检索结果-内蒙古大学图书馆

2011年10～11月颁布的部分电气与电子类IEC标准

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电子产品可靠性与环境试验 2012年第6期30卷 64-65页

作者：蔡日梅工业和信息化部电子第五研究所标准与信息研究中心

349、ISO／IEC19794—4Corr．

关键词： IEC标准电子类电气数据交换格式生物统计学图像数据信息技术 ISO

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粉末标准曲线XRF法检测土壤中的重/类金属

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环境科学与技术 2014年第9期37卷 92-98页

作者：黄秋鑫孙秀敏工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝环境评估与监测中心广东广州510610

建立并验证一种简便、快速、准确、可靠的土壤中7种典型重金属元素（铅、镉、汞、铬、铜、锌、镍）和1种类金属元素（砷）的粉末标准曲线XRF检测方法。研究XRF检测中土壤样品的粒度、密度、样品量、XRF检测参数及干扰效应等的影响，优化... 详细信息

建立并验证一种简便、快速、准确、可靠的土壤中7种典型重金属元素（铅、镉、汞、铬、铜、锌、镍）和1种类金属元素（砷）的粉末标准曲线XRF检测方法。研究XRF检测中土壤样品的粒度、密度、样品量、XRF检测参数及干扰效应等的影响，优化XRF检测土壤样品的前处理方法、检测条件和定量标准曲线，以建立土壤样品中铅、镉、汞、铬、砷、铜、锌、镍的XRF检测方法。研究表明，通过选择合适的滤光片，可明显提高XRF检测灵敏度；随着粒度的减小，样品均匀度不断提高，样品密度也随着提高，XRF响应也逐渐下降及稳定，相对标准偏差从1．4％．14．1％降至0．5％～2．0％，最终选择粒度〈200目的土壤样品4g，装入样品罐中手动抖实后，进行XRF检测；使用土壤加标样品制作XRF检测定量标准曲线，线性相关系数r^2〉0．99，再通过土壤标准样品进行验证、校正，降低不同土壤样品基质对定量产生的影响。所建XRF检测方法与ICP－MS方法检测结果吻合度高，方法稳定性好，方法检测限低（4．5～58．9mg／kg），其中5种元素满足GB15618－1995中一级限量标准的检测要求。土壤监测结果表明，目标区土壤均符合二级土壤限量标准，其中2个样品符合一级标准，该区土壤环境质量总体较好。

关键词： X射线荧光光谱法土壤重金属研磨粉末

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2010年3-5月颁布的部分电气与电子类IEC标准

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电子产品可靠性与环境试验 2011年第3期29卷 62-64页

作者：蔡日梅工业和信息化部电子第五研究所标准与信息研究中心

*** 61280-2-1（2010年3月18日）光纤通信子系统试验规程——第2-1部分：数字系统——接收机灵敏度和过载测量***

关键词： IEC标准电子类通信子系统电气接收机灵敏度试验规程过载测量数字系统

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2013年5-6月颁布的部分电气与电子类IEC标准

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电子产品可靠性与环境试验 2017年第6期35卷 64-65页

作者：陈静工业和信息化部电子第五研究所标准与信息研究中心

157、IEC/TS 62600-200（2013年5月7日）海洋能——波浪,潮汐和其他水能转换器———第200部分：电力生产的潮汐能量变换器——功率性能评价158、CISPR 15（2013年5月8日）电气照明和类似设备的无线电干扰性能的限值和测试方法159、IEC ... 详细信息

157、IEC/TS 62600-200（2013年5月7日）海洋能——波浪,潮汐和其他水能转换器———第200部分：电力生产的潮汐能量变换器——功率性能评价158、CISPR 15（2013年5月8日）电气照明和类似设备的无线电干扰性能的限值和测试方法159、IEC 61300-2-7（2013年5月8日）光纤互连器件和无源元件——基本试验和测量.

关键词： IEC标准电气照明电子类能量变换器 CISPR 性能评价电力生产测试方法

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2013年1月颁布的部分电气与电子类IEC标准

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电子产品可靠性与环境试验 2016年第4期 64-65页

作者：陈静工业和信息化部电子第五研究所标准与信息研究中心

1、ISO/IEC 22536（2013年1月3日）信息技术——系统间远程通讯和信息交换———近场通信接口和协议（NFCIP-1）——射频接口试验方法2、ISO/IEC 20944-1（2013年1月8日）信息技术——元数据登记的互操作性和绑定（MDR-IB）——第1部分... 详细信息

1、ISO/IEC 22536（2013年1月3日）信息技术——系统间远程通讯和信息交换———近场通信接口和协议（NFCIP-1）——射频接口试验方法2、ISO/IEC 20944-1（2013年1月8日）信息技术——元数据登记的互操作性和绑定（MDR-IB）——第1部分：框架、常用词汇、常用规格的一致性3、ISO/IEC 20944-2（2013年1月8日）信息技术——元数据登记的互操作性和绑定，

关键词：电子类互操作性 IEC标准信息交换接口通信远程通讯常用规格通信接口信息技术性能测试

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2013年1-4月颁布的部分电气与电子类IEC标准

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电子产品可靠性与环境试验 2016年第5期34卷 61-64页

作者：陈静工业和信息化部电子第五研究所标准与信息研究中心

35、IEC 60364-7-713（2013年2月6日）低压电气装置——第7-713部分：特殊装置或场所要求——家具36、IEC 61587-3（2013年2月6日）电子仪器用机械结构——IEC 60917和IEC60297用的试验——第3部分：柜子和机架的电磁屏蔽性能试验37、IE... 详细信息

35、IEC 60364-7-713（2013年2月6日）低压电气装置——第7-713部分：特殊装置或场所要求——家具36、IEC 61587-3（2013年2月6日）电子仪器用机械结构——IEC 60917和IEC60297用的试验——第3部分：柜子和机架的电磁屏蔽性能试验37、IEC 61753-051-3（2013年2月6日）光纤互连器件和无源元件——性能标准———第051-3部分：U类单模光纤接插固定衰减器———非受控环境38、IEC 60068-2-65（2013年2月6日）

关键词： IEC标准低压电气装置电子类性能试验单模光纤特殊装置机械结构电子仪器

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2012年12月颁布的部分电气与电子类IEC标准

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电子产品可靠性与环境试验 2016年第4期 63-64页

作者：陈静工业和信息化部电子第五研究所标准与信息研究中心

*** 60191-6-22（2012年12月11日）半导体装置的机械标准化——第6-22部分：表面安装半导体装置组的大纲图纸准备工作总则——半导体组硅细间距球栅阵列与硅细间距连接盘网格阵列（S-FBGA与S-FLGA）的设计指南，

关键词：电子类 IEC标准球栅阵列细间距高压开关装置装置组电开关设计指南四芯电缆连接盘

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基于电路和版图辅助的集成电路失效定位研究

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固体电子学研究与进展 2023年第5期43卷 462-466页

作者：陈选龙邝贤军陈兰林晓玲刘丽媛工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370

EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过... 详细信息

EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过有效电激励进行EMMI和OBIRCH分析,确认标记点是否属于失效的功能电路;再通过电路原理分析或版图确定可能的漏电位置和结构,最后经电路仿真或微探针测试等方法确定精确失效点。案例研究结果显示,基于电路和版图辅助法,可快速定位氧化层击穿形成的漏电、金属划伤引起的CMOS反相器负载低阻和金属刻蚀缺陷导致的功能失效,提高了失效分析的成功率。

关键词：失效分析电路分析 OBIRCH 光发射显微镜集成电路

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聚合物锂离子电池隔膜的研究进展

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工程塑料应用 2024年第11期52卷 154-164页

作者：王晓蔡戬盛德星工业和信息化部电子第五研究所广州511370 广州赛宝认证中心服务有限公司广州511370

近些年来,随着便携式电子产品的普及和对新能源需求的增长,锂离子电池因其能量密度高、寿命长、自放电率低等优点而受到广泛关注。然而,锂离子电池隔膜作为锂电池的重要组件,在材料创新、制备工艺、性能优化等方面仍然存在挑战,因此,开... 详细信息

近些年来,随着便携式电子产品的普及和对新能源需求的增长,锂离子电池因其能量密度高、寿命长、自放电率低等优点而受到广泛关注。然而,锂离子电池隔膜作为锂电池的重要组件,在材料创新、制备工艺、性能优化等方面仍然存在挑战,因此,开发新型聚合物锂离子电池隔膜技术成为未来潜在的重要课题之一。介绍了纤维素、纳米复合等手段以用于开发新型聚合物隔膜材料,综述了先进的隔膜制造技术如静电纺丝、真空抽滤、表面涂覆、层层自组装等方法的最新研究进展,揭示了隔膜微观结构的调控以提高锂离子在隔膜中的传输效率,并阐述了锂离子电池热管理系统的特点。最后,总结了聚合物锂离子电池隔膜在新能源领域所面临的挑战,并展望了其未来的发展前景。

关键词：聚合物锂离子电池隔膜进展

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GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

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固体电子学研究与进展 2022年第2期42卷 146-149,162页

作者：刘丽媛郑林挺石高明林晓玲来萍陈选龙工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷... 详细信息

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。

关键词： GaAs集成电路金属化缺陷光发射显微镜光致电阻变化失效分析

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