检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 313-316页

作者：陆裕东何小琦恩云飞工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室广州510640

采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用... 详细信息

采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用下,Al原子沿电子流方向扩散进入Al互连层下方的焊料中。同时,随着电流加载时间的延长,化学位梯度和内部应力的作用致使焊料成分向Al互连金属扩散,Al互连金属层形成空洞的同时其成分发生变化。

关键词：倒装芯片电迁移互连失效

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大功率LED照明灯有限元热设计与高效系统开发

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半导体技术 2010年第5期35卷 431-435页

作者：冯先龙恩云飞宋芳芳广东工业大学广州510090 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610

随着LED亮度要求的不断提高,LED的温度分布和采用的散热手段对LED的可靠性有很大影响。利用ANSYS软件对LED照明的散热问题进行了详细的模拟计算。基于100 WLED实验和模拟结果的一致性,分析比较了不同结构和加载方式对200 WLED温度分布... 详细信息

随着LED亮度要求的不断提高,LED的温度分布和采用的散热手段对LED的可靠性有很大影响。利用ANSYS软件对LED照明的散热问题进行了详细的模拟计算。基于100 WLED实验和模拟结果的一致性,分析比较了不同结构和加载方式对200 WLED温度分布的影响。采用增加散热片个数及其长度、Al锭厚度、灯头的直径等因素,对LED的散热进行了优化设计,结合基于VC++的二次开发系统,较好实现了LED热模拟分析。研究发现LED照明灯的传热方向主要是轴向,轴向散热设计可提高LED开发效率;点阵排列LED灯的温度分布呈现一定的温度梯度;在基于实验验证的模拟可以较好实现不同功率的LED灯散热设计。模拟分析为LED的散热方案优化设计提供了有效的参考依据和手段。

关键词：大功率LED 散热设计 ANSYS有限元优化设计

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真空封装MEMS陀螺高温老化失效机理研究

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传感技术学报 2016年第11期29卷 1637-1642页

作者：谷专元何春华陈俊光赵前程张大成闫桂珍华南理工大学电子与信息学院广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510610 北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室北京100871

为了快速掌握真空封装MEMS陀螺老化失效机理,陀螺进行125℃高温加速实验,并对不同时间节点下的陀螺关键性能进行参数提取。分析结果表明,由于高温老化导致MEMS陀螺内部材料放气、疲劳和应力释放,从而改变品质因子和初始检测电容,最终导... 详细信息

为了快速掌握真空封装MEMS陀螺老化失效机理,陀螺进行125℃高温加速实验,并对不同时间节点下的陀螺关键性能进行参数提取。分析结果表明,由于高温老化导致MEMS陀螺内部材料放气、疲劳和应力释放,从而改变品质因子和初始检测电容,最终导致陀螺的零偏、角随机游走系数、零偏稳定性、标度因子等关键性能的严重退化。在工程实际中有一定的参考价值。

关键词：微机械陀螺老化真空封装失效机理

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高温正向栅电流下Ti／Pt／Au栅SiC MESFET的栅退化机理

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微电子学 2009年第1期39卷 132-136页

作者：崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,... 详细信息

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,并通过对试验数据的分析,确定了栅的寄生并联电阻的缓慢退化是导致栅肖特基结和器件特性退化,甚至器件烧毁失效的主要原因。

关键词： SiC MESFET肖特基结栅退化可靠性

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双碳目标下的三族氮化物功率半导体技术

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机车电传动 2023年第5期 26-35页

作者：罗卓然何亮张津玮刘扬中山大学电子与信息工程学院广东广州510006 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州511370

能源生产清洁化和能源消费电气化是我国“双碳”政策的必经之路,功率半导体技术在这2个过程中发挥着重要作用。以氮化镓(GaN)为代表的三族氮化物功率半导体基于其优异的材料物理特性,未来应用前景广阔。历经二十余年产业链上下游技术发... 详细信息

能源生产清洁化和能源消费电气化是我国“双碳”政策的必经之路,功率半导体技术在这2个过程中发挥着重要作用。以氮化镓(GaN)为代表的三族氮化物功率半导体基于其优异的材料物理特性,未来应用前景广阔。历经二十余年产业链上下游技术发展,目前GaN功率半导体的关键共性技术,诸如大尺寸Si衬底上高耐压GaN材料外延、稳定常关型器件的制备以及与CMOS兼容的GaN工艺制备等,已逐步得到解决,产品在消费类电子领域实现了量产应用,但是GaN功率器件仍然面临着“用不起”“用不好”“不敢用”的问题,这限制了其应用领域的拓展。未来GaN功率半导体器件将向着更高功率密度与更高可靠性方向发展,伴随着大功率发展趋势,常开型器件与常关型器件2条技术路线相互竞争,并向着高频化趋势下的功率集成技术、低成本大功率纵向器件技术等方向进一步发展,在车载等更多更高端领域实现规模化应用。文章主要介绍了三族氮化物功率半导体技术发展现状和Si衬底GaN基功率器件的关键共性技术,以及分析目前GaN功率器件的应用瓶颈与未来的发展趋势。

关键词：双碳三族氮化物 GaN 功率半导体

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湿热对PoP封装可靠性影响的研究

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半导体技术 2010年第11期35卷 1054-1058,1098页

作者：刘海龙杨少华李国元华南理工大学电子与信息学院广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610

堆叠封装(package-on-package,PoP)是一种先进的三维封装。首先基于有限元分析方法对PoP封装进行建模,对PoP封装在潮湿环境中进行了吸湿和解吸附分析。研究了吸湿膨胀引入的湿应力和回流焊过程中引入的热应力对PoP封装可靠性的影响,与... 详细信息

堆叠封装(package-on-package,PoP)是一种先进的三维封装。首先基于有限元分析方法对PoP封装进行建模,对PoP封装在潮湿环境中进行了吸湿和解吸附分析。研究了吸湿膨胀引入的湿应力和回流焊过程中引入的热应力对PoP封装可靠性的影响,与热膨相似,聚合物与非聚合物膨胀系数不同会导致封装中出现吸湿不匹配应力。模拟结果表明,最大湿-机械应力出现在封装边缘焊球的边角处,顶层封装的湿-热-机械应力均比底层封装大。顶层封装是PoP封装的关键因素,湿气与热应力一样对PoP封装的可靠性起着重要的作用。

关键词：堆叠封装湿热应力有限元湿气扩散塑封器件

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微波数字控制移相器热特性的模拟研究

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半导体技术 2010年第6期35卷 546-549页

作者：宋芳芳来萍王韧何小琦谢国雄王雪松篮婉菲工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 国营第九七零厂成都610051 广州工业大学广州510075

热设计是大功率移相器设计中必须考虑的环节,使用有限元仿真技术对对某型号移相器产品的热特性进行了模拟研究,建立了移相器热仿真模型。模拟所得最高结温与实验结果能较好吻合,验证了所用模型及方法的正确性。研究分析了不同芯片和基... 详细信息

热设计是大功率移相器设计中必须考虑的环节,使用有限元仿真技术对对某型号移相器产品的热特性进行了模拟研究,建立了移相器热仿真模型。模拟所得最高结温与实验结果能较好吻合,验证了所用模型及方法的正确性。研究分析了不同芯片和基板粘结焊料空洞率、基板厚度以及不同基板材料和相对温升的关系,这些参数和温升定量关系,可以为移相器产品的热设计、优化参数、提高其可靠性提供理论依据。

关键词：移相器热分析模拟有限元法结温

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硬件木马综述

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微电子学 2011年第5期41卷 709-713页

作者：刘华锋罗宏伟王力纬华南理工大学电子与信息学院广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510640

集成电路在设计或制造过程中会受到硬件木马的攻击,使芯片与硬件的安全性受到威胁。硬件木马技术逐渐受到重视,已成为当今一个新的研究热点。文章介绍了硬件木马的概念,对三种主要的硬件木马分类方法进行了分析;着重探讨了硬件木马的检... 详细信息

集成电路在设计或制造过程中会受到硬件木马的攻击,使芯片与硬件的安全性受到威胁。硬件木马技术逐渐受到重视,已成为当今一个新的研究热点。文章介绍了硬件木马的概念,对三种主要的硬件木马分类方法进行了分析;着重探讨了硬件木马的检测方法。对检测方法存在的问题与面临的挑战进行了分析,指出基于旁路信号分析的硬件木马检测方法是当前最主要的一种检测方法。

关键词：硬件木马集成电路芯片安全检测方法

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化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析

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微电子学 2011年第1期41卷 143-145,149页

作者：林晓玲刘建章晓文侯通贤姚若河华南理工大学电子与信息学院微电子研究所广州510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室工业和信息化部电子第五研究所广州510610

探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封... 详细信息

探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求。

关键词：化学机械抛光 Cu互连工艺缺陷金属残留

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ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤

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电子元件与材料 2009年第9期28卷 20-23页

作者：石晓峰罗宏伟李斌华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610

电阻在静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用。利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性。结果表明,n阱扩散电阻在... 详细信息

电阻在静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用。利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性。结果表明,n阱扩散电阻在发生初次瞬态击穿(瞬态击穿电压79.0V,瞬态击穿电流1.97A)后,由于阳极n+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用。

关键词： n阱扩散电阻静电放电潜在损伤

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