检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 313-316页

作者：陆裕东何小琦恩云飞工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室广州510640

采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用... 详细信息

采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用下,Al原子沿电子流方向扩散进入Al互连层下方的焊料中。同时,随着电流加载时间的延长,化学位梯度和内部应力的作用致使焊料成分向Al互连金属扩散,Al互连金属层形成空洞的同时其成分发生变化。

关键词：倒装芯片电迁移互连失效

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大功率LED照明灯有限元热设计与高效系统开发

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半导体技术 2010年第5期35卷 431-435页

作者：冯先龙恩云飞宋芳芳广东工业大学广州510090 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610

随着LED亮度要求的不断提高,LED的温度分布和采用的散热手段对LED的可靠性有很大影响。利用ANSYS软件对LED照明的散热问题进行了详细的模拟计算。基于100 WLED实验和模拟结果的一致性,分析比较了不同结构和加载方式对200 WLED温度分布... 详细信息

随着LED亮度要求的不断提高,LED的温度分布和采用的散热手段对LED的可靠性有很大影响。利用ANSYS软件对LED照明的散热问题进行了详细的模拟计算。基于100 WLED实验和模拟结果的一致性,分析比较了不同结构和加载方式对200 WLED温度分布的影响。采用增加散热片个数及其长度、Al锭厚度、灯头的直径等因素,对LED的散热进行了优化设计,结合基于VC++的二次开发系统,较好实现了LED热模拟分析。研究发现LED照明灯的传热方向主要是轴向,轴向散热设计可提高LED开发效率;点阵排列LED灯的温度分布呈现一定的温度梯度;在基于实验验证的模拟可以较好实现不同功率的LED灯散热设计。模拟分析为LED的散热方案优化设计提供了有效的参考依据和手段。

关键词：大功率LED 散热设计 ANSYS有限元优化设计

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湿热对PoP封装可靠性影响的研究

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半导体技术 2010年第11期35卷 1054-1058,1098页

作者：刘海龙杨少华李国元华南理工大学电子与信息学院广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610

堆叠封装(package-on-package,PoP)是一种先进的三维封装。首先基于有限元分析方法对PoP封装进行建模,对PoP封装在潮湿环境中进行了吸湿和解吸附分析。研究了吸湿膨胀引入的湿应力和回流焊过程中引入的热应力对PoP封装可靠性的影响,与... 详细信息

堆叠封装(package-on-package,PoP)是一种先进的三维封装。首先基于有限元分析方法对PoP封装进行建模,对PoP封装在潮湿环境中进行了吸湿和解吸附分析。研究了吸湿膨胀引入的湿应力和回流焊过程中引入的热应力对PoP封装可靠性的影响,与热膨相似,聚合物与非聚合物膨胀系数不同会导致封装中出现吸湿不匹配应力。模拟结果表明,最大湿-机械应力出现在封装边缘焊球的边角处,顶层封装的湿-热-机械应力均比底层封装大。顶层封装是PoP封装的关键因素,湿气与热应力一样对PoP封装的可靠性起着重要的作用。

关键词：堆叠封装湿热应力有限元湿气扩散塑封器件

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微波数字控制移相器热特性的模拟研究

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半导体技术 2010年第6期35卷 546-549页

作者：宋芳芳来萍王韧何小琦谢国雄王雪松篮婉菲工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 国营第九七零厂成都610051 广州工业大学广州510075

热设计是大功率移相器设计中必须考虑的环节,使用有限元仿真技术对对某型号移相器产品的热特性进行了模拟研究,建立了移相器热仿真模型。模拟所得最高结温与实验结果能较好吻合,验证了所用模型及方法的正确性。研究分析了不同芯片和基... 详细信息

热设计是大功率移相器设计中必须考虑的环节,使用有限元仿真技术对对某型号移相器产品的热特性进行了模拟研究,建立了移相器热仿真模型。模拟所得最高结温与实验结果能较好吻合,验证了所用模型及方法的正确性。研究分析了不同芯片和基板粘结焊料空洞率、基板厚度以及不同基板材料和相对温升的关系,这些参数和温升定量关系,可以为移相器产品的热设计、优化参数、提高其可靠性提供理论依据。

关键词：移相器热分析模拟有限元法结温

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GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析

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电子器件 2010年第1期33卷 22-26页

作者：崔晓英许燕黄云工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610

GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件... 详细信息

GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件金属化失效单机理进行寿命预计,同时对试验后的样品进行物理分析。结果显示栅金属接触孔链在180℃下就发生失效,接触孔链表面的金属化层形变,金属化发生了迁移;而AuGeNi欧姆接触在225℃高温下更易发生电迁移失效,金属向体内扩散并在金属条上形成空洞。

关键词： GaAs PHEMT 栅接触欧姆接触高温加速应力试验寿命预计

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基于VC++与ANSYS行波管慢波结构模态分析系统

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电子质量 2010年第4期 37-40页

作者：冯先龙宋芳芳恩云飞广东工业大学广东广州510090 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610

为对行波管慢波结构进行高效模态分析,整合了基于Ansys的模态分析和通用软件开发平台VC++6.0的功能,开发了慢波结构振动有限元分析系统。研究了VC环境下对ANSYS的封装嵌套、ANSYS批处理程序的调用、VC++后处理的实现等。系统建立了友好... 详细信息

为对行波管慢波结构进行高效模态分析,整合了基于Ansys的模态分析和通用软件开发平台VC++6.0的功能,开发了慢波结构振动有限元分析系统。研究了VC环境下对ANSYS的封装嵌套、ANSYS批处理程序的调用、VC++后处理的实现等。系统建立了友好的操作界面,可直接输入结构材料参数进行模态计算,代替人机交互的GUI方式,从而提高了慢波结构模态分析效率和可靠性,为解决通用程序和专业软件间的矛盾提供了一种新的途径。

关键词： Vc++ ANSYS二次开发慢波结构模态分析

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SiGe HBT的热载流子效应评价

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华南理工大学学报（自然科学版） 2009年第5期37卷 23-26,42页

作者：林晓玲孔学东恩云飞章晓文姚若河华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610

电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价S... 详细信息

电压加速退化试验方法(OCSAM;EB结反偏)常用于评价硅锗异质结晶体管(SiGe HBT)的热载流子效应,但晶体管在高电压、低电压分别作用下所产生的的失效机理并不相同,且耗时长.文中采用电流加速应力试验方法(FCSAM;EB结反偏、CB结正偏),评价SiGe HBT在热载流子效应作用下的可靠性,研究施加应力前后SiGe HBT器件电特性的变化,分析了电特性退化的原因.结果表明:随应力施加时间的增加,SiGe HBT的电流放大系数逐步退化;与传统的电压加速退化试验方法相比,FCSAM显著缩短了试验时间,能对SiGe HBT的长期可靠性进行有效预测.

关键词：硅锗异质结晶体管电流加速可靠性热载流子效应

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白光LED的失效机理分析

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半导体光电 2009年第6期30卷 857-859,882页

作者：杨少华吴福根张春华工业和信息化部第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 广东工业大学实验中心广州510006

论述了白光发光二极管(LED)在封装和应用中存在的主要模式和失效机理,并介绍了若干失效分析实例,提出了可靠性保证措施,对于进一步完善白光LED封装技术、提高其寿命和可靠性提供参考。

关键词：白光LED 失效机理静电损伤失效分析

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高温正向栅电流下Ti／Pt／Au栅SiC MESFET的栅退化机理

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微电子学 2009年第1期39卷 132-136页

作者：崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 南京电子器件研究所单片集成电路和模块国家级重点实验室南京210016

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,... 详细信息

SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,并通过对试验数据的分析,确定了栅的寄生并联电阻的缓慢退化是导致栅肖特基结和器件特性退化,甚至器件烧毁失效的主要原因。

关键词： SiC MESFET肖特基结栅退化可靠性

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ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤

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电子元件与材料 2009年第9期28卷 20-23页

作者：石晓峰罗宏伟李斌华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610

电阻在静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用。利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性。结果表明,n阱扩散电阻在... 详细信息

电阻在静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)保护电路中,起隔离和分压的作用。利用传输线脉冲(Transmission Line Pulsing,TLP)测试系统,在宽度为100ns的脉冲作用下,研究了n阱扩散电阻在ESD应力下的工作特性。结果表明,n阱扩散电阻在发生初次瞬态击穿(瞬态击穿电压79.0V,瞬态击穿电流1.97A)后,由于阳极n+-n结构被破坏,内部结构已经出现潜在损伤,不再具备隔离和分压的作用。

关键词： n阱扩散电阻静电放电潜在损伤

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