检索结果-内蒙古大学图书馆

探测与控制学报 2025年第2期47卷 127-134页

作者：殷如心锁斌杨少华西南交通大学数学学院四川成都610031 西南科技大学复杂环境装备可靠性研究中心四川绵阳621900 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州511370

针对运算放大器退化数据不满足单调递增情况下的剩余寿命预测问题,提出一种结合倒挂数据处理和IG过程(逆高斯过程)的寿命预测新方法。首先利用Bayes后验期望对倒挂退化数据进行修正,然后建立每个样本的IG过程退化轨迹,利用加速模型实现... 详细信息

针对运算放大器退化数据不满足单调递增情况下的剩余寿命预测问题,提出一种结合倒挂数据处理和IG过程(逆高斯过程)的寿命预测新方法。首先利用Bayes后验期望对倒挂退化数据进行修正,然后建立每个样本的IG过程退化轨迹,利用加速模型实现正常应力下IG过程的参数估计后,利用非参核密度拟合参数的密度函数并用bootstrap求出其均值,进而得到运算放大器不同性能参数的IG过程模型。最后,利用多参数性能退化竞争失效求出运算放大器在不同时刻的剩余寿命。通过运算放大器加速退化数据的评估,验证了该方法的有效性。

关键词：运算放大器倒挂数据逆高斯过程剩余寿命核密度估计

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高温时效下Sn/SnPb混装焊点的微观组织研究

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华南理工大学学报（自然科学版） 2016年第5期44卷 8-14页

作者：周斌李勋平恩云飞卢桃何小琦姚若河华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州510610 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心广东广州510610

针对Sn/Sn Pb混合组装焊点在工艺兼容性和长期可靠性方面存在的问题,设计了带菊花链结构的板级电路,采用回流焊接工艺对无铅方形扁平封装(QFP)器件和Sn Pb焊料实现混合组装,对组装样品进行1500 h的高温老化实验。通过对高温老化前后混... 详细信息

针对Sn/Sn Pb混合组装焊点在工艺兼容性和长期可靠性方面存在的问题,设计了带菊花链结构的板级电路,采用回流焊接工艺对无铅方形扁平封装(QFP)器件和Sn Pb焊料实现混合组装,对组装样品进行1500 h的高温老化实验。通过对高温老化前后混装焊点显微组织的分析和电、力学性能的研究,探讨混装焊点两侧焊接界面金属间化合物(IMC)的生长规律及其对焊点电、力学性能的影响.结果表明:Cu6Sn5和Cu3Sn金属间化合物厚度均与老化时间的平方根呈线性关系,混装焊点界面的Cu6Sn5分解反应是Cu3Sn化合物的主要生长机制;老化过程中富铅相在焊接界面的聚集,切断了焊点内Sn原子的扩散通路,形成阻碍IMC层进一步生长的抑制区;焊点基体β-Sn的尺寸粗化、Pb的富聚以及具有本质脆性的IMC层状生长降低了焊点的抗拉强度,层状IMC的厚度在一定程度上反映了焊点的力学性能.

关键词：混合组装焊点高温老化金属间化合物可靠性

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聚合物/石墨烯复合材料制备与性能研究进展

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中国塑料 2022年第4期36卷 190-197页

作者：彭博肖运彬顾家宝陈梓钧唐雁煌朱刚徐焕翔工业和信息化部电子第五研究所元器件可靠性分析中心广州510610

首先综述了聚合物/石墨烯复合材料的制备方法,重点介绍了两种近些年新开发的制备方法;之后综述了聚合物/石墨烯复合材料的结构设计与性能;最后对聚合物/石墨烯复合材料的研究前景进行了展望。

关键词：石墨烯高分子材料结构性能复合材料

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基于电路和版图辅助的集成电路失效定位研究

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固体电子学研究与进展 2023年第5期43卷 462-466页

作者：陈选龙邝贤军陈兰林晓玲刘丽媛工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370

EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过... 详细信息

EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过有效电激励进行EMMI和OBIRCH分析,确认标记点是否属于失效的功能电路;再通过电路原理分析或版图确定可能的漏电位置和结构,最后经电路仿真或微探针测试等方法确定精确失效点。案例研究结果显示,基于电路和版图辅助法,可快速定位氧化层击穿形成的漏电、金属划伤引起的CMOS反相器负载低阻和金属刻蚀缺陷导致的功能失效,提高了失效分析的成功率。

关键词：失效分析电路分析 OBIRCH 光发射显微镜集成电路

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GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

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固体电子学研究与进展 2022年第2期42卷 146-149,162页

作者：刘丽媛郑林挺石高明林晓玲来萍陈选龙工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷... 详细信息

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。

关键词： GaAs集成电路金属化缺陷光发射显微镜光致电阻变化失效分析

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杂质诱导磷锗锌晶体光学薄膜激光损伤的研究

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中国激光 2015年第6期42卷 216-223页

作者：郝明明路国光汪丽娜秦莉朱洪波刘夏工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州510610 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心广东广州510610 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室吉林长春130033

对磷锗锌晶体光学薄膜激光损伤的机理进行了实验和理论研究。将同一批生长的磷锗锌晶体切割为6块,并利用相同的工艺对这些晶体进行抛光;对其中4只样品镀制双波段多层增透膜,利用扫描电子显微镜观察这4只样品的光学薄膜形貌,发现薄膜的... 详细信息

对磷锗锌晶体光学薄膜激光损伤的机理进行了实验和理论研究。将同一批生长的磷锗锌晶体切割为6块,并利用相同的工艺对这些晶体进行抛光;对其中4只样品镀制双波段多层增透膜,利用扫描电子显微镜观察这4只样品的光学薄膜形貌,发现薄膜的大部分区域成膜质量较好,但也有小部分区域形成团簇;利用二次离子质谱仪分析了薄膜的组成成分,发现在该薄膜的Zr O2层含有Pt元素;利用波长为2μm、脉宽为31 ns的固体激光器对磷锗锌晶体样品进行激光损伤阈值测试,得出4只镀膜样品的激光损伤阈值平均值为0.68 J/cm2,其他2只未镀膜样品的损伤阈值平均值为1.1 J/cm2。利用有限元仿真方法计算了杂质作用下薄膜的激光损伤阈值,研究了杂质颗粒的半径和填埋深度对损伤阈值的影响,计算了薄膜的理论激光损伤阈值,证明了Pt杂质颗粒的存在对磷锗锌晶体表面增透膜的激光损伤阈值有很大影响,所以控制该杂质的浓度对提高薄膜的损伤阈值具有重要意义。

关键词：薄膜激光损伤杂质诱导磷锗锌晶体有限元仿真

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工业和信息化部电子第五研究所工程中心成功举办《汽车电子质量可靠性——发展与机遇交流研讨会》

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电子产品可靠性与环境试验 2017年第4期35卷 61-61页

作者：王毅工业和信息化部电子第五研究所可靠性与环境工程研究中心民品部

2017年6月29日，工业和信息化部电子第五研究所可靠性与环境工程研究中心在广州举办了《汽车电子质量可靠性——发展与机遇交流研讨会》。来自全国各地包括广汽乘用车、广汽零部件、东风日产、五羊本田、华为技术和德赛西威等数十家知... 详细信息

2017年6月29日，工业和信息化部电子第五研究所可靠性与环境工程研究中心在广州举办了《汽车电子质量可靠性——发展与机遇交流研讨会》。来自全国各地包括广汽乘用车、广汽零部件、东风日产、五羊本田、华为技术和德赛西威等数十家知名汽车及零部件企业的上百名代表参加了本次交流研讨会。

关键词：质量可靠性汽车电子研究所信息化交流工程中心工业零部件企业

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工艺参数对Sn-0.3Ag-0.7Cu/Cu焊点界面组织和力学性能的影响

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特种铸造及有色合金 2012年第2期32卷 168-171,175页

作者：师磊卫国强罗道军贺光辉华南理工大学机械与汽车工程学院工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心

互连焊点界面反应形成的金属间化合物(IMC)对焊点服役可靠性会产生显著影响。研究了不同工艺参数(回流温度、回流时间和回流次数)条件下,Sn-0.3Ag-0.7Cu/Cu焊点界面金属间化合物的演变及对焊点力学性能的影响,同时对焊点断裂机制进行了... 详细信息

互连焊点界面反应形成的金属间化合物(IMC)对焊点服役可靠性会产生显著影响。研究了不同工艺参数(回流温度、回流时间和回流次数)条件下,Sn-0.3Ag-0.7Cu/Cu焊点界面金属间化合物的演变及对焊点力学性能的影响,同时对焊点断裂机制进行了分析。结果表明,随着回流温度和回流时间的增加,金属间化合物η-Cu6Sn5相的形貌由贝状向板条状转变,并可观察到η相溶入焊点内部。在265℃回流时,随着回流时间增加,贝状η相不断长大,晶粒数不断减少;界面IMC的生长符合幂指数生长规律,其生长指数为0.339。回流次数对焊点剪切强度的影响为先增后减,断裂模式从纯剪切断裂到微孔聚集型断裂再到局部脆断转变。

关键词： Sn-0.3Ag-0.7Cu无铅钎料回流焊 IMC形貌剪切强度断裂机制

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基于本体的软件安全漏洞模式

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北京航空航天大学学报 2024年第10期50卷 3084-3099页

作者：胡璇陈俊名李海峰工业和信息化部电子第五研究所信息安全中心广州511370 基础软硬件性能与可靠性测试工业和信息化部重点实验室广州511370 北京航空航天大学可靠性与系统工程学院北京100191

针对软件缺陷与软件安全漏洞研究中存在的概念混淆问题,对DevSecOps框架下的软件安全漏洞生存期进行研究。基于软件安全漏洞生存期引入漏洞的4种情况,结合漏洞的特点提出软件安全漏洞模式定义,并采用本体方法进行表示。本体是概念化明... 详细信息

针对软件缺陷与软件安全漏洞研究中存在的概念混淆问题,对DevSecOps框架下的软件安全漏洞生存期进行研究。基于软件安全漏洞生存期引入漏洞的4种情况,结合漏洞的特点提出软件安全漏洞模式定义,并采用本体方法进行表示。本体是概念化明确的规范说明,能够解决软件安全漏洞研究领域存在的二义性、不一致性、难以共享,以及由分析知识分散所导致的对人员知识和经验过度依赖的问题。以软件安全漏洞模式的分析为基础,兼顾宏观事件表现,构造漏洞分析的3层模型,即事件表示层、行为动作层和漏洞技术层。实例应用所构模型的层次结构实施渗透测试,包括安全风险分析、威胁建模、漏洞分析及渗透攻击等。实验结果表明:基于所提软件安全漏洞模式本体库的改进渗透测试具有科学性和有效性。

关键词：软件缺陷软件安全漏洞模式本体渗透测试

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石墨烯制备与改性的研究进展

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塑料科技 2020年第11期48卷 123-128页

作者：彭博陈梓钧唐雁煌张旭辉徐焕翔朱刚工业和信息化部电子第五研究所元器件可靠性分析中心广东广州510610

石墨烯具有优异的光学、电学和力学特性,在材料科学、超级电容器、能源、传感器、纳米器件和锂离子电池等领域具有巨大的应用前景,石墨烯的制备及改性是石墨烯应用的前提。介绍了石墨烯的主要制备方法和还原方法,然后从改性原理出发,分... 详细信息

石墨烯具有优异的光学、电学和力学特性,在材料科学、超级电容器、能源、传感器、纳米器件和锂离子电池等领域具有巨大的应用前景,石墨烯的制备及改性是石墨烯应用的前提。介绍了石墨烯的主要制备方法和还原方法,然后从改性原理出发,分类概述了基于羧基、环氧基团和共轭结构的共价键改性石墨烯的研究进展,及基于π-π堆叠作用、静电力作用和氢键作用的非共价键改性石墨烯的研究进展。最后,对石墨烯材料发展存在的主要问题及发展方向进行了展望。

关键词：石墨烯制备共价键改性非共价键改性

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