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华南理工大学学报（自然科学版） 2016年第5期44卷 8-14页

作者：周斌李勋平恩云飞卢桃何小琦姚若河华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州510610 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心广东广州510610

针对Sn/Sn Pb混合组装焊点在工艺兼容性和长期可靠性方面存在的问题,设计了带菊花链结构的板级电路,采用回流焊接工艺对无铅方形扁平封装(QFP)器件和Sn Pb焊料实现混合组装,对组装样品进行1500 h的高温老化实验。通过对高温老化前后混... 详细信息

针对Sn/Sn Pb混合组装焊点在工艺兼容性和长期可靠性方面存在的问题,设计了带菊花链结构的板级电路,采用回流焊接工艺对无铅方形扁平封装(QFP)器件和Sn Pb焊料实现混合组装,对组装样品进行1500 h的高温老化实验。通过对高温老化前后混装焊点显微组织的分析和电、力学性能的研究,探讨混装焊点两侧焊接界面金属间化合物(IMC)的生长规律及其对焊点电、力学性能的影响.结果表明:Cu6Sn5和Cu3Sn金属间化合物厚度均与老化时间的平方根呈线性关系,混装焊点界面的Cu6Sn5分解反应是Cu3Sn化合物的主要生长机制;老化过程中富铅相在焊接界面的聚集,切断了焊点内Sn原子的扩散通路,形成阻碍IMC层进一步生长的抑制区;焊点基体β-Sn的尺寸粗化、Pb的富聚以及具有本质脆性的IMC层状生长降低了焊点的抗拉强度,层状IMC的厚度在一定程度上反映了焊点的力学性能.

关键词：混合组装焊点高温老化金属间化合物可靠性

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聚合物/石墨烯复合材料制备与性能研究进展

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中国塑料 2022年第4期36卷 190-197页

作者：彭博肖运彬顾家宝陈梓钧唐雁煌朱刚徐焕翔工业和信息化部电子第五研究所元器件可靠性分析中心广州510610

首先综述了聚合物/石墨烯复合材料的制备方法,重点介绍了两种近些年新开发的制备方法;之后综述了聚合物/石墨烯复合材料的结构设计与性能;最后对聚合物/石墨烯复合材料的研究前景进行了展望。

关键词：石墨烯高分子材料结构性能复合材料

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杂质诱导磷锗锌晶体光学薄膜激光损伤的研究

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中国激光 2015年第6期42卷 216-223页

作者：郝明明路国光汪丽娜秦莉朱洪波刘夏工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州510610 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心广东广州510610 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室吉林长春130033

对磷锗锌晶体光学薄膜激光损伤的机理进行了实验和理论研究。将同一批生长的磷锗锌晶体切割为6块,并利用相同的工艺对这些晶体进行抛光;对其中4只样品镀制双波段多层增透膜,利用扫描电子显微镜观察这4只样品的光学薄膜形貌,发现薄膜的... 详细信息

对磷锗锌晶体光学薄膜激光损伤的机理进行了实验和理论研究。将同一批生长的磷锗锌晶体切割为6块,并利用相同的工艺对这些晶体进行抛光;对其中4只样品镀制双波段多层增透膜,利用扫描电子显微镜观察这4只样品的光学薄膜形貌,发现薄膜的大部分区域成膜质量较好,但也有小部分区域形成团簇;利用二次离子质谱仪分析了薄膜的组成成分,发现在该薄膜的Zr O2层含有Pt元素;利用波长为2μm、脉宽为31 ns的固体激光器对磷锗锌晶体样品进行激光损伤阈值测试,得出4只镀膜样品的激光损伤阈值平均值为0.68 J/cm2,其他2只未镀膜样品的损伤阈值平均值为1.1 J/cm2。利用有限元仿真方法计算了杂质作用下薄膜的激光损伤阈值,研究了杂质颗粒的半径和填埋深度对损伤阈值的影响,计算了薄膜的理论激光损伤阈值,证明了Pt杂质颗粒的存在对磷锗锌晶体表面增透膜的激光损伤阈值有很大影响,所以控制该杂质的浓度对提高薄膜的损伤阈值具有重要意义。

关键词：薄膜激光损伤杂质诱导磷锗锌晶体有限元仿真

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多轴疲劳模型对比研究及其在核电结构热疲劳寿命预测中的应用

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原子能科学技术 2018年第4期52卷 677-684页

作者：雷柏茂李骞黄创绵王春辉工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 广东省电子信息产品可靠性技术重点实验室广东广州510610 广东省电子信息产品可靠性与环境工程技术研究开发中心广东广州510610

压水堆核电站余热排出系统冷热水混合区管道发现的热疲劳问题影响核反应堆的安全。本文通过一种采用单轴疲劳试验数据拟合疲劳寿命曲线,进而用于预测多轴疲劳寿命的分析方法,基于文献中的疲劳试验数据,对Dang Van模型、Matake模型和Fate... 详细信息

压水堆核电站余热排出系统冷热水混合区管道发现的热疲劳问题影响核反应堆的安全。本文通过一种采用单轴疲劳试验数据拟合疲劳寿命曲线,进而用于预测多轴疲劳寿命的分析方法,基于文献中的疲劳试验数据,对Dang Van模型、Matake模型和Fatemi-Socie模型进行了余热排出系统冷热水混合区管道材料304L不锈钢疲劳寿命预测结果的对比研究。基于余热排出系统冷热水混合区管道的三维简化有限元模型,分别应用Dang Van模型、Matake模型和Fatemi-Socie模型对管道热疲劳寿命进行了预测,并与试验结果进行了对比验证。研究结果表明,基于应变(含平均应力修正)的Fatemi-Socie模型比较适用于304L不锈钢的疲劳分析,其热疲劳寿命预测结果相对Dang Van模型、Matake模型较合理。

关键词：多轴疲劳热疲劳 304L不锈钢余热排出系统

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不同温度下Sn-0.7Cu钎料在非晶Fe84.3Si10.3B5.4合金上的润湿行为及界面特征

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材料导报 2018年第18期32卷 3208-3212页

作者：侯斌刘凤美王宏芹李琪万娣张宇鹏广东省焊接技术研究所(广东省中乌研究院) 广东省现代焊接技术重点实验室广州510650 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心广州510610

采用座滴法及利用SEM-EDS分别对Sn、Sn-37Pb、Sn-58Bi和Sn-0.7Cu四种钎料在非晶Fe_(84.3)Si_(10.3)B_(5.4)合金上的静态润湿及界面特征进行了对比研究,优选出Sn-0.7Cu钎料作为适用于非晶Fe_(84.3)Si_(10.3)B_(5.4)合金的焊接钎料。进而采用座滴法研究了不同温度下Sn-0.7Cu钎料在非晶Fe_(84.3)Si_(10.3)B_(5.4)合金上的动态润湿行为,并利用SEM-EDS观察分析了其在非晶Fe_(84.3)Si_(10.3)B_(5.4)合金表面润湿后的界面微观组织形貌及成分。结果表明,Sn-0.7Cu钎料在非晶Fe_(84.3)Si_(10.3)B_(5.4)合金上的最终平衡润湿角随着温度的升高而变小,润湿性越来越好;同时Sn-0.7Cu与非晶Fe_(84.3)Si_(10.3)B_(5.4)合金界面上形成的FeSn_2金属间化合物由间断分布变为连续分布,且其厚度逐渐增加,界面反应逐渐增强。

关键词： Sn-Cu钎料非晶Fe84.3Si10.3B5.4合金润湿行为界面反应

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石墨烯制备与改性的研究进展

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塑料科技 2020年第11期48卷 123-128页

作者：彭博陈梓钧唐雁煌张旭辉徐焕翔朱刚工业和信息化部电子第五研究所元器件可靠性分析中心广东广州510610

石墨烯具有优异的光学、电学和力学特性,在材料科学、超级电容器、能源、传感器、纳米器件和锂离子电池等领域具有巨大的应用前景,石墨烯的制备及改性是石墨烯应用的前提。介绍了石墨烯的主要制备方法和还原方法,然后从改性原理出发,分... 详细信息

石墨烯具有优异的光学、电学和力学特性,在材料科学、超级电容器、能源、传感器、纳米器件和锂离子电池等领域具有巨大的应用前景,石墨烯的制备及改性是石墨烯应用的前提。介绍了石墨烯的主要制备方法和还原方法,然后从改性原理出发,分类概述了基于羧基、环氧基团和共轭结构的共价键改性石墨烯的研究进展,及基于π-π堆叠作用、静电力作用和氢键作用的非共价键改性石墨烯的研究进展。最后,对石墨烯材料发展存在的主要问题及发展方向进行了展望。

关键词：石墨烯制备共价键改性非共价键改性

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基于电路和版图辅助的集成电路失效定位研究

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固体电子学研究与进展 2023年第5期43卷 462-466页

作者：陈选龙邝贤军陈兰林晓玲刘丽媛工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370

EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过... 详细信息

EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过有效电激励进行EMMI和OBIRCH分析,确认标记点是否属于失效的功能电路;再通过电路原理分析或版图确定可能的漏电位置和结构,最后经电路仿真或微探针测试等方法确定精确失效点。案例研究结果显示,基于电路和版图辅助法,可快速定位氧化层击穿形成的漏电、金属划伤引起的CMOS反相器负载低阻和金属刻蚀缺陷导致的功能失效,提高了失效分析的成功率。

关键词：失效分析电路分析 OBIRCH 光发射显微镜集成电路

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GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

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固体电子学研究与进展 2022年第2期42卷 146-149,162页

作者：刘丽媛郑林挺石高明林晓玲来萍陈选龙工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷... 详细信息

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。

关键词： GaAs集成电路金属化缺陷光发射显微镜光致电阻变化失效分析

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基于模糊综合评判和层次分析法的中子管故障风险评估

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原子能科学技术 2019年第11期53卷 2247-2256页

作者：雷柏茂李江燕梁佩博杨林森孙强工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 广东省电子信息产品可靠性技术重点实验室广东广州510610 电子信息产品可靠性分析与测试技术国家地方联合工程中心广东广州510610 北京信成科技集团北京100038

中子管是一种用途广泛的关键部件,然而目前国产中子管的可靠性水平与国外相比还有一定差距,难以满足各行业的使用需求。本文分析了中子管的主要故障模式,采用模糊综合评判和层次分析法对中子管故障进行了多级模糊综合评判,并对中子管故... 详细信息

中子管是一种用途广泛的关键部件,然而目前国产中子管的可靠性水平与国外相比还有一定差距,难以满足各行业的使用需求。本文分析了中子管的主要故障模式,采用模糊综合评判和层次分析法对中子管故障进行了多级模糊综合评判,并对中子管故障风险进行了评估。结果表明,中子管总体故障风险水平中等,故障风险前3位的部件为靶、氘氚储存器和加速极,在设计和使用中应重点关注靶释放氦气,靶膜氧化,氘氚储存器吸气剂局部破损,绝缘瓷管破损,加速极离子加速、聚焦不稳定等故障。

关键词：中子管模糊综合评判层次分析法故障风险

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多层瓷介电容器失效模式和机理

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电子元件与材料 2011年第7期30卷 72-75,80页

作者：刘欣李萍蔡伟工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点试验室广东广州510610 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心广东广州510610

系统介绍了开路、短路和电参数漂移这三种主要的MLCC失效模式,以及介质层内空洞和电极结瘤、介质层分层、热应力和机械应力引起介质层裂纹、其他微观机理等五种主要的失效机理。针对MLCC的失效分析技术,从生产工艺和使用设计上提出了预... 详细信息

系统介绍了开路、短路和电参数漂移这三种主要的MLCC失效模式,以及介质层内空洞和电极结瘤、介质层分层、热应力和机械应力引起介质层裂纹、其他微观机理等五种主要的失效机理。针对MLCC的失效分析技术,从生产工艺和使用设计上提出了预防MLCC失效的措施。

关键词：多层瓷介电容器失效分析综述失效模式失效机理

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