检索结果-内蒙古大学图书馆

物理学报 2022年第10期71卷 225-233页

作者：龚振洲魏浩范思源孙凤举吴撼宇邱爱慈西安交通大学电力设备与电气绝缘国家重点实验室西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

采用TL-code电路编码方法,建立了15 MA Z箍缩装置多层圆盘锥磁绝缘传输线的全电路模型,分析了外磁绝缘传输线、汇流柱和内磁绝缘传输线三个区域电流损失特性.外磁绝缘传输线磁绝缘形成过程的空间电荷损失持续时间约30 ns,对负载电流影响... 详细信息

采用TL-code电路编码方法,建立了15 MA Z箍缩装置多层圆盘锥磁绝缘传输线的全电路模型,分析了外磁绝缘传输线、汇流柱和内磁绝缘传输线三个区域电流损失特性.外磁绝缘传输线磁绝缘形成过程的空间电荷损失持续时间约30 ns,对负载电流影响小.进入磁绝缘稳态时,外磁绝缘传输线末端鞘层电子流损失约300 k A.汇流柱区域电流损失与电极等离子体运动速率密切相关,当等离子体运动速率为21 cm/μs时,负载峰值电流时刻损失电流约4 MA.内磁绝缘传输线电流损失取决于阳极离子流种类,电流损失在负载峰值电流时刻之后,损失电流约2.1 MA.当15 MA装置驱动长度2 cm、半径2 cm、质量3 mg丝阵负载时,绝缘堆峰值电流约18 MA,负载峰值电流约13.5 MA、峰值时间(0—100%)约为100 ns.

关键词：磁绝缘传输线传输线编码鞘层电子流离子流

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不同偏置条件下CMOS图像传感器质子辐照损伤效应的实验与分析

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光学学报 2023年第19期43卷 280-288页

作者：聂栩王祖军王百川薛院院黄港赖善坤唐宁王茂成赵铭彤杨馥羽王忠明湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 陕西西安710024

应用在空间辐射环境下的互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS)会受到高能质子辐照损伤,导致性能退化,严重时甚至功能失效。为了分析CIS高能质子辐照损伤机理,本文以0.18μm工艺CIS为研究对象,利用西安200 MeV质子应用装置开展了注量分别... 详细信息

应用在空间辐射环境下的互补金属氧化物半导体图像传感器(CIS)会受到高能质子辐照损伤,导致性能退化,严重时甚至功能失效。为了分析CIS高能质子辐照损伤机理,本文以0.18μm工艺CIS为研究对象,利用西安200 MeV质子应用装置开展了注量分别为1×10^(10)、5×10^(10)、1×10^(11)p/cm^(2)的100 MeV质子辐照实验。获得了单粒子瞬态响应的典型特征和暗信号、暗信号分布、暗信号尖峰及随机电码信号(RTS)等敏感参数的退化规律,揭示了不同偏置条件和不同注量下CIS高能质子辐照损伤的物理机制。实验结果表明:对暗信号而言,加偏置条件比未加偏置条件变化显著;质子辐照诱发的位移损伤和电离损伤引起暗信号的增大;位移损伤诱发的体缺陷诱发暗信号尖峰的产生,且随着辐照注量的增大而增多;空间电荷区中不同类型的体缺陷导致两能级和多能级RTS的产生。

关键词：遥感与传感器 CMOS图像传感器质子辐照瞬态响应暗信号随机电码信号

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GJB151B CS115的电路仿真分析(一)--校准设备指标需求分析

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强激光与粒子束 2022年第2期34卷 33-38页

作者：崔志同陈伟董亚运聂鑫吴伟秦锋西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

GJB151B CS115给出了开展脉冲传导敏感度试验的校准平台构成和校准波形标准,但未明确校准平台各设备(脉冲源、电流注入环、校准夹具等)的具体指标需求。为解决这一问题,本文在前期脉冲电流注入电路仿真研究工作的基础上,构建了校准平台... 详细信息

GJB151B CS115给出了开展脉冲传导敏感度试验的校准平台构成和校准波形标准,但未明确校准平台各设备(脉冲源、电流注入环、校准夹具等)的具体指标需求。为解决这一问题,本文在前期脉冲电流注入电路仿真研究工作的基础上,构建了校准平台的时域电路模型,通过逐一改变模型参数的方法,仿真分析了脉冲源内部回路电感、电流注入环等效电感/电阻/电容等对校准波形前沿、半宽以及平顶降的影响,得出了平台各设备应达到的技术指标。该工作是对GJB151B CS115的有益补充,为搭建CS115试验平台,开展电子设备脉冲传导敏感度试验提供了技术支撑。

关键词：电磁脉冲 CS115 传导敏感度电流注入

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强电磁脉冲下金属氧化物避雷器瞬态响应特性

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高电压技术 2022年第8期48卷 3326-3333页

作者：秦锋陈伟王旭桐任书庆黄涛聂鑫强电磁脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 西安710024

高空电磁脉冲是少数能够同时干扰广域分布系统的强电磁脉冲干扰之一,通过场线耦合能在电力传输线上形成纳秒级上升沿、数千安培的传导环境。为了研究电力系统关键易损性设备的强电磁脉冲效应,评估电力系统的高空电磁脉冲生存能力,有必... 详细信息

高空电磁脉冲是少数能够同时干扰广域分布系统的强电磁脉冲干扰之一,通过场线耦合能在电力传输线上形成纳秒级上升沿、数千安培的传导环境。为了研究电力系统关键易损性设备的强电磁脉冲效应,评估电力系统的高空电磁脉冲生存能力,有必要通过实验研究现有常规金属氧化物避雷器对高空电磁脉冲的瞬态响应特性。本文通过实验获取了高空电磁脉冲标准传导环境下金属氧化物避雷器的过冲峰值、残压峰值以及响应时间等关键参数,并通过实验分析了金属氧化物避雷器加电与不加电状态对关键参数的影响。实验结果表明:高空电磁脉冲传导环境作用下该型金属氧化物避雷器的过冲电压峰值为雷电冲击电流残压峰值的2.19倍;其残压峰值相对于雷电冲击电流残压峰值提高了115.6%;响应时间基本不随脉冲电流幅值变化。另外,是否加电对该型避雷器过冲峰值、残压峰值、响应时间等参数随脉冲电流幅值变化规律的影响可忽略。

关键词：金属氧化物避雷器高空电磁脉冲过冲峰值响应时间脉冲电流注入

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GJB151B CS115的电路仿真分析(二)--标准应用分析

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强激光与粒子束 2022年第6期34卷 35-40页

作者：崔志同陈伟董亚运聂鑫吴伟刘政西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为解决GJB151B CS115电缆束注入脉冲传导敏感度测试项目中的试验设计、效果预估等问题,在介绍不同类型受试线缆感性脉冲电流注入电路模型的基础上,仿真分析了试验设置中的各项因素(线缆设置、末端负载等)对注入到受试设备端口耦合电流/... 详细信息

为解决GJB151B CS115电缆束注入脉冲传导敏感度测试项目中的试验设计、效果预估等问题,在介绍不同类型受试线缆感性脉冲电流注入电路模型的基础上,仿真分析了试验设置中的各项因素(线缆设置、末端负载等)对注入到受试设备端口耦合电流/电压的影响,得到了CS115试验设置中存在的一些规律性特征,给出了应用电路仿真开展CS115试验设置分析和优化的方法。

关键词：电磁脉冲 CS115 脉冲电流注入感性耦合电路仿真

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反场构型平面薄膜电爆炸等离子体电流通道

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物理学报 2022年第3期71卷 231-242页

作者：刘永棠盛亮李阳张金海欧阳晓平清华大学工程物理系北京100084 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

Z箍缩负载初始化电流通道的形成建立过程、电流密度分布模式及其演化特征对研究等离子体动力学发展、分析等离子体不稳定性模式、开展磁流体数值模拟工作等具有重要意义.平面薄膜是研究这一问题中具有连续二维结构的理想构型.基于理想... 详细信息

Z箍缩负载初始化电流通道的形成建立过程、电流密度分布模式及其演化特征对研究等离子体动力学发展、分析等离子体不稳定性模式、开展磁流体数值模拟工作等具有重要意义.平面薄膜是研究这一问题中具有连续二维结构的理想构型.基于理想无限长平板假设下的反场薄膜-回流柱负载模型,通过理论对电感主导模式下的电流通道建立和演化过程、薄膜平面磁场分布特征和薄膜各部分受力特征进行了计算分析.通过开展对称型与非对称型下的平面薄膜电爆炸实验,以可见光分幅相机记录薄膜等离子体自辐射光分布为主要诊断手段开展了实验验证.结果显示,早期电流的建立与分布符合电感模型预期,薄膜等离子体表现出电流密度边缘聚集和钳状型等离子体发光形态.中后期图像显示发光强区会由薄膜边界向中心位置转移并导致峰状凸起型等离子体发光形态的演化,表明电流分配受等离子体发展影响,边界融蚀等离子体向心汇聚导致电流随之转移,最终造成电流通道的快速切换.

关键词：电爆炸薄膜反场构型电感模式电流密度分布

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典型相关双采样电路瞬时剂量率辐射效应时序敏感性

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现代应用物理 2025年第2期16卷 162-168页

作者：伏琰军韦源左应红朱金辉牛胜利强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

针对典型相关双采样电路开展了瞬时剂量率辐射效应,采用双指数电流源故障注入方法,结合工作时序给出了不同剂量率大小及发生时刻条件下,经相关双采样电路后4T像素单元复位电平与信号电平采样值的变化。研究发现,瞬时剂量率辐射效应发生... 详细信息

针对典型相关双采样电路开展了瞬时剂量率辐射效应,采用双指数电流源故障注入方法,结合工作时序给出了不同剂量率大小及发生时刻条件下,经相关双采样电路后4T像素单元复位电平与信号电平采样值的变化。研究发现,瞬时剂量率辐射效应发生时刻是影响相关双采样电路的重要因素。其中,在较低剂量率条件下,相关双采样电路能够保持电路基本功能,复位电平与信号电平采样值变化程度较小,约为5%,同时对故障注入时刻敏感度较低;相反,在高剂量率情形下,信号电平采样值对故障注入时刻表现出较强敏感性,存在采样功能保持和完全故障2种状态,对CMOS图像传感器成像质量带来较大不确定性。本文研究结果可为后续考量或评估CMOS图像传感器整体辐射效应响应提供借鉴和参考。

关键词：相关双采样电路剂量率辐射效应双指数电流源故障注入

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kA级脉冲电流注入环的电路建模与分析

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强激光与粒子束 2022年第9期34卷 110-115页

作者：董亚运崔志同程引会秦锋聂鑫西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为满足kA级脉冲电流注入应用需求,设计了一种基于非晶磁芯的电流注入环,其初级线圈采用线缆直接引出的方式,有效解决了传统注入环N型电缆接头耐压不足的问题。之后根据注入环结构建立了其电路模型,并应用粒子群优化算法确定了模型参数... 详细信息

为满足kA级脉冲电流注入应用需求,设计了一种基于非晶磁芯的电流注入环,其初级线圈采用线缆直接引出的方式,有效解决了传统注入环N型电缆接头耐压不足的问题。之后根据注入环结构建立了其电路模型,并应用粒子群优化算法确定了模型参数值。频域和时域的验证实验表明,仿真结果和实验结果具有较好的一致性,验证了该电路模型的可靠性和正确性。对注入环的实际应用场景进行了仿真分析,结果表明该电流注入环可满足实际应用中kA级脉冲电流注入的需求。

关键词：脉冲电流注入 kA级非晶磁芯电流注入环感性耦合

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强流二极管阳极靶温度和热形变模拟

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强激光与粒子束 2022年第7期34卷 99-105页

作者：胡杨蔡丹孙江张金海杨海亮孙剑锋尹佳辉呼义翔西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

以电子束在靶中的能量沉积剖面为桥梁,建立了二极管阳极靶温度和热形变模拟方法。该方法可获知二极管不同工作状态下靶的温度分布和热形变情况,为靶热-力学损伤研究提供基础数据,为二极管构型设计和寿命提升提供技术支撑。将该方法应用... 详细信息

以电子束在靶中的能量沉积剖面为桥梁,建立了二极管阳极靶温度和热形变模拟方法。该方法可获知二极管不同工作状态下靶的温度分布和热形变情况,为靶热-力学损伤研究提供基础数据,为二极管构型设计和寿命提升提供技术支撑。将该方法应用于“强光一号”短γ二极管,计算结果显示:当阳极离子密度大于10^(14) cm^(−3)时(强箍缩),靶表面温度最高可达5500~6000℃,热形变量达约4.5 mm;无离子流时(弱箍缩),温度处在4500℃左右,形变为2.8~3.5 mm。

关键词：强流二极管阳极靶温度热形变模拟

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国际高能脉冲X射线闪光照相加速器的发展综述

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强激光与粒子束 2022年第9期34卷 15-24页

作者：魏浩孙凤举邱爱慈杨海亮尹佳辉张鹏飞姜晓峰王志国西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

高能脉冲X射线闪光照相加速器在高性能爆轰流体动力学实验研究中具有重要应用,是牵引高功率脉冲技术发展的重大需求之一。综述了射频直线加速器、电子感应加速器、基于高压脉冲源和高功率二极管的强流脉冲功率加速器3大类、5种闪光照相... 详细信息

高能脉冲X射线闪光照相加速器在高性能爆轰流体动力学实验研究中具有重要应用,是牵引高功率脉冲技术发展的重大需求之一。综述了射频直线加速器、电子感应加速器、基于高压脉冲源和高功率二极管的强流脉冲功率加速器3大类、5种闪光照相加速器技术路线的主要特点、代表性装置,对比了几种技术路线的特点,展望了未来发展趋势:一是大力发展共轴多脉冲X射线分幅照相技术;二是采用全固态脉冲功率组件实现加速器紧凑化、小型化和可移动。

关键词：射频直线加速器回旋式电子感应加速器直线感应加速器 Marx发生器感应电压叠加器快脉冲直线变压器

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