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  • 5 篇 艺术学
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主题

  • 33 篇 可靠性
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  • 25 篇 电气
  • 25 篇 失效分析
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  • 14 篇 环境试验
  • 13 篇 iec
  • 12 篇 电子元器件
  • 12 篇 集成电路
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  • 10 篇 建议
  • 10 篇 可靠性试验
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  • 8 篇 可靠性评估
  • 8 篇 示值误差
  • 8 篇 失效机理
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  • 7 篇 环境适应性

机构

  • 825 篇 工业和信息化部电...
  • 187 篇 中国电子技术标准...
  • 123 篇 广东省电子信息产...
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  • 56 篇 工业和信息化部电...
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  • 54 篇 广东省电子信息产...
  • 46 篇 清华大学
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  • 34 篇 华为技术有限公司
  • 33 篇 电子信息产品可靠...
  • 32 篇 国家工业信息安全...
  • 31 篇 电子信息产品可靠...
  • 30 篇 上海市质量监督检...
  • 29 篇 东南大学
  • 29 篇 工业和信息化部电...

作者

  • 40 篇 崔强
  • 26 篇 姜涛
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  • 22 篇 王远航
  • 21 篇 李小兵
  • 21 篇 黄雪梅
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  • 19 篇 陈静
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  • 19 篇 黄创绵
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  • 15 篇 谢鸣

语言

  • 1,171 篇 中文
检索条件"机构=工业和信息化部电子第五研究所标准与信息研究中心"
1171 条 记 录,以下是61-70 订阅
排序:
2008年6~8月颁布的分电气与电子类IEC标准
收藏 引用
电子产品可靠性与环境试验 2009年 第1期27卷 70-71页
作者: 蔡日梅 工业和信息化部电子第五研究所信息研究中心
279、IEC
来源: 评论
2009年8月~10月颁布的分电气与电子类IEC标准
收藏 引用
电子产品可靠性与环境试验 2010年 第2期28卷 64-65页
作者: 蔡日梅 工业和信息化部电子第五研究所信息研究中心
*** 62351-5(2009年8月18)功率系统管理和有关信息交换--数据和通信安全性--第5分:IEC 0870-5和派生的安全性*** 62386-207(2009年8月18)数字可设地址照明接口_第207分:控制传动装置专门要求——LED模数(6类装置)
来源: 评论
2010年1-3月颁布的分电气与电子类IEC标准
收藏 引用
电子产品可靠性与环境试验 2010年 第5期28卷 61-63页
作者: 蔡日梅 工业和信息化部电子第五研究所信息研究中心
***60071—1-aml(2010年1月14日)修改1——绝缘配合——第1分:定义。
来源: 评论
2008年1~4月颁布的分电气与电子类IEC标准
收藏 引用
电子产品可靠性与环境试验 2008年 第4期26卷 62-65页
作者: 蔡日梅 工业和信息化部电子第五研究所信息研究中心
1、IEC
来源: 评论
2009年11月~12月颁布的分电气与电子类IEC标准
收藏 引用
电子产品可靠性与环境试验 2010年 第4期28卷 64-65页
作者: 蔡日梅 工业和信息化部电子第五研究所信息研究中心
*** 62423(2009年11月20日)有和没有集合过电流保护的家用和类似用途F和B型过电流保护断路器***
来源: 评论
2009年4月~6月颁布的分电气与电子类IEC标准
收藏 引用
电子产品可靠性与环境试验 2009年 第5期27卷 63-65页
作者: 刘智雅 工业和信息化部电子第五研究所信息研究中心
平衡同轴信息技术卷缆柱的测试——第3分:ISO/IEC15018和有关标准中规定的绝缘卷缆柱绝缘
来源: 评论
多层瓷介电容器失效模式和机理
收藏 引用
电子元件与材料 2011年 第7期30卷 72-75,80页
作者: 刘欣 李萍 蔡伟 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点试验室 广东广州510610 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心 广东广州510610
系统介绍了开路、短路和电参数漂移这三种主要的MLCC失效模式,以及介质层内空洞和电极结瘤、介质层分层、热应力和机械应力引起介质层裂纹、其他微观机理等种主要的失效机理。针对MLCC的失效分析技术,从生产工艺和使用设计上提出了预... 详细信息
来源: 评论
14 nm FinFET和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比
收藏 引用
物理学报 2020年 第5期69卷 133-140页
作者: 张战刚 雷志锋 童腾 李晓辉 王松林 梁天骄 习凯 彭超 何玉娟 黄云 恩云飞 工业和信息化部电子第五研究所 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510610 中国科学院高能物理研究所 北京100049 散裂中子源科学中心 东莞523803 中国科学院微电子研究所 北京100029
使用中国散裂中子源提供的宽能谱中子束流,开展14 nm FinFET工艺和65 nm平面工艺静态随机存取存储器中子单粒子翻转对比研究,发现相比于65 nm器件,14 nm FinFET器件的大气中子单粒子翻转截面下降至约1/40,而多位翻转比例从2.2%增大至7.... 详细信息
来源: 评论
不同温度下Sn-0.7Cu钎料在非晶Fe84.3Si10.3B5.4合金上的润湿行为及界面特征
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材料导报 2018年 第18期32卷 3208-3212页
作者: 侯斌 刘凤美 王宏芹 李琪 万娣 张宇鹏 广东省焊接技术研究所(广东省中乌研究院) 广东省现代焊接技术重点实验室广州510650 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心 广州510610
采用座滴法及利用SEM-EDS分别对Sn、Sn-37Pb、Sn-58Bi和Sn-0.7Cu四种钎料在非晶Fe_(84.3)Si_(10.3)B_(5.4)合金上的静态润湿及界面特征进行了对比研究,优选出Sn-0.7Cu钎料作为适用于非晶Fe_(84.3)Si_(10.3)B_(5.4)合金的焊接钎料。进而... 详细信息
来源: 评论
工艺参数对Sn-0.3Ag-0.7Cu/Cu焊点界面组织和力学性能的影响
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特种铸造及有色合金 2012年 第2期32卷 168-171,175页
作者: 师磊 卫国强 罗道军 贺光辉 华南理工大学机械与汽车工程学院 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心
互连焊点界面反应形成的金属间合物(IMC)对焊点服役可靠性会产生显著影响。研究了不同工艺参数(回流温度、回流时间和回流次数)条件下,Sn-0.3Ag-0.7Cu/Cu焊点界面金属间合物的演变及对焊点力学性能的影响,同时对焊点断裂机制进行了... 详细信息
来源: 评论