检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2016年第24期65卷 149-155页

作者：何玉娟章晓文刘远工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

研究了总剂量辐照效应对0.35μm n型金属-氧化物-半导体(NMOS)器件热载流子测试的影响.试验结果表明:经过100 krad(Si)总剂量辐照后进行5000 s的热载流子测试,NMOS器件阈值电压随着总剂量的增大而减小,然后随热载流子测试时间的增加而增... 详细信息

研究了总剂量辐照效应对0.35μm n型金属-氧化物-半导体(NMOS)器件热载流子测试的影响.试验结果表明:经过100 krad(Si)总剂量辐照后进行5000 s的热载流子测试,NMOS器件阈值电压随着总剂量的增大而减小,然后随热载流子测试时间的增加而增大,且变化值远远超过未经过总剂量辐照的器件;总剂量辐照后经过200 h高温退火,再进行5000 s的热载流子测试,其热载流子退化值远小于未高温退火的样品,但比未辐照的样品更明显,即总剂量辐照与热载流子的协同效应要超过两种效应的简单叠加.根据两种效应的原理分析,认为总剂量辐照感生氧化层陷阱电荷中的空穴与热电子复合减少了正氧化层的陷阱电荷,但辐照感生界面态俘获热电子形成负的界面陷阱电荷,表现为两者的协同效应模拟方式比单机理模拟方式对器件的影响更严重.

关键词：总剂量辐照热载流子效应协同效应

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

静电驱动阶梯型微悬臂梁振动特性分析

静电驱动阶梯型微悬臂梁振动特性分析

引用

第十二届全国振动理论及应用学术会议

作者：朱军华姚珂刘人怀工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 暨南大学应用力学研究所广州510632

阶梯型微悬臂梁是低驱动电压MEMS器件中广泛采用的一种典型的低刚度结构.本文提出了阶梯型微悬臂梁固有频率近似解,并揭示了其振动特性与吸合特性的独特规律.首先基于欧拉－伯努利梁和修正的偶应力理论,建立阶梯型微悬臂梁运动方程;采... 详细信息

阶梯型微悬臂梁是低驱动电压MEMS器件中广泛采用的一种典型的低刚度结构.本文提出了阶梯型微悬臂梁固有频率近似解,并揭示了其振动特性与吸合特性的独特规律.首先基于欧拉－伯努利梁和修正的偶应力理论,建立阶梯型微悬臂梁运动方程;采用均布载荷作用下阶梯型微悬臂梁的静态变形函数描述微梁位移函数,将微梁运动方程转换为单自由度模型,获得静电力作用下微梁固有频率计算模型;通过有限元仿真对比验证了模型准确性,研究了不同结构参数的微梁振动特性.结果表明:阶梯型微悬臂梁固有频率随着电压的增加而降低,随宽度比增加而单调增加,随长度比增加呈现出先减小后增加变化规律;吸合电压最小值出现在其固有频率上升段,二者最小值不会同时出现,而由微梁宽度比决定.研究结果可用于低驱动电压MEMS器件设计和性能改进.

关键词：阶梯型微悬臂梁静电驱动振动特性吸合特性

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

铟锌氧化物薄膜晶体管局域态分布的提取方法

引用

物理学报 2016年第12期65卷 307-316页

作者：王静刘远刘玉荣吴为敬罗心月刘凯李斌恩云飞华南理工大学电子与信息学院广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室广州510640

本文针对铟锌氧化物薄膜晶体管(IZO TFT)的低频噪声特性与变频电容-电压特性展开试验研究,基于上述特性对有源层内局域态密度及其在禁带中的分布进行参数提取.首先,基于IZO TFT的亚阈区I-V特性提取器件表面势随栅源电压的变化关系.基于... 详细信息

本文针对铟锌氧化物薄膜晶体管(IZO TFT)的低频噪声特性与变频电容-电压特性展开试验研究,基于上述特性对有源层内局域态密度及其在禁带中的分布进行参数提取.首先,基于IZO TFT的亚阈区I-V特性提取器件表面势随栅源电压的变化关系.基于载流子数随机涨落模型,在考虑有源层内缺陷态俘获/释放载流子效应基础上,通过γ因子提取深能态陷阱的特征温度;基于沟道电流噪声功率谱密度及平带电压噪声功率谱密度的测量,提取IZO TFT有源层内局域态密度及其分布.试验结果表明,带尾态缺陷在禁带内随能量呈e指数变化趋势,其导带底密度N1TA约为3.42×10^(20)cm^(-3)·eV-,特征温度TTA约为135 K.随后,将C-V特性与线性区I-V特性相结合,对栅端寄生电阻、漏端寄生电阻、源端寄生电阻进行提取与分离.在考虑有源层内局域态所俘获电荷与自由载流子的情况下,基于变频C-V特性对IZO TFT有源层内局域态分布进行参数提取.试验结果表明,深能态与带尾态在禁带内随能量均呈e指数变化趋势,深能态在导带底密度NDA约为5.4×10^(15)cm^(-3)·eV^(-1),特征温度TDA约为711 K,而带尾态在导带底密度NTA约为1.99×10^(20)cm^(-3)·eV^(-1),特征温度TTA约为183 K.最后,对以上两种局域态提取方法进行对比与分析.

关键词：薄膜晶体管变频电容-电压低频噪声缺陷态

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

埋氧离子注入对P型部分耗尽SOI电学与低频噪声的影响

引用

电子与封装 2017年第10期17卷 36-41页

作者：陈海波刘远吴建伟恩云飞中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 华南理工大学微电子学院广州510640

针对抗辐照SOI PMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离... 详细信息

针对抗辐照SOI PMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39 V变为-39.2 V,空穴有效迁移率由127.37 cm2/Vs降低为80.45 cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35 V/dec增长为1.69 V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。

关键词：绝缘体上硅部分耗尽低频噪声离子注入

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

MEMS硅玻璃阳极键合工艺评价方法

引用

传感器与微系统 2017年第10期36卷 54-56页

作者：谷专元何春华何燕华赵前程张大成华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州510610 北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室北京100871

为了得到微机电系统(MEMS)加速度计硅—玻璃阳极键合的键合强度,进行了剪切破坏测试,并结合材料力学相关理论,得到键合强度表征方法。通过对实验数据的分析,制定键合强度的失效判据,提出了一种评价硅玻璃键合工艺质量的有效方法,在工程... 详细信息

为了得到微机电系统(MEMS)加速度计硅—玻璃阳极键合的键合强度,进行了剪切破坏测试,并结合材料力学相关理论,得到键合强度表征方法。通过对实验数据的分析,制定键合强度的失效判据,提出了一种评价硅玻璃键合工艺质量的有效方法,在工程实际中具有一定的参考价值。

关键词：微机电系统(MEMS)加速度计硅玻璃阳极键合键合强度剪切力

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

真空封装MEMS陀螺高温老化失效机理研究

引用

传感技术学报 2016年第11期29卷 1637-1642页

作者：谷专元何春华陈俊光赵前程张大成闫桂珍华南理工大学电子与信息学院广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州510610 北京大学微电子学研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室北京100871

为了快速掌握真空封装MEMS陀螺老化失效机理,陀螺进行125℃高温加速实验,并对不同时间节点下的陀螺关键性能进行参数提取。分析结果表明,由于高温老化导致MEMS陀螺内部材料放气、疲劳和应力释放,从而改变品质因子和初始检测电容,最终导... 详细信息

为了快速掌握真空封装MEMS陀螺老化失效机理,陀螺进行125℃高温加速实验,并对不同时间节点下的陀螺关键性能进行参数提取。分析结果表明,由于高温老化导致MEMS陀螺内部材料放气、疲劳和应力释放,从而改变品质因子和初始检测电容,最终导致陀螺的零偏、角随机游走系数、零偏稳定性、标度因子等关键性能的严重退化。在工程实际中有一定的参考价值。

关键词：微机械陀螺老化真空封装失效机理

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

65nm NMOS器件总剂量辐照特性的低频噪声分析

65nm NMOS器件总剂量辐照特性的低频噪声分析

引用

2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：何玉娟刘远章晓文工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

本文采用Ⅰ-Ⅴ测试和低频噪声测试相结合的方式，分析了65nm NMOS器件在总剂量辐照效应下的特性变化，计算出总剂量辐照感生的氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷，以及总剂量辐照前后的栅氧化层附近陷阱密度;器件Ⅰ-Ⅴ特性和低频噪声参数在... 详细信息

本文采用Ⅰ-Ⅴ测试和低频噪声测试相结合的方式，分析了65nm NMOS器件在总剂量辐照效应下的特性变化，计算出总剂量辐照感生的氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷，以及总剂量辐照前后的栅氧化层附近陷阱密度;器件Ⅰ-Ⅴ特性和低频噪声参数在总剂量辐射前后的变化显示，低频噪声测试能更直观的显示器件陷阱电荷的总剂量辐射前后的改变。

关键词：总剂量辐照低频噪声 65nm MOS器件

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

杂质诱导磷锗锌晶体光学薄膜激光损伤的研究

引用

中国激光 2015年第6期42卷 216-223页

作者：郝明明路国光汪丽娜秦莉朱洪波刘夏工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州510610 工业和信息化部电子第五研究所可靠性研究分析中心广东广州510610 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室吉林长春130033

对磷锗锌晶体光学薄膜激光损伤的机理进行了实验和理论研究。将同一批生长的磷锗锌晶体切割为6块,并利用相同的工艺对这些晶体进行抛光;对其中4只样品镀制双波段多层增透膜,利用扫描电子显微镜观察这4只样品的光学薄膜形貌,发现薄膜的... 详细信息

对磷锗锌晶体光学薄膜激光损伤的机理进行了实验和理论研究。将同一批生长的磷锗锌晶体切割为6块,并利用相同的工艺对这些晶体进行抛光;对其中4只样品镀制双波段多层增透膜,利用扫描电子显微镜观察这4只样品的光学薄膜形貌,发现薄膜的大部分区域成膜质量较好,但也有小部分区域形成团簇;利用二次离子质谱仪分析了薄膜的组成成分,发现在该薄膜的Zr O2层含有Pt元素;利用波长为2μm、脉宽为31 ns的固体激光器对磷锗锌晶体样品进行激光损伤阈值测试,得出4只镀膜样品的激光损伤阈值平均值为0.68 J/cm2,其他2只未镀膜样品的损伤阈值平均值为1.1 J/cm2。利用有限元仿真方法计算了杂质作用下薄膜的激光损伤阈值,研究了杂质颗粒的半径和填埋深度对损伤阈值的影响,计算了薄膜的理论激光损伤阈值,证明了Pt杂质颗粒的存在对磷锗锌晶体表面增透膜的激光损伤阈值有很大影响,所以控制该杂质的浓度对提高薄膜的损伤阈值具有重要意义。

关键词：薄膜激光损伤杂质诱导磷锗锌晶体有限元仿真

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

部分耗尽结构绝缘体上硅器件的低频噪声特性

引用

物理学报 2015年第10期64卷 394-400页

作者：王凯刘远陈海波邓婉玲恩云飞张平暨南大学信息科学与技术学院广州510632 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 中国电子科技集团公司第五十八研究所无锡214035

针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于Si O2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程;基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态... 详细信息

针对部分耗尽结构绝缘体上硅(silicon-on-insulator,SOI)器件低频噪声特性展开实验与理论研究.实验结果表明,器件低频噪声主要来源于Si O2-Si界面附近缺陷态对载流子的俘获与释放过程;基于此理论可提取前栅和背栅氧化层界面附近缺陷态密度分别为8×1017eV-1·cm-3和2.76×1017eV-1·cm-3.基于电荷隧穿机理,在考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系的基础上,提取了前、背栅氧化层内缺陷态密度随空间的分布情况.此外,SOI器件沟道电流归一化噪声功率谱密度随沟道长度的增加而线性减小,这表明器件低频噪声主要来源于沟道的闪烁噪声.最后,基于电荷耦合效应,分析了背栅电压对前栅阈值电压、沟道电流以及沟道电流噪声功率谱密度的影响.

关键词：绝缘体上硅器件部分耗尽低频噪声缺陷态

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响

引用

物理学报 2015年第7期64卷 385-390页

作者：刘远陈海波何玉娟王信岳龙恩云飞刘默寒工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610 中国电子科技集团公司第五十八研究所无锡214035 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、... 详细信息

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影响,当辐射总剂量达到1 M rad(Si)(1 rad=10-2Gy)条件下,SOI器件背栅阈值电压从44.72 V减小至12.88 V、表面电子有效迁移率从473.7 cm2/V·s降低至419.8 cm2/V·s、亚阈斜率从2.47 V/dec增加至3.93 V/dec;基于辐射前后亚阈斜率及阈值电压的变化,可提取得到辐射诱生界面态与氧化层固定电荷密度分别为5.33×1011cm-2与2.36×1012cm-2.受辐射在埋氧化层-硅界面处诱生边界陷阱、氧化层固定电荷与界面态的影响,辐射后埋氧化层-硅界面处电子被陷阱俘获/释放的行为加剧,造成SOI器件背栅平带电压噪声功率谱密度由7×10-10V2·Hz-1增加至1.8×10-9V2·Hz-1;基于载流子数随机涨落模型可提取得到辐射前后SOI器件埋氧化层界面附近缺陷态密度之和约为1.42×1017cm-3·eV-1和3.66×1017cm-3·eV-1.考虑隧穿削弱因子、隧穿距离与时间常数之间关系,本文计算得到辐射前后埋氧化层内陷阱电荷密度随空间分布的变化.

关键词：绝缘体上硅部分耗尽电离辐射低频噪声

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：