检索结果-内蒙古大学图书馆

基于青藏高原的14 nm FinFET和28 nm平面CMOS工艺SRAM单粒子效应实时测量试验

物理学报 2023年第14期72卷 161-171页

作者：张战刚杨少华林倩雷志锋彭超何玉娟工业和信息化部电子第五研究所广州511370 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州511370

本文基于海拔为4300 m的拉萨羊八井国际宇宙射线观测站,开展了14 nm FinFET和28 nm平面互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺静态随机存取存储器(static randomaccess memory,SRAM)阵列的大气辐射长期实时测量试验.试验持续时间为6651 h,共观测到单粒子翻转(single event upset,SEU)事件56个,其中单位翻转(single bit upset,SBU)24个,多单元翻转(multiple cell upset,MCU)32个.结合之前开展的65 nm工艺SRAM结果,研究发现,随着工艺尺寸的减小,器件的整体软错误率(soft error rate,SER)持续降低.但是,相比于65和14 nm工艺器件,28 nm工艺器件的MCU SER最大,其MCU占比(57%)超过SBU,MCU最大位数为16位.虽然14 nm FinFET器件的Fin间距仅有35 nm左右,且临界电荷降至亚fC,但FinFET结构的引入导致灵敏区电荷收集和共享机制发生变化,浅沟道隔离致使电荷扩散通道“狭窄化”,另一方面灵敏区表面积减小至0.0024μm^(2),从而导致14 nm工艺器件SBU和MCU的软错误率均明显下降.

关键词： FinFET 中子单粒子翻转软错误

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

直流输电用特高压晶闸管大气中子失效率评估和损伤机理

引用

原子能科学技术 2024年第1期58卷 248-256页

作者：彭超周杨陈中圆雷志锋马腾张战刚张鸿何玉娟工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州511370 国家电网有限公司北京100031

本文基于散裂中子源开展了直流输电用8.5 kV/5 kA晶闸管的加速辐照试验。试验证实了大气中子导致的晶闸管单粒子烧毁失效现象,同时基于加速辐照试验结果计算了大气中子导致的晶闸管失效率。晶闸管的反向偏置电压和结温是影响晶闸管器件... 详细信息

本文基于散裂中子源开展了直流输电用8.5 kV/5 kA晶闸管的加速辐照试验。试验证实了大气中子导致的晶闸管单粒子烧毁失效现象,同时基于加速辐照试验结果计算了大气中子导致的晶闸管失效率。晶闸管的反向偏置电压和结温是影响晶闸管器件失效的关键因素。大气中子失效率随着反向偏置电压的增加呈指数增加。此外,失效率随温度的降低而增加。对应器件偏置在50%额定电压下的情况,5℃时的失效率较25℃时增加了近6倍。基于TCAD仿真进一步验证了辐照导致晶闸管失效的机理。仿真表明,单粒子烧毁失效与辐射粒子入射诱发的雪崩击穿效应直接相关。雪崩击穿效应与晶闸管反向偏置电压正相关,而与结温负相关,这与大气中子失效率随电压和结温的变化关系一致。

关键词：晶闸管单粒子效应大气中子失效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应

引用

物理学报 2024年第2期73卷 234-241页

作者：李洋帆郭红霞张鸿白如雪张凤祁马武英钟向丽李济芳卢小杰湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子... 详细信息

本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子注量达到9×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,在偏置电压为500 V时,重离子注量达到3×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,单粒子烧毁阈值电压在器件额定工作电压的34%(400 V)以下.对辐照后器件进行栅特性测试,辐照过程中偏置电压为100 V的器件泄漏电流无明显变化;200 V和300 V时,器件的栅极泄漏电流和漏极泄漏电流都增大.结合TCAD仿真模拟进一步分析器件单粒子效应微观机制,结果表明在低偏压下,泄漏电流增大是因为电场集中在栅氧化层的拐角处,导致了氧化层的损伤;在高偏压下,辐照过程中N-外延层和N+衬底交界处发生的电场强度增大,引起显著的碰撞电离,由碰撞电离产生的局域大电流密度导致晶格温度超过碳化硅的熔点,最终引起单粒子烧毁.

关键词：双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子辐照单粒子烧毁

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双沟槽SiC MOSFET重离子单粒子效应研究

引用

物理学报 2023年

作者：李洋帆郭红霞张鸿白如雪张凤祁马武英钟向丽李济芳卢小杰湘潭大学材料科学与工程学院西北核技术研究所工业和信息化部第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室

本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管开展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验，分析了器件产生单粒子效应的物理机制。实验结果表明，辐照过程中随着初始偏置电压的增大，器件漏极电流增长更明显

关键词：双沟槽SiC MOSFET 重离子辐照单粒子烧毁

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

高海拔地区晶闸管宇宙射线失效等效加速试验研究

引用

中国电机工程学报 2024年第2期44卷 682-690,I0021页

作者：李尧圣张进陈中圆李金元王忠明刘杰梁红胜彭超北京智慧能源研究院北京市昌平区102209 国家电网有限公司北京市西城区100031 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 陕西省西安市710024 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室(工业和信息化部电子第五研究所) 广东省广州市511370

大气环境中的高能中子、γ射线和电磁脉冲以及空间辐射环境中的高能电子和质子等,都能造成半导体材料性质变化和器件性能蜕变以至失效,而在大气层内宇宙射线引起功率器件失效的主要原因是高能中子导致的单粒子烧毁(single event burnout... 详细信息

大气环境中的高能中子、γ射线和电磁脉冲以及空间辐射环境中的高能电子和质子等,都能造成半导体材料性质变化和器件性能蜕变以至失效,而在大气层内宇宙射线引起功率器件失效的主要原因是高能中子导致的单粒子烧毁(single event burnout,SEB)。白鹤滩—江苏±800 kV特高压直流输电工程布拖换流站位于北纬27°,东经102°,海拔2500 m。中子通量是水平面4倍以上,将导致器件的失效率大幅上升。为验证工程中8.5 kV晶闸管在额定条件下的失效率不超过100FIT,该文采用200 MeV质子源进行辐照加速试验,根据当地大气中子通量核算中子总注量,对比研究不同电压、温度对晶闸管失效率的影响规律,试验结果给出晶闸管在高海拔地区宇宙射线SEB平均失效率,为换流阀中晶闸管工作电压设计提供依据。

关键词：宇宙射线高能中子单粒子烧毁平均失效率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于Transformer模型的3D NAND闪存剩余寿命预测方法

引用

微电子学 2024年

作者：石颖杨少华周斌吴福根胡湘洪广东工业大学材料与能源学院工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东工业大学省部共建精密电子制造技术与装备国家重点实验室电子信息产品可靠性分析与测试技术国家地方联合工程研究中心

为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性，本文设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验，分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型，以预处理后的寿命特征数据为输入，... 详细信息

为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性，本文设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验，分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型，以预处理后的寿命特征数据为输入，对3D NAND闪存的剩余使用寿命进行预测。与LSTM、GRU相比，本文所建立模型在高温擦写实验数据集中的均方根误差分别下降了20.5%、21.0%；在温度循环擦写实验数据集中则分别下降2.5%和7.8%。实验结果表明，该模型可以准确预测3D NAND闪存的剩余寿命，优化闪存寿命管理策略。

关键词： 3D NAND闪存剩余使用寿命 Transformer模型寿命预测

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

双碳目标下的三族氮化物功率半导体技术

引用

机车电传动 2023年第5期 26-35页

作者：罗卓然何亮张津玮刘扬中山大学电子与信息工程学院广东广州510006 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州511370

能源生产清洁化和能源消费电气化是我国“双碳”政策的必经之路,功率半导体技术在这2个过程中发挥着重要作用。以氮化镓(GaN)为代表的三族氮化物功率半导体基于其优异的材料物理特性,未来应用前景广阔。历经二十余年产业链上下游技术发... 详细信息

能源生产清洁化和能源消费电气化是我国“双碳”政策的必经之路,功率半导体技术在这2个过程中发挥着重要作用。以氮化镓(GaN)为代表的三族氮化物功率半导体基于其优异的材料物理特性,未来应用前景广阔。历经二十余年产业链上下游技术发展,目前GaN功率半导体的关键共性技术,诸如大尺寸Si衬底上高耐压GaN材料外延、稳定常关型器件的制备以及与CMOS兼容的GaN工艺制备等,已逐步得到解决,产品在消费类电子领域实现了量产应用,但是GaN功率器件仍然面临着“用不起”“用不好”“不敢用”的问题,这限制了其应用领域的拓展。未来GaN功率半导体器件将向着更高功率密度与更高可靠性方向发展,伴随着大功率发展趋势,常开型器件与常关型器件2条技术路线相互竞争,并向着高频化趋势下的功率集成技术、低成本大功率纵向器件技术等方向进一步发展,在车载等更多更高端领域实现规模化应用。文章主要介绍了三族氮化物功率半导体技术发展现状和Si衬底GaN基功率器件的关键共性技术,以及分析目前GaN功率器件的应用瓶颈与未来的发展趋势。

关键词：双碳三族氮化物 GaN 功率半导体

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

重离子在碳化硅中的输运过程及能量损失

引用

物理学报 2021年第16期70卷 72-81页

作者：张鸿郭红霞潘霄宇雷志峰张凤祁顾朝桥柳奕天琚安安欧阳晓平湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同线性能量传输(liner energy transfer,LET)的重离子在碳化硅中的能量损失,模拟结果表明:重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响;能量损失主要由初级重离子和次级电子产生,非... 详细信息

利用蒙特卡罗方法,模拟计算了不同线性能量传输(liner energy transfer,LET)的重离子在碳化硅中的能量损失,模拟结果表明:重离子在碳化硅中单位深度的能量损失受离子能量和入射深度共同影响;能量损失主要由初级重离子和次级电子产生,非电离能量损失只占总能量损失的1%左右;随着LET的增大,次级电子的初始角度和能量分布越来越集中;重离子诱导产生的电荷沉积峰值位置在重离子径迹中心,在垂直于入射深度方向上呈高斯线性减小分布.利用锎源进行碳化硅MOSFET单粒子烧毁试验,结合TCAD模拟得到不同漏极电压下器件内部电场分布,在考虑电场作用的蒙特卡罗模拟中发现:碳化硅MOSFET外延层的电场强度越大,重离子受电场作用在外延层运动的路径越长、沉积能量越多,次级电子越容易偏向电场方向运动导致局部能量沉积过高.

关键词：蒙特卡罗方法碳化硅重离子能量损失电场

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

不同应力下碳化硅场效应晶体管器件总剂量效应及退火特性

引用

物理学报 2021年第16期70卷 198-206页

作者：顾朝桥郭红霞潘霄宇雷志峰张凤祁张鸿琚安安柳奕天湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件... 详细信息

以碳化硅场效应晶体管器件作为研究对象,对其开展了不同电压、不同温度下的钴源辐照实验以及辐照后的退火实验.使用半导体参数分析仪测试了器件的直流参数,研究了器件辐照敏感参数在辐照和退火过程中的变化规律,分析了电压、温度对器件辐照退化产生影响的原因,也探索了退火恢复的机理.结果表明:辐照感生的氧化物陷阱电荷是造成碳化硅场效应晶体管器件电学参数退化的主要原因,电压和温度条件会影响氧化物陷阱电荷的最终产额,从而导致器件在不同电压、不同温度下辐照后的退化程度存在差异;退火过程中由于氧化物陷阱电荷发生了隧穿退火,导致器件电学性能得到了部分恢复.

关键词：碳化硅场效应晶体管总剂量电压温度退火效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

随机振动载荷下塑封球栅阵列含铅焊点疲劳寿命模型

引用

振动与冲击 2021年第2期40卷 164-170页

作者：秦飞别晓锐陈思安彤北京工业大学机械工程与应用电子技术学院电子封装技术与可靠性研究所北京100124 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

对塑封球栅阵列(PBGA)封装器件Sn37Pb焊点进行了正弦振动、随机振动实验,得到各个载荷下焊点的疲劳寿命结果。建立了三维有限元模型,进行与实验条件一致的有限元分析,计算焊点的应力;将实验结果与有限元计算相结合,并基于Steinberg寿命... 详细信息

对塑封球栅阵列(PBGA)封装器件Sn37Pb焊点进行了正弦振动、随机振动实验,得到各个载荷下焊点的疲劳寿命结果。建立了三维有限元模型,进行与实验条件一致的有限元分析,计算焊点的应力;将实验结果与有限元计算相结合,并基于Steinberg寿命预测模型,发展了随机振动载荷下焊点疲劳寿命预测方法。结果表明,疲劳寿命模型预测结果与实验结果吻合较好,该方法可应用于PBGA封装焊点在随机振动载荷下的疲劳寿命评估,为PBGA封装器件的设计与使用提供指导。

关键词：随机振动寿命预测 Steinberg模型有限元分析(FEA) 塑封球栅阵列(PBGA)封装

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：