检索结果-内蒙古大学图书馆

微电子学 2025年第1期55卷 165-168页

作者：陈选龙孔艮永石高明贺光辉刘加豪林晓玲李潮工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室可靠性研究分析中心

传统时域反射仪（TDR）在应对高密度先进封装定位时，因分辨率限制，无法精确分辨百微米以下缺陷位置。介绍了电光太赫兹脉冲时域反射仪（EOTPR）的原理，通过采用飞秒激光激发稳定的快速脉冲，产生太赫兹频段电磁信号，注入被测试器件... 详细信息

传统时域反射仪（TDR）在应对高密度先进封装定位时，因分辨率限制，无法精确分辨百微米以下缺陷位置。介绍了电光太赫兹脉冲时域反射仪（EOTPR）的原理，通过采用飞秒激光激发稳定的快速脉冲，产生太赫兹频段电磁信号，注入被测试器件，同时采用异步电光采样法快速取样反射信号，实现了优于65μm分辨率的失效定位。通过采用EOTPR实现了对引线键合BGA的埋孔断裂、FCBGA封装UBM断裂、MCM封装导通孔断裂等失效的快速、精确定位，为实现先进复杂封装的三维定位提供了可能。

关键词：太赫兹脉冲时域反射仪 FCBGA 埋孔断裂失效分析先进封装

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基于电路和版图辅助的集成电路失效定位研究

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固体电子学研究与进展 2023年第5期43卷 462-466页

作者：陈选龙邝贤军陈兰林晓玲刘丽媛工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370

EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过... 详细信息

EMMI和OBIRCH是通用的集成电路失效定位方法,二者属于器件级定位,能够将失效缩小至局部,但可能无法精确定位失效结构。在EMMI或者OBIRCH技术基础上,提出一种基于电路原理/仿真、版图、微探针测试等来辅助电路分析的定位方法。首先通过有效电激励进行EMMI和OBIRCH分析,确认标记点是否属于失效的功能电路;再通过电路原理分析或版图确定可能的漏电位置和结构,最后经电路仿真或微探针测试等方法确定精确失效点。案例研究结果显示,基于电路和版图辅助法,可快速定位氧化层击穿形成的漏电、金属划伤引起的CMOS反相器负载低阻和金属刻蚀缺陷导致的功能失效,提高了失效分析的成功率。

关键词：失效分析电路分析 OBIRCH 光发射显微镜集成电路

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PCB表面缺陷数据集与基于YOLOv5s-P6SE的检测

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计算机工程与科学 2025年第2期47卷 276-287页

作者：梁泰然蒋诗新李泉洲欧阳斌吕盛坪华南农业大学工程学院广东广州510642 中国赛宝实验室(工业和信息化部电子第五研究所) 广东广州511370 工业装备质量大数据工业和信息化部重点实验室广东广州511370

针对PCB生产中表面缺陷检测的需求,结合车间实际制定一个包含11种类别的缺陷分类标准,采集真实PCB表面缺陷图像,最终构建一个包含3239幅图像4672个缺陷目标的数据集Dataset_PCBSD。基于YOLOv5s改进得到一种新的PCB表面缺陷检测模型YOLOv... 详细信息

针对PCB生产中表面缺陷检测的需求,结合车间实际制定一个包含11种类别的缺陷分类标准,采集真实PCB表面缺陷图像,最终构建一个包含3239幅图像4672个缺陷目标的数据集Dataset_PCBSD。基于YOLOv5s改进得到一种新的PCB表面缺陷检测模型YOLOv5s-P6SE。为提高检测精度,在YOLOv5s中增加用于检测特大目标的P6检测层,引入了SE注意力模块和柔性非极大抑制后处理。实验结果显示,相较于基准模型YOLOv5s,YOLOv5s-P6SE在均值平均精度上提升了5.5%。同时,YOLOv5s-P6SE在mAP和模型大小上均优于Faster R-CNN、SSD、PCB缺陷检测模型YOLOv4-MN3以及DETR模型RT-DETR-L,且在平衡mAP和模型大小方面优于YOLOv8s。

关键词：印制电路板表面缺陷检测 YOLOv5s-P6SE SE注意力模块柔性非极大抑制

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GB 31241新旧版差异解析

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质量与认证 2023年第9期 76-78页

作者：尤万龙周珍马健广工业和信息化部电子第五研究所(中国赛宝实验室)

本文详细对比分析了便携式电子产品用锂离子电池和电池组安全标准GB 31241新旧版本的差异,以期帮助生产企业及相关方深入了解GB31241新版标准的要求,顺利完成换版工作以及后续的CCC认证工作。

关键词：电池组标准换版差异对比

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SiC功率MOSFET单粒子效应与加固技术研究进展

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物理学报 2025年

作者：邱一武梁迪殷亚楠董磊王韬周昕杰中国电子科技集团公司第五十八研究所空天集成电路与微系统工业和信息化部重点实验室

在空间核反应堆系统、深空探测器电源模块以及运载火箭推进装置等极端辐射环境中，高压大功率器件展现出重要的应用价值。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具备耐高压、耐高温和低导通损耗等优点，能够使宇航电源的效... 详细信息

在空间核反应堆系统、深空探测器电源模块以及运载火箭推进装置等极端辐射环境中，高压大功率器件展现出重要的应用价值。碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）具备耐高压、耐高温和低导通损耗等优点，能够使宇航电源的效率得到进一步提升。因此，SiC功率MOSFET空间辐射效应和抗辐射加固技术迅速成为行业的研究热点。首先，本文回顾了SiC功率MOSFET器件的发展历程，分析了从平面栅技术到沟槽栅技术的演变过程，并对未来新型SiC功率MOSFET技术进行了展望。其次，针对SiC功率MOSFET在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题，着重梳理了目前国内外关于重离子辐照SiC功率MOSFET引起的单粒子烧毁与单粒子栅穿的相关研究成果。最后，基于SiC功率MOSFET单粒子辐射损伤机制分析，总结了目前SiC功率MOSFET抗辐射加固技术的研究进展，为研究SiC功率MOSFET单粒子效应损伤机制以及改进其抗辐射加固技术提供参考。

关键词： SiC功率MOSFET 单粒子烧毁单粒子栅穿辐射损伤机制抗辐射加固

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GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究

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固体电子学研究与进展 2022年第2期42卷 146-149,162页

作者：刘丽媛郑林挺石高明林晓玲来萍陈选龙工业和信息化部电子第五研究所广州511370 中国赛宝实验室可靠性研究分析中心广州511370

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷... 详细信息

介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。

关键词： GaAs集成电路金属化缺陷光发射显微镜光致电阻变化失效分析

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辐射导致的三结太阳电池损伤机理及在轨退化预计

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太阳能学报 2022年第12期43卷 25-31页

作者：彭超工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州511370

针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验,明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量的退化模型。基于TCAD仿真研究和验证三节太阳电池辐照后性能退化机制。结合蒙特卡洛仿真和地面辐照试验... 详细信息

针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验,明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量的退化模型。基于TCAD仿真研究和验证三节太阳电池辐照后性能退化机制。结合蒙特卡洛仿真和地面辐照试验,探索将等效位移损伤剂量法用于三结太阳电池的在轨退化预计,计算典型中国产三结太阳电池在GEO轨道和LEO轨道在轨性能退化。

关键词：太阳电池辐射效应 GaAs 空间应用位移损伤 TCAD仿真

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集散控制系统(DCS)网络安全问题研究与建议

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工业信息安全 2023年第2期 48-57页

作者：张海峰马跃强中国赛宝实验室(工业和信息化部电子第五研究所) 广东广州511370

随着工业互联网的发展,工业控制系统不再是封闭的信息孤岛,面临网络安全威胁逐渐增多。集散控制系统DCS作为工业控制系统中最重要的控制系统之一,其安全性决定了整个工业控制系统的安全水平。为此,本文以艾默生的分散控制系统DeltaV DC... 详细信息

随着工业互联网的发展,工业控制系统不再是封闭的信息孤岛,面临网络安全威胁逐渐增多。集散控制系统DCS作为工业控制系统中最重要的控制系统之一,其安全性决定了整个工业控制系统的安全水平。为此,本文以艾默生的分散控制系统DeltaV DCS为研究对象,对其存在的安全问题进行分析,分别从操作系统漏洞、DeltaV安全漏洞、网络通信脆弱性、安全基线配置、供应链隐患等方面进行研究,研究出艾默生DeltaV DCS存在的安全隐患,并给出安全防护建议,对提升国家工业安全防护能力、促进工业信息安全产业发展等方面具有重要意义。

关键词：分散控制系统DCS 漏洞脆弱性网络安全

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估计混响室旋转搅拌器相关角度的快速方法

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安全与电磁兼容 2024年第4期 38-42页

作者：徐千史云雷陈辉南京航空航天大学工业和信息化部电子第五研究所(中国赛宝实验室)

为保证混响室中样本的统计独立性,混响室内搅拌器的相关角度给出了测试过程中搅拌器步进角度的下界。依照IEC 61000-4-21:2011确定搅拌器相关角度时,由于每次转动角度较小,完整旋转一周所需时间较长。为缩短测试时间,提高测试效率,提出... 详细信息

为保证混响室中样本的统计独立性,混响室内搅拌器的相关角度给出了测试过程中搅拌器步进角度的下界。依照IEC 61000-4-21:2011确定搅拌器相关角度时,由于每次转动角度较小,完整旋转一周所需时间较长。为缩短测试时间,提高测试效率,提出一种快速评估相关角度的方法,即使搅拌器不完成整周旋转,相关角度也可以准确估计,从而大幅度减少测试时间。测试结果对不同旋转角度进行了比较,与完整旋转一周的结果吻合良好,证实了文章方法的有效性。

关键词：电磁混响室相关角度独立样本数

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PCB化学镀铜界面失效微观形态研究

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印制电路信息 2023年第12期31卷 59-65页

作者：贺光辉周波陈镇海何骁工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室分析中心广东广州511370

化学镀铜和电镀铜是印制电路板(PCB)孔金属化的关键制程,盲孔底部和通孔的内层互连结构均存在电镀铜-化铜-基铜三者的结合界面,化铜镀层质量是界面结合强度的关键影响因素。结合化铜层微空洞、盲孔底部和内层互连界面失效的典型微观形貌... 详细信息

化学镀铜和电镀铜是印制电路板(PCB)孔金属化的关键制程,盲孔底部和通孔的内层互连结构均存在电镀铜-化铜-基铜三者的结合界面,化铜镀层质量是界面结合强度的关键影响因素。结合化铜层微空洞、盲孔底部和内层互连界面失效的典型微观形貌,分析了孔金属化制程因素对化铜镀层质量和界面结合强度的影响,为PCB化学镀铜的生产质量管控、界面结合强度改善和产品可靠性提升提供参考。

关键词：印制电路板(PCB) 化学镀铜界面失效微观分析

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