检索结果-内蒙古大学图书馆

现代应用物理 2021年第3期12卷 11-24,40页

作者：王忠明陈伟邱孟通闫逸花张辉王敏文王百川杨业王迪刘卧龙王茂成吕伟赵铭彤赵晨魏崇阳王学武关遐令郑曙昕邢庆子姚红娟程诚杜泰斌张化一雷钰王丹杜畅通马鹏飞刘晓宇李岩叶文博于旭东强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024 粒子技术与辐射成像教育部重点实验室北京100084 清华大学先进辐射源及应用实验室北京100084 清华大学工程物理系北京100084

西安200 MeV质子应用装置(XiPAF)是为满足宇航用核心电子器件的空间单粒子效应研究与考核评估而建立的专用辐射模拟实验装置。该装置采用7 MeV直线加速器作为注入器,200 MeV同步加速器作为主加速器的技术路线。XiPAF引出能量在10~200 Me... 详细信息

西安200 MeV质子应用装置(XiPAF)是为满足宇航用核心电子器件的空间单粒子效应研究与考核评估而建立的专用辐射模拟实验装置。该装置采用7 MeV直线加速器作为注入器,200 MeV同步加速器作为主加速器的技术路线。XiPAF引出能量在10~200 MeV之间连续可调,每周期环中累积的粒子数大于1×10^(11),是我国当前已建成的能量最高的辐射模拟专用的质子实验装置,可极大缓解我国单粒子效应实验机时严重不足的局面,在宇航用核心电子器件的空间单粒子效应研究和考核评估方面发挥重要作用,为我国抗辐射加固技术研究及核心器件的自主可控发展提供重要技术支撑。同时,该装置还可用于开展辐射测量与诊断技术、核数据获取、材料辐射效应及生物辐射效应等方面的研究工作,是一个多学科的辐射物理应用与研究平台。

关键词：粒子加速器质子加速器同步加速器辐射效应单粒子效应

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强流脉冲电子束能注量测量的不确定度分析

强流脉冲电子束能注量测量的不确定度分析

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中国核学会2019年学术年会

作者：苏兆锋杨海亮孙江任书庆西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

采用基于红外测温技术的石墨量热计测量了"闪光二号"加速器产生的强流电子束能注量。为了提高测量结果的准确性,依据《测量不确定度评定与表示》（JJF 1059.1—2012）的评定流程,给出了强流电子束能注量测量与标定的不确定度... 详细信息

采用基于红外测温技术的石墨量热计测量了"闪光二号"加速器产生的强流电子束能注量。为了提高测量结果的准确性,依据《测量不确定度评定与表示》（JJF 1059.1—2012）的评定流程,给出了强流电子束能注量测量与标定的不确定度模型,分析了数学模型中各个量的不确定度来源以及评定方法。依照不确定度传播率,开展了不确定度合成的分析和评估,推导出了电子束能注量合成标准不确定度的表达式。以实验数据为基础,计算得到电子束能注量为100.1±8.1 J/cm,合成不确定度为8.1%。其中,信号转换和传输是引入不确定度的主要因素。

关键词：电子束能注量全吸收量热计闪光二号加速器相对标准不确定度

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基于概率统计的物理地址与逻辑地址映射关系提取方法

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现代应用物理 2020年第2期11卷 22-26页

作者：王勋张凤祁丁李利罗尹虹陈伟郭晓强西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

针对从单粒子翻转(SEU)实验数据中提取多单元翻转(MCU)信息时缺少物理地址与逻辑地址映射关系的问题,提出一种基于概率统计的物理地址与逻辑地址映射关系提取方法。通过逐位对比所有包含MCU信息的SEU数据的逻辑地址,统计逻辑地址间不同... 详细信息

针对从单粒子翻转(SEU)实验数据中提取多单元翻转(MCU)信息时缺少物理地址与逻辑地址映射关系的问题,提出一种基于概率统计的物理地址与逻辑地址映射关系提取方法。通过逐位对比所有包含MCU信息的SEU数据的逻辑地址,统计逻辑地址间不同逻辑位的个数和位置,并分析逻辑位出现的频次,可得到物理地址和逻辑地址之间的映射关系。用重离子试验数据对该方法进行验证,结果表明,该方法能够获取MCU信息提取中最重要的地址映射信息,与逆向工程相比,能在不明显降低MCU提取精度的情况下,节省研究时间和经费。

关键词：概率统计地址映射关系提取单粒子翻转多单元翻转

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四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

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中国核学会2019年学术年会

作者：金晓明陈伟李俊霖齐超刘岩郭晓强王晨辉强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究。实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系,研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、... 详细信息

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究。实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系,研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压、初始数据配置、辐照中子注量率等因素的关系。SRAM器件中子单粒子翻转截面受到入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压的影响较大,与初始数据配置、辐照中子注量率无关。

关键词：中子单粒子翻转 SRAM 截面

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西安200MeV质子应用装置脉冲电源控制系统

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现代应用物理 2021年第3期12卷 79-84页

作者：胡闯魏崇阳王强赵晨王茂成闫逸花郑曙昕姚红娟程诚关遐令王学武王忠明粒子技术与辐射成像教育部重点实验室北京100084 清华大学先进辐射源及应用实验室北京100084 清华大学工程物理系北京100084 西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

西安200 MeV质子应用装置(XiPAF)控制系统是采用实验物理与工业控制系统(EPICS)架构设计开发研制的分布式控制系统,包含了设备安全联锁网络、同步定时网络和数据与控制网络。XiPAF脉冲电源控制系统是其中一个子系统,集成在3个网络当中,... 详细信息

西安200 MeV质子应用装置(XiPAF)控制系统是采用实验物理与工业控制系统(EPICS)架构设计开发研制的分布式控制系统,包含了设备安全联锁网络、同步定时网络和数据与控制网络。XiPAF脉冲电源控制系统是其中一个子系统,集成在3个网络当中,该系统通过EPICS输入输出控制程序(IOC)和实时数据记录器(RTDL)网络客户端程序,采用多种通信协议与电源通信并进行控制,实现了XiPAF脉冲电源监测、控制、触发和安全联锁功能,适当简化了脉冲电源的操作流程,并对多台脉冲电源实现了集约化管理。经整机实验表明,该系统满足装置稳定运行和物理调束需求,目前已正式投入运行。

关键词：西安200MeV质子应用装置加速器控制系统 EPICS 脉冲电源

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不同剂量率伽马射线辐照PPD CMOS图像传感器的瞬态效应实验研究

不同剂量率伽马射线辐照PPD CMOS图像传感器的瞬态效应实验研究

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中国核学会2021年学术年会

作者：王祖军薛院院贾同轩杨勰何宝平马武英姚志斌盛江坤缑石龙强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 湘潭大学材料科学与工程学院西安高科技研究所

开展了0.18μm工艺制造的钳位二极管（PPD）CMOS图像传感器（CIS）Co伽马射线瞬态效应辐照实验研究。分析了PPD CIS Co伽马射线瞬态效应的典型特征和物理机制,研究了PPD CIS在辐照剂量率分别为0.01、0.02、0.05、0.1、0.2、0.3rad（Si... 详细信息

开展了0.18μm工艺制造的钳位二极管（PPD）CMOS图像传感器（CIS）Co伽马射线瞬态效应辐照实验研究。分析了PPD CIS Co伽马射线瞬态效应的典型特征和物理机制,研究了PPD CIS在辐照剂量率分别为0.01、0.02、0.05、0.1、0.2、0.3rad（Si）/s及不同积分时间下（1.02到20.51ms）下的瞬态效应辐照实验规律。实验结果表明:在相同的积分时间下,PPD CIS的暗场平均输出信号随辐照剂量率增大而近似线性增大;在相同的辐照剂量率下,PPD CIS的暗场平均输出信号随积分时间增大而近似线性增大;当辐照剂量率和积分时间乘积相同时,PPD CIS辐照时的暗场输出信号分布接近。

关键词： CMOS图像传感器伽马辐照瞬态效应剂量率

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船舶半悬挂舵数字化设计及其软件开发

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机械 2022年第3期49卷 7-13,24页

作者：聂森胡启航缪俊陆建辉青岛城市学院机电工程学院山东青岛266106 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 江苏华帝海洋工程设备制造有限公司江苏泰州214522 中国海洋大学工程学院山东青岛266100

针对目前舵系计算和绘图数据形成信息孤岛等问题,通过对半悬挂舵设计过程的分析,建立舵系参数化设计数学模型,基于Visual Basic 6.0平台开发舵系数字化设计软件。搭建4个舵系设计功能模块,构建模块与软件数据库间的链接,实现平台内数据... 详细信息

针对目前舵系计算和绘图数据形成信息孤岛等问题,通过对半悬挂舵设计过程的分析,建立舵系参数化设计数学模型,基于Visual Basic 6.0平台开发舵系数字化设计软件。搭建4个舵系设计功能模块,构建模块与软件数据库间的链接,实现平台内数据共享。软件界面友好,数字与图形互动,通过对输入数据的实时质量控制确保设计无差错。建立舵系零件特征参数,基于SolidWorks与AutoCAD软件平台,实现零件参数驱动与修改,有限元分析与精度控制等。以15000DWT自卸运煤船半悬挂舵为设计究对象,输出了一套完整的半悬挂舵设计资料,验证软件设计的可靠性、准确性和高效率。

关键词：舵系数字化设计半悬挂舵软件开发

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强流平板二极管阻抗特性分析

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太赫兹科学与电子信息学报 2019年第2期17卷 338-342页

作者：胡杨杨海亮张鹏飞孙江孙剑锋西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

在"剑光一号"上搭建了二极管平台,理论估计了二极管阻值,进行了平板二极管阻抗和束流分布测量实验。结合法拉第筒阵列测得的束流密度分布、粒子模拟(PIC)仿真结果对二极管阻抗特性进行了全面的对比分析。结果表明,二极管工作... 详细信息

在"剑光一号"上搭建了二极管平台,理论估计了二极管阻值,进行了平板二极管阻抗和束流分布测量实验。结合法拉第筒阵列测得的束流密度分布、粒子模拟(PIC)仿真结果对二极管阻抗特性进行了全面的对比分析。结果表明,二极管工作于弱箍缩状态,阻抗阻值略低于估计值,阻抗曲线、法拉第筒波形以及束流箍缩程度三者间存在高度的相关性。当阻抗曲线处在前端(导通前)和末期(崩溃段)时,束流均处在未箍缩期间,法拉第筒信号无有效数据;阻抗曲线处在平区时,二极管工作平稳,束流箍缩情况和法拉第筒信号稳定,阳极边缘处的法拉第筒波形呈现双峰,与束流箍缩运动情况相符。

关键词：阻抗束流箍缩强流平板二极管法拉第筒

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65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

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物理学报 2018年第14期67卷 223-229页

作者：马武英姚志斌何宝平王祖军刘敏波刘静盛江坤董观涛薛院院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现... 详细信息

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 ^60Coγ辐照辐射损伤数值仿真

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宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范体系

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现代应用物理 2020年第2期11卷 61-70页

作者：陈伟唐民郭晓强于庆奎罗尹虹梅博姚志斌丁李利李瑞宾王桂珍杨善潮王祖军马武英西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 中国空间技术研究院宇航物资保障事业部北京100029

宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准... 详细信息

宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范的发展现状,研究了器件发展给辐射效应试验方法带来的挑战,提出了满足空间抗辐射性能要求的宇航器件地面模拟试验与评估标准规范体系建设建议,对规范宇航器件抗辐射性能地面模拟试验方法具有参考价值。

关键词：宇航器件空间辐射效应试验与评估标准规范

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