检索结果-内蒙古大学图书馆

强激光与粒子束 2022年第7期34卷 83-89页

作者：王天驰王海洋黄涛李俊娜吴刚谢霖燊陈伟杜应超清华大学粒子技术与辐射成像教育部重点实验室北京100084 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049

研究了一种自触发紫外预电离开关击穿时延抖动特性的影响因素,结果表明:触发间隙电容放电阶段起预电离作用时,预电离注入时刻开关电场是开关时延抖动的决定性因素,提高工作系数和采用逸出功更低的电极材料对降低开关在脉冲峰值附近击穿... 详细信息

研究了一种自触发紫外预电离开关击穿时延抖动特性的影响因素,结果表明:触发间隙电容放电阶段起预电离作用时,预电离注入时刻开关电场是开关时延抖动的决定性因素,提高工作系数和采用逸出功更低的电极材料对降低开关在脉冲峰值附近击穿时的时延抖动效果有限。提出的改进方法为:减小开关均压电阻阻值,显著延长触发间隙的有效燃弧时间,消除预电离注入时间及抖动的影响。采用改进方法时可以使开关在工作电压300~800 kV、前沿100 ns、180 ns的脉冲峰值附近击穿时的时延抖动分别小于1.3 ns、2.8 ns。

关键词：气体开关预电离自触发脉冲击穿时延抖动

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SGEMP等效脉冲电流注入波形研究

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太赫兹科学与电子信息学报 2023年第10期21卷 1239-1243页

作者：李进玺吴伟程引会王一雄赵墨郭景海西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

采用电磁范数对系统电磁脉冲(SGEMP)脉冲电流注入(PCI)波形参数的确定方法进行研究。负载分别为高阻和低阻时,对SGEMP敏感端口响应典型波形进行电磁范数参数化表征,综合考虑等效波形的上升时间、峰值、携带的能量和电荷量与响应波形的... 详细信息

采用电磁范数对系统电磁脉冲(SGEMP)脉冲电流注入(PCI)波形参数的确定方法进行研究。负载分别为高阻和低阻时,对SGEMP敏感端口响应典型波形进行电磁范数参数化表征,综合考虑等效波形的上升时间、峰值、携带的能量和电荷量与响应波形的差异情况,开展了PCI等效波形参数研究。仿真结果表明,方波等效波形可以很好地模拟出响应波形,等效波形与响应波形的峰值一致,频谱特征近似;等效波形的上升时间、携带的能量和电荷量等参数通过调整脉宽即可实现与响应波形一致。因此,可采用电磁范数对SGEMP响应波形进行参数化表征等效,获得的等效波形容易在实验室生成,从而为采用电流注入方法开展SGEMP研究提供一种新的途径。

关键词：系统电磁脉冲电流注入电磁范数波形等效

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碲锌镉半导体探测器时间响应性能分析

碲锌镉半导体探测器时间响应性能分析

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中国核学会2023年学术年会

作者：陈翔张侃胡启航尹洪峤西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

本文研究了电流型碲锌镉(CZT)半导体探测器的时间响应特性。首先理论分析了CZT半导体中浅能级缺陷对探测器时间响应特性的影响,并基于ps级脉冲电子束装置获取了不同工作电压、晶体厚度下探测器时间响应曲线。研究结果表明:造成CZT探测... 详细信息

本文研究了电流型碲锌镉(CZT)半导体探测器的时间响应特性。首先理论分析了CZT半导体中浅能级缺陷对探测器时间响应特性的影响,并基于ps级脉冲电子束装置获取了不同工作电压、晶体厚度下探测器时间响应曲线。研究结果表明:造成CZT探测器时间响应曲线后沿拖尾的主要因素是空穴的慢迁移过程,以及晶体内高浓度的缺陷对载流子的俘获和去俘获作用过程。通过合理设置探测器的工作电压和晶体厚度等参数(如工作电压为100 V、晶体厚度为200μm),使CZT探测器时间响应曲线的上升时间、脉冲半宽及持续时间均可达到ns级。该研究成果可以为高强度脉冲伽马射线场诊断提供一种具有ns级超快响应特性的电流型半导体探测器。

关键词：脉冲伽马射线半导体探测器碲锌镉半导体时间响应晶体缺陷

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22nm FDSOI工艺SRAM单粒子效应的重离子实验研究

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原子能科学技术 2022年第3期56卷 537-545页

作者：赵雯赵凯陈伟沈鸣杰王坦郭晓强贺朝会西安交通大学核科学与技术学院陕西西安710049 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024 上海复旦微电子集团股份有限公司上海200433

针对22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺静态随机存储器(SRAM)开展了重离子实验,对比了不同加固设计的FDSOI SRAM的抗单粒子翻转(SEU)和多单元翻转(MCU)能力,分析了读写错误致存储阵列MCU的效应表征和作用机制,揭示了衬底偏置对FDSOI SRA... 详细信息

针对22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)工艺静态随机存储器(SRAM)开展了重离子实验,对比了不同加固设计的FDSOI SRAM的抗单粒子翻转(SEU)和多单元翻转(MCU)能力,分析了读写错误致存储阵列MCU的效应表征和作用机制,揭示了衬底偏置对FDSOI SRAM SEU敏感性的影响机理。研究结果表明:对5款被测FDSOI SRAM而言,抗SEU能力由弱到强依次为八管加固型SRAM2、冗余加固型SRAM1、双互锁结构(DICE)型SRAM3或SRAM4、双DICE型SRAM5;3款DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU性能优于其他两款SRAM;虽然DICE型FDSOI SRAM的存储阵列自身抗MCU能力强,但读写错误致存储阵列MCU的影响不可忽略,且该影响随SRAM工作频率的提高愈加严重;衬底偏置通过对寄生双极放大效应的控制来影响FDSOI SRAM的SEU敏感性。

关键词：单粒子效应重离子全耗尽绝缘体上硅静态随机存储器

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低速运动的Stewart平台连杆受力极值分析

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机械设计 2025年第5期 166-174页

作者：叶洋高帅管兴胤郝帅胡启航张勇西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

工程应用中Stewart平台通过连杆伸缩进行位姿变换，进而带动负载物实现6自由度运动。不同姿态下Stewart平台连杆的轴力往往具有很大差异，找出位姿变换过程中连杆的最大轴力，对于连杆的强度设计和驱动装置设计具有重要意义。针对光学... 详细信息

工程应用中Stewart平台通过连杆伸缩进行位姿变换，进而带动负载物实现6自由度运动。不同姿态下Stewart平台连杆的轴力往往具有很大差异，找出位姿变换过程中连杆的最大轴力，对于连杆的强度设计和驱动装置设计具有重要意义。针对光学对准等领域中应用的低速运动的Stewart平台，忽略负载惯性加速度的影响，建立了方便求解连杆轴力的简化力学平衡方程，并通过有限元仿真对该方程的有效性进行了验证；在此基础上进一步搜索位姿变换过程中连杆所受最大载荷，提出了一种具有自适应惯性权重的多种群粒子群算法(AIW-MPSO),并将该算法的搜索结果和其他常见优化算法进行了比较。结果表明，通过该算法具有良好的全局寻优能力和较好的求解精度，可以有效求解Stewart平台连杆在位姿变换过程中的最大轴力及所对应的位姿。

关键词： Stewart平台位姿变换连杆轴力有限元仿真粒子群算法

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CMOS器件单粒子效应电路级建模与仿真

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原子能科学技术 2021年第12期55卷 2113-2120页

作者：丁李利王坦张凤祁杨国庆陈伟强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024 西安电子科技大学陕西西安710071

单粒子效应电路级建模与仿真是近年来的热点问题。为实现更高的准确度和更精细的机制分析,研究了单粒子瞬态受重离子入射位置的影响并解析建模,基于纳米尺度测试芯片的辐照试验结果验证了仿真方法的准确性。以此为基础开发了瞬时辐射效... 详细信息

单粒子效应电路级建模与仿真是近年来的热点问题。为实现更高的准确度和更精细的机制分析,研究了单粒子瞬态受重离子入射位置的影响并解析建模,基于纳米尺度测试芯片的辐照试验结果验证了仿真方法的准确性。以此为基础开发了瞬时辐射效应仿真软件TREES,其输入文件为GDSII格式的版图,软件中通过解析版图提取所有有源区的形状、尺寸信息。软件还包括其他用户自定义选项,包括重离子LET值、待分析区域、激励设置等。输出文件包括对应单次入射的波性文件、单粒子效应敏感区热点图、单粒子效应截面数据等。软件第1版实现了与商用设计流程相集成,可作为Cadence工具栏中的嵌入式软件。软件第2版为不依赖于上下游商业软件的独立软件。本工作可用于评价单元电路或中小规模单粒子效应敏感性,对于熟悉电路级仿真的设计人员,可用于在设计阶段快速评价集成电路的抗辐射加固性能。

关键词：电路级建模与仿真单粒子效应 TREES CMOS器件

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基于视场分割模型的闪光照相系统图像畸变校正

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激光与光电子学进展 2024年第24期61卷 35-42页

作者：任宇航李斌康周二瑞杨少华严明郭明安李刚刘璐王晶时明月西安交通大学电气工程学院陕西西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室陕西西安710024

闪光照相是超高速碰撞、爆炸等瞬态过程的重要诊断技术。闪光照相系统目前多使用光锥耦合的增强型互补金属氧化物半导体(ICMOS)相机作为成像设备,其具有体积小、质量轻、成像速度快等优点。但光锥耦合会给成像过程引入较为复杂的图像畸... 详细信息

闪光照相是超高速碰撞、爆炸等瞬态过程的重要诊断技术。闪光照相系统目前多使用光锥耦合的增强型互补金属氧化物半导体(ICMOS)相机作为成像设备,其具有体积小、质量轻、成像速度快等优点。但光锥耦合会给成像过程引入较为复杂的图像畸变,从而降低闪光照相系统的成像性能。本文根据闪光照相系统中ICMOS相机耦合光锥引起的图像畸变特点,提出一种高效的畸变校正方法。基于视场分割模型,针对图像边缘特征点不足引起的边缘校正效果较差问题,对图像边缘进行变步长视场分割,提升图像边缘畸变校正精度。实验结果表明,相较于已有方法,所提方法校正后图像的均方根误差和最大残留误差分别下降17.8%和70.2%。与已有方法相比,所提变步长视场分割法对ICMOS耦合光锥引起的图像畸变具有较高校正精度。

关键词：图像畸变校正闪光照相特征点视场分割

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CMOS图像传感器辐照损伤效应仿真模拟研究进展

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半导体光电 2022年第5期43卷 839-847页

作者：王祖军赖善坤杨勰贾同轩黄港聂栩西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105 西安高科技研究所西安710024

CMOS图像传感器(CIS)工作在空间辐射或核辐射环境中遭受的辐照损伤问题备受关注。对CIS辐照损伤效应进行仿真模拟研究有助于深入揭示辐照损伤机理,进而开展抗辐射加固设计,有效提升CIS抗辐照能力。文章通过梳理国内外开展CIS辐照损伤效... 详细信息

CMOS图像传感器(CIS)工作在空间辐射或核辐射环境中遭受的辐照损伤问题备受关注。对CIS辐照损伤效应进行仿真模拟研究有助于深入揭示辐照损伤机理,进而开展抗辐射加固设计,有效提升CIS抗辐照能力。文章通过梳理国内外开展CIS辐照损伤效应仿真模拟研究方面的进展情况,结合课题组已开展的电子元器件辐照效应仿真模拟和实验研究基础,从CIS器件建模、时序驱动电路建模、辐照损伤效应建模、仿真模拟结果校验等方面探讨了CIS辐照损伤效应的仿真模拟方法,分析总结了当前CIS辐照效应仿真模拟研究中亟待解决的关键技术问题。

关键词： CMOS图像传感器辐照损伤总剂量效应位移效应

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双自由度诊断高能电子透镜成像技术

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强激光与粒子束 2022年第6期34卷 110-117页

作者：肖家浩杜应超李豪卿赵永涛盛亮清华大学工程物理系北京100084 粒子与辐射成像教育部重点实验室(清华大学) 北京100084 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西安交通大学物理学院西安710049

电磁场及流体演化过程信息的获取在高能量密度物理、可控核聚变及实验天体物理的研究中起着重要的作用,然而在实验过程中,电磁场信息及流体信息的同步获取是非常困难的。基于高能电子透镜成像技术,利用面密度差分的方法,提出了一种可以... 详细信息

电磁场及流体演化过程信息的获取在高能量密度物理、可控核聚变及实验天体物理的研究中起着重要的作用,然而在实验过程中,电磁场信息及流体信息的同步获取是非常困难的。基于高能电子透镜成像技术,利用面密度差分的方法,提出了一种可以实现面密度和场积分强度同时获取的双自由度诊断设计方案。结合了蒙特卡罗模拟和束流光学分析,该方案在相对较强的电磁场情况下的适用性得到了验证。此外,我们可以通过改变Fourier面处光阑的形状将其适用区间扩展到低电磁场强度相空间。结合高能电子束相对论速度及超短脉冲的特点,该技术非常适用于磁流体超快演化过程的诊断。

关键词：高能电子透镜成像场积分强度测量面密度诊断双自由度诊断超快成像技术

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全堆芯三维时空动力学中子输运程序SAAFCGSN应用研究

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核动力工程 2025年第1期46卷 13-23页

作者：姜夺玉许鹏江新标胡田亮王立鹏曹璐李达火箭军工程大学西安710025 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

当前为了应对新型先进小堆技术的发展,反应堆物理数值计算程序对三维全堆芯输运计算的要求不断提高。本文基于MOOSE平台开发了全堆芯三维时空动力学中子输运程序SAAFCGSN,该程序基于有限元方法实现空间变量离散,基于残差形式实现堆芯稳... 详细信息

当前为了应对新型先进小堆技术的发展,反应堆物理数值计算程序对三维全堆芯输运计算的要求不断提高。本文基于MOOSE平台开发了全堆芯三维时空动力学中子输运程序SAAFCGSN,该程序基于有限元方法实现空间变量离散,基于残差形式实现堆芯稳态、瞬态中子输运方程以及缓发中子先驱核方程的求解,采用JFNK方法避免直接求解Jacobin矩阵,从而提高计算速度,降低内存占用。为了检验程序的瞬态计算能力,本文使用经济发展与合作组织核能机构(OECD/NEA)C5G7-TD系列基准题验证了程序的可靠性,并与高保真确定论中子输运程序及蒙特卡罗程序模拟结果进行比较分析。研究表明,SAAFCGSN程序计算精度较高,可以有效处理控制棒尖齿效应,并得到详细的三维堆芯中子注量率分布,满足先进小堆的稳态及瞬态中子学计算需求。

关键词： SAAFCGSN MOOSE平台时空动力学 C5G7-TD基准题尖齿效应

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