为电子传输层,制备了结构为ITO/NPB/Alq3/ZnS∶Ag-Al(x)/PBD/Al的有机电致发光器件,分析了不同厚度的银铝共掺硫化锌电子传输层对器件发光强度的影响,并对共掺硫化锌中载流子传输机制进行了分析。实验发现共掺硫化锌具有良好的空穴阻挡和电子传输性能。当银铝共掺硫化锌电子传输层厚度为8 nm时,器件的相对发光强度和电致发光强度相对于没有电子传输层的器件分别增加了430倍和130倍,器件的阈值电压也降低了4 V。与纯硫化锌作为电子传输层器件相比,相对发光强度提高3倍。

关键词：银铝共掺硫化锌 OLED 电子传输层材料高效机理分析

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