检索结果-内蒙古大学图书馆

电子产品可靠性与环境试验 2012年第B5期30卷 233-237页

作者：王浩罗宏伟陈义强陈媛广东工业大学材料与能源学院广东广州510006 工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610

提出了一种电迁移寿命的实时预测方法,并在0.18μm CMOS混合信号工艺下完成了预警电路的设计。预警电路与主电路放置在同一芯片上,经历相同的制造工艺和环境参数,任何影响主电路可靠性的因素都将施加在该预警电路上,从而克服了离线测试... 详细信息

提出了一种电迁移寿命的实时预测方法,并在0.18μm CMOS混合信号工艺下完成了预警电路的设计。预警电路与主电路放置在同一芯片上,经历相同的制造工艺和环境参数,任何影响主电路可靠性的因素都将施加在该预警电路上,从而克服了离线测试的局限性,具有实时在线测试的优点。当预警电路中电迁移引起的金属膜电阻器的阻值超过预设的界限时,其输出电平就会发生翻转,发出顶警信号,主电路即将发生失效。

关键词：电迁移可靠性预兆单元法

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通孔微结构对Cu/低-k应力诱生空洞的影响

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华南理工大学学报（自然科学版） 2011年第3期39卷 135-139页

作者：林晓玲侯通贤章晓文姚若河华南理工大学电子与信息学院微电子研究所广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510640

基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底... 详细信息

基于Cu的随动强化模型,采用有限元分析方法,对不同Cu/低-k通孔微结构中的应力情景进行模拟分析,探讨了因互连通孔和通孔阻挡层形成工艺的波动性,造成通孔高度、通孔沟槽深度和通孔底部阻挡层厚度的变化,以及这一变化对互连通孔和通孔底部互连应力诱生空洞的影响.结果表明:Cu/低-k互连中的通孔微结构效应,是影响互连应力和形成应力诱生空洞的重要因素.大高宽比的通孔结构更易因通孔高度变化而发生应力诱生空洞;通孔沟槽可以有效提高互连应力迁移的可靠性,但需要控制其深度;通孔底部阻挡层厚度对互连应力诱生空洞性能具有矛盾性,需要折中考虑.

关键词： Cu/低-k互连应力诱生空洞工艺波动通孔微结构

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电迁移对倒装Sn3.0Ag0.5Cu焊点热冲击性能的影响

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稀有金属材料与工程 2011年第S2期40卷 206-209页

作者：陆裕东成俊恩云飞何小琦王歆庄志强工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广东广州510610 华南理工大学广东广州510640

采用Sn3.0Ag0.5Cu倒装芯片研究由电迁移导致的互连焊点显微结构的变化对倒装焊点热冲击性能及失效位置和形态的影响,分析导致电迁移前后焊点热冲击失效界面变化的微观机制。单纯热冲击应力作用下倒装焊点的开裂失效位于Al互连与凸点下... 详细信息

采用Sn3.0Ag0.5Cu倒装芯片研究由电迁移导致的互连焊点显微结构的变化对倒装焊点热冲击性能及失效位置和形态的影响,分析导致电迁移前后焊点热冲击失效界面变化的微观机制。单纯热冲击应力作用下倒装焊点的开裂失效位于Al互连与凸点下金属化层之间,电迁移作用下,倒装焊点的热冲击失效界面发生变化,电子风力作用下空位的定向迁移是导致焊点热冲击失效界面变化的根本机制。空位在阴极附近聚集,达到过饱和后形成连续性空洞,导致焊点在阴极空洞位置发生开裂失效。宏观上焊点回路中电子流方向的交替变化导致整个串联回路中出现芯片一侧和焊盘一侧交替开裂的有规律的失效现象。

关键词： SnAgCu 焊点电迁移热冲击失效

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硬件木马综述

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微电子学 2011年第5期41卷 709-713页

作者：刘华锋罗宏伟王力纬华南理工大学电子与信息学院广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510640

集成电路在设计或制造过程中会受到硬件木马的攻击,使芯片与硬件的安全性受到威胁。硬件木马技术逐渐受到重视,已成为当今一个新的研究热点。文章介绍了硬件木马的概念,对三种主要的硬件木马分类方法进行了分析;着重探讨了硬件木马的检... 详细信息

集成电路在设计或制造过程中会受到硬件木马的攻击,使芯片与硬件的安全性受到威胁。硬件木马技术逐渐受到重视,已成为当今一个新的研究热点。文章介绍了硬件木马的概念,对三种主要的硬件木马分类方法进行了分析;着重探讨了硬件木马的检测方法。对检测方法存在的问题与面临的挑战进行了分析,指出基于旁路信号分析的硬件木马检测方法是当前最主要的一种检测方法。

关键词：硬件木马集成电路芯片安全检测方法

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化学机械抛光对铜互连器件的影响及失效分析

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微电子学 2011年第1期41卷 143-145,149页

作者：林晓玲刘建章晓文侯通贤姚若河华南理工大学电子与信息学院微电子研究所广州510640 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室工业和信息化部电子第五研究所广州510610

探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封... 详细信息

探讨了Cu化学机械抛光(CMP)工艺引起Cu互连器件失效的原因以及对可靠性的影响,对Cu CMP工艺缺陷导致器件失效的案例进行分析。由于CMP的技术特点,不可避免地会产生一些工艺缺陷和工艺误差,从而引起器件失效。必须根据标准要求,出厂或封装前对圆片进行芯片功能参数测试和严格的镜检,以便在封装前剔除存在潜在工艺缺陷的芯片,达到既定可靠性要求。

关键词：化学机械抛光 Cu互连工艺缺陷金属残留

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电路板级互连焊点故障监测和预警

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半导体技术 2011年第10期36卷 800-803,812页

作者：万明陆裕东尧彬恩云飞肖庆中王歆华南理工大学材料科学与工程学院特种功能材料教育部重点实验室广州510640 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室广州510610

针对互连焊点在长期应力作用下的蠕变失效,探讨了焊点阻值退化的一般性趋势,在此基础上提出了一种基于电阻电桥原理的焊点故障监测和预警电路设计方案,并基于电子产品可靠性保障工程应用,讨论了电路板级互连焊点故障监测和预警电路的实... 详细信息

针对互连焊点在长期应力作用下的蠕变失效,探讨了焊点阻值退化的一般性趋势,在此基础上提出了一种基于电阻电桥原理的焊点故障监测和预警电路设计方案,并基于电子产品可靠性保障工程应用,讨论了电路板级互连焊点故障监测和预警电路的实现路径的方法。嵌入式监测电路在电阻缓慢退化阶段和快速退化阶段设置合理的监测起始和终止点,适合对服役中的焊点健康状况进行实时监测和评估。同时,电路具有预警功能,在焊点电性能退化的初期发出预警,并实时采集焊点阻值数据用于焊点剩余寿命的预测,以实现焊点退化的及时预警和退化焊点剩余寿命的预计。

关键词：焊点蠕变失效可靠性电阻电桥故障预测与健康管理

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硅基梳齿式MEMS器件及封装的失效调查

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微电子学 2011年第1期41卷 133-138页

作者：蔡伟林宙峰李少平恩云飞工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 华南理工大学材料科学与工程学院特种功能材料教育部重点实验室广州510640

对典型硅基梳齿式MEMS器件进行失效调查和分析,验证其主要失效模式,分析其失效机理。利用电子扫描显微镜(SEM)、X射线透视系统、扫描声学显微镜(SAM)、X射线能谱成份分析(EDX)、金相切片分析、封装气体分析及电性能测试等分析技术,发现... 详细信息

对典型硅基梳齿式MEMS器件进行失效调查和分析,验证其主要失效模式,分析其失效机理。利用电子扫描显微镜(SEM)、X射线透视系统、扫描声学显微镜(SAM)、X射线能谱成份分析(EDX)、金相切片分析、封装气体分析及电性能测试等分析技术,发现在工艺制造中的机械失效是造成此类器件失效的主要原因。另外,此类器件的封装失效主要表现为气密性失效和装配工艺失效。

关键词：微机电系统封装失效分析失效模式

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半导体级别故障预测与健康管理

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电子产品可靠性与环境试验 2011年第5期29卷 58-62页

作者：王浩罗宏伟陈媛广东工业大学材料与能源学院广东广州510006 工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广东广州510610

随着集成电路特征尺寸按比例缩小,其可靠性问题越来越突出。为了避免因集成电路失效而发生灾难性后果,有必要对集成电路进行故障预测与健康管理。首先,介绍了故障预测与健康管理技术的发展概况;然后,阐述了实施半导体级别故障预测与健... 详细信息

随着集成电路特征尺寸按比例缩小,其可靠性问题越来越突出。为了避免因集成电路失效而发生灾难性后果,有必要对集成电路进行故障预测与健康管理。首先,介绍了故障预测与健康管理技术的发展概况;然后,阐述了实施半导体级别故障预测与健康管理的两个主要方法:预兆单元法和失效先兆监测推理法,并根据相关案例进行了分析;最后,指出了该技术面临的挑战。

关键词：故障预测与健康管理半导体产品预兆单元失效先兆

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微加速度计冲击可靠性及防护

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传感技术学报 2010年第12期23卷 1690-1694页

作者：王世涛贾玉斌张斌珍黄钦文郝一龙北京大学微电子学研究院微米纳米加工技术国家级重点实验室北京100871 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610

通过实验研究了梳齿电容微加速度计器件在大过载冲击下的失效模式,发现了失效的主要原因是由于弹性梁的断裂,并对实验现象进行了分析和讨论,指出了微加工工艺的不确定性对器件失效的影响。检验了在结构设计中对可动质量块进行限位的作用... 详细信息

通过实验研究了梳齿电容微加速度计器件在大过载冲击下的失效模式,发现了失效的主要原因是由于弹性梁的断裂,并对实验现象进行了分析和讨论,指出了微加工工艺的不确定性对器件失效的影响。检验了在结构设计中对可动质量块进行限位的作用,可以明显提高器件的抗冲击能力。提出了金属橡胶这一新材料在微加速度计冲击防护中的应用,并对其作用进行了实验验证,结果表明金属橡胶除了靠金属螺旋卷接触点之间的相互摩擦来耗散能量外,还可以明显增加冲击脉冲的宽度,有效的缓冲和吸收冲击能,提高器件的抗冲击能力和可靠性。

关键词：微加速度计可靠性冲击缓冲材料金属橡胶

来源：评论

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电迁移引起的倒装芯片互连失效

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固体电子学研究与进展 2010年第2期30卷 313-316页

作者：陆裕东何小琦恩云飞工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州510610 华南理工大学材料学院特种功能材料教育部重点实验室广州510640

采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用... 详细信息

采用倒装芯片组装菊花链器件研究了高电流密度条件下Al互连的失效问题,分析了不同电迁移条件下,由于金属原子的迁移造成的Al互连微结构的变化。在9.7×105A/cm2电流密度强度条件下,钝化窗口位置的Al原子发生电迁移,在电子风力的作用下,Al原子沿电子流方向扩散进入Al互连层下方的焊料中。同时,随着电流加载时间的延长,化学位梯度和内部应力的作用致使焊料成分向Al互连金属扩散,Al互连金属层形成空洞的同时其成分发生变化。

关键词：倒装芯片电迁移互连失效

来源：评论

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