检索结果-内蒙古大学图书馆

航空动力学报 2025年第4期40卷 468-480页

作者：朱嘉伟杨雪鹤陈垦伦雷柏茂工业和信息化部电子第五研究所广州511370 工业和信息化部电子第五研究所广东省电子信息产品可靠性技术重点实验室广州511370 工业和信息化部电子第五研究所民用飞机及航空发动机质量与可靠性工程技术工业和信息化部重点实验室广州511370

螺旋桨形状和外来异物飞行姿态复杂多样,导致异物穿越螺旋桨概率定量分析存在着困难,目前行业缺乏有效的技术手段。提出了一种可针对圆柱体异物,在螺旋桨真实形貌和异物飞行姿态可调等多种工程实际应用需求情况下开展异物穿越螺旋桨概... 详细信息

螺旋桨形状和外来异物飞行姿态复杂多样,导致异物穿越螺旋桨概率定量分析存在着困难,目前行业缺乏有效的技术手段。提出了一种可针对圆柱体异物,在螺旋桨真实形貌和异物飞行姿态可调等多种工程实际应用需求情况下开展异物穿越螺旋桨概率分析的技术方法,通过对比异物正撞击穿越长方体桨叶概率的理论计算值和仿真计算值的差异,验证了该方法的准确性,最后选取了某型螺旋桨开展异物穿越概率仿真分析。研究结果表明:该技术方法分析精度高,理想模型的仿真结果与理论穿越概率的最大绝对误差和最大相对误差为分别为0.92%和1.10%;异物穿越某型螺旋桨的概率所呈现的变化趋势与异物正撞击穿越长方体桨叶的概率相一致;在相同异物撞击条件下,穿越概率会随着异物长径比的增加而降低,随着姿态角的增加而增加。

关键词：外来异物螺旋桨碰撞检测穿越概率蒙特卡洛算法

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温度循环对硅通孔绝缘层漏电机制的影响

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物理学报 2025年第5期74卷 178-185页

作者：任云坤陈思秦飞北京工业大学电子封装技术与可靠性研究所北京100124 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州511300

硅通孔(TSV)作为实现三维集成电路互连的关键技术,其侧壁界面的完整性对TSV的漏电特性至关重要.本文开展了温度循环实验,结合漏电流I-V测试、微观结构观察和能谱仪(EDS)元素分析,分析了温度循环对TSV侧壁界面完整性及对绝缘层漏电机制... 详细信息

硅通孔(TSV)作为实现三维集成电路互连的关键技术,其侧壁界面的完整性对TSV的漏电特性至关重要.本文开展了温度循环实验,结合漏电流I-V测试、微观结构观察和能谱仪(EDS)元素分析,分析了温度循环对TSV侧壁界面完整性及对绝缘层漏电机制的影响.研究表明,随着温度循环次数的增加,TSV阻挡层的完整性逐渐降低,漏电流显著增加,绝缘层的漏电机制从肖特基发射机制转变为肖特基发射与Poole-Frenkel发射机制共同作用,这种转变在高电场条件下更为显著.进一步的TSV界面完整性分析表明,温度循环引起的热机械应力导致了TSV填充铜与阻挡层界面间缺陷产生,这些缺陷促进铜原子扩散到绝缘层,形成漏电路径,是导致绝缘层介电性能下降的主要原因之一.

关键词：硅通孔漏电机制温度循环

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热裂解气相色谱法快速筛查高分子材料中4种邻苯二甲酸酯类增塑剂

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塑料科技 2025年第2期53卷 136-141页

作者：熊松松简佩玲孙秀敏郭范娟苏健梅丑天姝工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370

采用热裂解气相色谱法(Py-GC)建立了快速筛查高分子材料中4种邻苯二甲酸酯类化合物(PAEs)的分析方法。将样品粉碎研磨后,直接称取一定量样品,进样于热裂解邻苯检测仪进行分析,采用外标法定量分析,考察了取样量、温度等因素对回收率的影... 详细信息

采用热裂解气相色谱法(Py-GC)建立了快速筛查高分子材料中4种邻苯二甲酸酯类化合物(PAEs)的分析方法。将样品粉碎研磨后,直接称取一定量样品,进样于热裂解邻苯检测仪进行分析,采用外标法定量分析,考察了取样量、温度等因素对回收率的影响,确定最佳前处理条件。结果表明:分析物在100~4000 mg/kg浓度范围内线性关系良好(r^(2)>0.9960),检出限为12.1~33.4 mg/kg。采用不同浓度的阳性物质分析方法的准确度和精密度,分析物的回收率为77.4%~125.5%,相对标准偏差为1.7%~12.8%。采用此方法对26个实际样品进行检测分析,在12个样品中检测出PAEs,检出率高达46%。该方法不使用化学试剂,直接对样品进行测试,能够满足企业对PAEs的快速筛查要求,为企业内部管控PAEs提供方法支持。

关键词：邻苯二甲酸酯高分子材料热裂解快速筛查

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磷酸锰铁锂正极材料的第一性原理研究

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中国有色金属学报 2025年第3期35卷 881-890页

作者：曹春晖唐火强郑保平胡来文章志珍王国庆东莞东阳光科研发有限公司东莞523870 中山大学材料学院广州510275 工业和信息化部电子第五研究所广州511370

磷酸锰铁锂(LiMn_(1-x)Fe_(x)PO_(4), LMFP)具有高能量密度、低成本、高安全等优势,是新一代锂电正极材料。目前LMFP处于产业化前夕,其面临的主要问题包括电子电导率偏低、倍率性能不足以及对高温的敏感性等问题,铁掺杂量(x,摩尔分数)... 详细信息

磷酸锰铁锂(LiMn_(1-x)Fe_(x)PO_(4), LMFP)具有高能量密度、低成本、高安全等优势,是新一代锂电正极材料。目前LMFP处于产业化前夕,其面临的主要问题包括电子电导率偏低、倍率性能不足以及对高温的敏感性等问题,铁掺杂量(x,摩尔分数)的优化对于改善以上问题至关重要。但是常规实验方法对铁掺杂量的研究受限于实际条件,很难准确调控单因素变量,导致研究结果通常重复性差,无法确定最佳的铁掺杂量。本文从第一性原理出发,通过对原子结构的密度泛函理论DFT计算,得到不同铁掺杂量下LMFP的晶格常数、形成能、脱/嵌锂电位、扩散势垒和能带结构等参数,方法可靠。通过对以上参数的对比分析,确定了最佳铁掺杂量范围。结果表明:最佳铁掺杂量x取值范围在0.2~0.4之间,此时LMFP的结构稳定性最好,同时又可以保持较高的能量密度。磷酸铁锂(LiFePO_(4), LFP)和LMFP不易形成完全固溶体;LFP的扩散势垒最低,为0.506 eV,说明在LFP中掺杂锰增加了锂离子的扩散难度。同时计算得到的结构参数也为LMFP后续的实验研究提供了有力的微观结构理论依据。

关键词：磷酸锰铁锂正极材料第一性原理形成能扩散势垒带隙

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中子辐射导致的SiC功率器件漏电增加特性研究

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物理学报 2023年第18期72卷 329-337页

作者：彭超雷志锋张战刚何玉娟马腾蔡宗棋陈义强工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州511370

基于14 MeV中子辐照研究了碳化硅(silicon carbide,SiC)肖特基势垒二极管(Schottky barrier diode,SBD)和金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)器件的位移损伤退化特性.结果表明:总注量为1.18×10^(11)cm^(-2)的中子辐照不会引起SBD正向I-V特性的明显退化,但会导致反向漏电流出现显著增大.通过深能级瞬态谱测试发现中子辐照在SiC中引入的缺陷簇形成了能级位置E_(C)—1.034 eV处的缺陷.该深能级缺陷可能导致SiC漂移层费米能级向禁带中央移动,引起了肖特基势垒的降低,最终导致反向漏电流的增大.此外,中子辐照也会导致SiC MOSFET栅漏电增大.对应栅电压V_(gs)=15 V时,辐照后器件栅电流比辐照前增大了近3.3倍.中子辐照在氧化层中引入的施主型缺陷导致辐照前后MOSFET器件的栅氧导电机制发生了变化.缺陷对载流子越过栅氧化层势垒有辅助作用,从而导致栅漏电的增加.深能级瞬态谱测试结果表明中子辐照还会导致MOSFET器件沟道附近SiC材料中本征缺陷状态的改变,同时形成了新的Si空位缺陷能级,但这些缺陷不是导致器件性能退化的主要原因.

关键词：碳化硅功率器件中子辐照位移损伤深能级瞬态谱

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欧盟新电池法规解读及应对措施

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电池 2024年第4期54卷 548-551页

作者：龚陈茵兰晋玲王斌唐锐康如军陈海鑫工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370

欧盟(EU)2023/1542《电池和废旧电池的法规》(新电池法规)的发布及实施,对我国汽车和电池行业都带来很大的影响。产业链上下游均面临更高的要求,也将直面欧盟的绿色贸易壁垒。介绍电池法规的发展历程,重点对新电池法规中有害物质、碳足... 详细信息

欧盟(EU)2023/1542《电池和废旧电池的法规》(新电池法规)的发布及实施,对我国汽车和电池行业都带来很大的影响。产业链上下游均面临更高的要求,也将直面欧盟的绿色贸易壁垒。介绍电池法规的发展历程,重点对新电池法规中有害物质、碳足迹、标签信息、合格评定、尽职调查和电子护照等内容进行阐述,对有害物质限制、碳足迹和标签信息等重要执行时间点进行表述。新电池法规相对于2006年版发生了较大的变化。企业需要掌握其与供应链的相关联性,提前准备材料,把控风险;第三方检测机构应建立符合新电池法规要求的能力,帮助企业和供应商应对风险及挑战。

关键词：新电池法规绿色贸易壁垒产业链上下游应对措施

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高密度CCGA热疲劳仿真及可靠性分析

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华南理工大学学报（自然科学版） 2023年第3期51卷 98-109页

作者：王小强李斌邓传锦 †陈思王斌苏伟华南理工大学电子与信息学院广东广州510640 工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370

陶瓷柱栅阵列(CCGA)封装具有优良的电热性能和高密度的信号互连特点,是航空航天等高可靠应用领域的首选。当引脚超过1000以上时,由于封装形式及材料本身特性,高密度CCGA在温度变化环境中更容易出现失效。针对CCGA1144结构开展温度循环试... 详细信息

陶瓷柱栅阵列(CCGA)封装具有优良的电热性能和高密度的信号互连特点,是航空航天等高可靠应用领域的首选。当引脚超过1000以上时,由于封装形式及材料本身特性,高密度CCGA在温度变化环境中更容易出现失效。针对CCGA1144结构开展温度循环试验,通过微观结构观察和有限元仿真,研究在-55~125℃温度循环条件下,焊柱应力分布、变化规律、失效原因及模式。结果表明,温度循环过程中外圈焊柱与内圈焊柱相比,等效形变、等效应力、等效应变及塑性应变变化范围更大,更容易发生失效,特别是外圈的边缘焊柱。研究给出了热疲劳试验过程中焊柱的薄弱点,指出0.15~0.60 mm及2.17~2.43 mm两个区间是焊柱发生裂纹和断裂失效的危险区域,且后者区间更易产生裂纹及断裂。提出了焊柱热疲劳的3种失效模式,指出焊柱在疲劳机制、蠕变机制共同作用下产生损伤或失效,给出了加固和优化设计方向的建议。研究结果对高密度CCGA的质量改进提升、发展和应用具有指导意义和参考价值。

关键词：陶瓷柱栅阵列热疲劳有限元温度循环失效

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基于青藏高原的14 nm FinFET和28 nm平面CMOS工艺SRAM单粒子效应实时测量试验

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物理学报 2023年第14期72卷 161-171页

作者：张战刚杨少华林倩雷志锋彭超何玉娟工业和信息化部电子第五研究所广州511370 电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室广州511370

本文基于海拔为4300 m的拉萨羊八井国际宇宙射线观测站,开展了14 nm FinFET和28 nm平面互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺静态随机存取存储器(static randomaccess memory,SRAM)阵列的大气辐射长期实时测量试验.试验持续时间为6651 h,共观测到单粒子翻转(single event upset,SEU)事件56个,其中单位翻转(single bit upset,SBU)24个,多单元翻转(multiple cell upset,MCU)32个.结合之前开展的65 nm工艺SRAM结果,研究发现,随着工艺尺寸的减小,器件的整体软错误率(soft error rate,SER)持续降低.但是,相比于65和14 nm工艺器件,28 nm工艺器件的MCU SER最大,其MCU占比(57%)超过SBU,MCU最大位数为16位.虽然14 nm FinFET器件的Fin间距仅有35 nm左右,且临界电荷降至亚fC,但FinFET结构的引入导致灵敏区电荷收集和共享机制发生变化,浅沟道隔离致使电荷扩散通道“狭窄化”,另一方面灵敏区表面积减小至0.0024μm^(2),从而导致14 nm工艺器件SBU和MCU的软错误率均明显下降.

关键词： FinFET 中子单粒子翻转软错误

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HTAP评测基准的评测能力综述

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软件学报 2025年第1期36卷 424-445页

作者：翁思扬俞融王清帅胡梓锐倪葎张蓉周烜周傲英徐泉清杨传辉刘维杨攀飞华东师范大学数据科学与工程学院上海200062 蚂蚁集团OceanBase 北京100015 工业和信息化部电子第五研究所广东广州511300

对数据库系统即时修改数据的高效实时分析需求推动了数据库系统向同时支持OLTP业务和OLAP业务两种场景的HTAP数据库系统的快速发展.面对众多的HTAP数据库系统,为了推动HTAP数据库系统的公平比较和健康发展,定义和实现相应的评测基准来评... 详细信息

对数据库系统即时修改数据的高效实时分析需求推动了数据库系统向同时支持OLTP业务和OLAP业务两种场景的HTAP数据库系统的快速发展.面对众多的HTAP数据库系统,为了推动HTAP数据库系统的公平比较和健康发展,定义和实现相应的评测基准来评估HTAP数据库系统的新特性至关重要.首先,分析HTAP数据库系统的关键特征并抽象总结HTAP数据库系统实现的关键技术.然后,提炼出HTAP数据库系统的设计难点和构建HTAP评测基准的挑战,并基于此提出HTAP评测基准应考虑的设计维度,包括数据生成、负载生成、评价指标和一致性模型支持性.对比现有HTAP评测基准在设计维度和实现技术上的差异,总结评测基准在不同设计维度上的优劣.此外,运行已公开的典型评测基准,展示并分析它们对HTAP数据库系统关键特征的评测能力以及对不同HTAP数据库系统的横向对比的支持能力.最后,总结对HTAP评测基准的能力需求和未来的一些研究方向,指出语义一致的负载控制和新鲜数据访问度量是HTAP数据库系统评测基准定义的关键问题.

关键词： HTAP评测基准 HTAP数据库系统性能分析新鲜度

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碳纳米管场效应晶体管的X射线辐照效应

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物理学报 2025年第5期74卷 267-274页

作者：曾天祥李济芳郭红霞马武英雷志锋钟向丽张鸿王颂文湘潭大学材料科学与工程学院湘潭411105 西北核技术研究所西安710024 工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广州511370

本文针对N型和P型碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotube field-effect transistor,CNTFET)开展了10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,不同类型的晶体管在辐照后均出现阈值电压漂移、跨导下降、亚阈值摆幅上升和饱和电流下降的现象... 详细信息

本文针对N型和P型碳纳米管场效应晶体管(carbon nanotube field-effect transistor,CNTFET)开展了10 keV-X射线的总剂量效应研究.结果表明,不同类型的晶体管在辐照后均出现阈值电压漂移、跨导下降、亚阈值摆幅上升和饱和电流下降的现象;辐照过程中,施加浮空偏置的N型器件较开态偏置损伤更严重,而施加开态偏置的P型器件较浮空偏置损伤更严重;N型器件辐照后回滞宽度减小且随着沟道尺寸的增大总剂量损伤愈发严重.辐照过程中产生的陷阱电荷是造成器件参数退化的主要原因;不同类型器件在辐照过程中施加的栅极偏置会影响栅极介质层中陷阱对电子或空穴的捕获,从而使器件呈现不同的辐射损伤特征;辐照后N型器件回滞宽度减小可能是因为辐照产生的带负电陷阱电荷阻碍了水分子、OH基团和栅极介质层中陷阱对电子的捕获;此外,晶体管的沟道尺寸也会影响辐射响应,尺寸越大,辐照过程中栅极介质层中和界面处产生陷阱电荷越多,导致晶体管损伤更为严重.

关键词：碳纳米管场效应晶体管 X 射线辐照总剂量效应

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