检索结果-内蒙古大学图书馆

高电压技术 2018年第6期44卷 1968-1974页

作者：魏浩孙凤举邱爱慈呼义翔西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049

针对感应腔注入电流非均匀分布引起的感应电压叠加器次级非轴对称磁绝缘问题,在磁绝缘经典层流理论基础上,通过引入角向非均匀分布的模数,将经典一维轴对称磁绝缘Creedon理论推广至两维（r,θ）平面,建立了圆柱坐标系下二维层流物理模型... 详细信息

针对感应腔注入电流非均匀分布引起的感应电压叠加器次级非轴对称磁绝缘问题,在磁绝缘经典层流理论基础上,通过引入角向非均匀分布的模数,将经典一维轴对称磁绝缘Creedon理论推广至两维（r,θ）平面,建立了圆柱坐标系下二维层流物理模型,推导了磁绝缘电参数（电磁场、空间电子密度、电子鞘层等）与相对论因子γ（r,θ）的关系。当给定边界条件（阴极磁感应强度角向分布）时,数值求解物理模型,获得了感应电压叠加器次级非轴对称磁绝缘电参数的二维分布。当感应电压叠加器次级阴极磁感应强度满足余弦分布时,磁绝缘电子鞘层边界近似呈高斯分布。在靠近馈入点的角向位置,由于磁感应强度较大,电子鞘层较薄,磁绝缘电子密度较大。阳极磁感应强度分布均匀性优于阴极,且两者相位相差180°,数值分析结果与RITS-3装置实验结果基本相符。建立的物理模型和分析方法可用于长距离磁绝缘线内筒偏心等非轴对称磁绝缘问题。

关键词：磁绝缘感应电压叠加器注入电流非均匀分布非轴对称磁绝缘层流理论电子鞘层

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金属丝电爆炸研究进展-(Ⅰ):真空环境

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高电压技术 2018年第6期44卷 1898-1906页

作者：吴坚李兴文邱爱慈卢一晗李沫西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

真空中金属丝电爆炸在Z箍缩等离子体、X射线源等有重要应用,特别是纳秒脉冲下金属单丝的电爆炸行为是丝阵Z箍缩的最初始阶段,对丝阵Z箍缩内爆辐射特性有重要影响,因而受到特别关注。目前,利用高时空分辨的等离子体诊断系统和数值模拟手... 详细信息

真空中金属丝电爆炸在Z箍缩等离子体、X射线源等有重要应用,特别是纳秒脉冲下金属单丝的电爆炸行为是丝阵Z箍缩的最初始阶段,对丝阵Z箍缩内爆辐射特性有重要影响,因而受到特别关注。目前,利用高时空分辨的等离子体诊断系统和数值模拟手段,真空环境中金属丝电爆炸的研究已在实验诊断、调控方法、理论模型等方面取得了许多重要研究成果。在介绍发展历史的基础上,主要针对真空环境中纳秒脉冲下金属单丝电爆炸的相关研究,描述了金属丝电爆炸的基本特性,总结了电参数和丝参数对电爆炸特性的影响规律,分析了提高金属丝中沉积能量以实现金属丝汽化的调控方法,并综述了数值模拟中电爆炸丝状态方程、输运参数和磁流体模型等的主要进展,最后指出了研究面临的挑战和未来发展的方向,对今后继续深入开展该领域的研究工作具有一定的借鉴意义。

关键词：金属丝电爆炸纳秒脉冲芯晕结构等离子体诊断真空环境

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四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

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中国核学会2019年学术年会

作者：金晓明陈伟李俊霖齐超刘岩郭晓强王晨辉强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究.实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系，研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、... 详细信息

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究.实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系，研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压、初始数据配置、辐照中子注量率等因素的关系.SRAM器件中子单粒子翻转截面受到入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压的影响较大，与初始数据配置、辐照中子注量率无关.

关键词：中子单粒子翻转 SRAM 截面

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强流脉冲电子束能注量测量的不确定度分析

强流脉冲电子束能注量测量的不确定度分析

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中国核学会2019年学术年会

作者：苏兆锋杨海亮孙江任书庆强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

采用基于红外测温技术的石墨量热计测量了"闪光二号"加速器产生的强流电子束能注量.为了提高测量结果的准确性,依据《测量不确定度评定与表示》(JJF 1059.1-2012)的评定流程,给出了强流电子束能注量测量与标定的不确定度模型... 详细信息

采用基于红外测温技术的石墨量热计测量了"闪光二号"加速器产生的强流电子束能注量.为了提高测量结果的准确性,依据《测量不确定度评定与表示》(JJF 1059.1-2012)的评定流程,给出了强流电子束能注量测量与标定的不确定度模型,分析了数学模型中各个量的不确定度来源以及评定方法.依照不确定度传播率,开展了不确定度合成的分析和评估,推导出了电子束能注量合成标准不确定度的表达式.以实验数据为基础,计算得到电子束能注量为100.1±8.1 J/cm2,合成不确定度为8.1％.其中,信号转换和传输是引入不确定度的主要因素.

关键词：电子束能注量全吸收量热计闪光二号加速器相对标准不确定度

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基于Elman反馈神经网络的导线串扰问题预测

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计算机应用与软件 2018年第5期35卷 33-36,66页

作者：王锦锦聂鑫王伟石跃武相辉杨静朱志臻西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

为了更好地预测导线串扰问题,提出使用Elman反馈神经网络方法。该反馈神经网络方法具有很强的联想记忆和优化计算功能,使用与导线串扰响应有关的参数作为网络的输入,将预测到的导线的耦合电压值作为输出。Elman反馈神经网络采用的训练... 详细信息

为了更好地预测导线串扰问题,提出使用Elman反馈神经网络方法。该反馈神经网络方法具有很强的联想记忆和优化计算功能,使用与导线串扰响应有关的参数作为网络的输入,将预测到的导线的耦合电压值作为输出。Elman反馈神经网络采用的训练数据为多导体传输线方法计算得到的。采用训练得到的该反馈神经网络预测模型对未知样本进行预测,比较预测结果和真实测试结果。实验表明建立的Elman神经网络对于导线串扰问题的预测误差较小,结果比较准确。

关键词： Elman反馈神经网络预测导线串扰电磁兼容

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纳米SRAM寄生双极晶体管效应的仿真研究

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电子学报 2018年第10期46卷 2495-2503页

作者：赵雯郭晓强陈伟罗尹虹王汉宁西安交通大学核科学与技术学院陕西西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 北京微电子技术研究所北京100076

以65nm双阱CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺的SRAM(Static Random Access Memory)为研究对象,采用三维数值模拟方法,结合SRAM中晶体管布局和邻近SRAM的相对位置,对寄生双极晶体管效应致纳米SRAM内部节点电势多次翻转的产生机制进行了深入阐述,对寄生双极晶体管效应致纳米SRAM发生MCU(Multiple Cell Upset)的影响因素进行了详细研究.发现寄生双极晶体管效应致SRAM内部节点电势多次翻转源于N阱中两个PMOS漏极电势的竞争过程,竞争过程与寄生双极晶体管效应的强弱相关,需综合考虑PMOS源极与N阱接触的距离、PMOS漏极与N阱的电势差两个因素.在纳米双阱CMOS工艺的SRAM中,PNP寄生双极晶体管效应对MCU起着重要作用.减小阱接触与SRAM单元的距离,可减弱邻近SRAM的寄生双极晶体管效应并降低MCU的发生概率,即使阱接触距离很近,特殊角度的斜入射和高LET(Linear Energy Transfer)值离子入射仍存在触发邻近SRAM的寄生双极晶体管效应并导致MCU的可能.

关键词：寄生双极晶体管效应单粒子多位翻转纳米SRAM

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CCD质子辐照损伤效应的三维蒙特卡罗模拟

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强激光与粒子束 2018年第4期30卷 83-88页

作者：薛院院王祖军刘静何宝平姚志斌刘敏波盛江坤马武英董观涛金军山西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 湘潭大学材料科学与工程学院湖南湘潭411105

针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将模拟结果与相关数... 详细信息

针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将模拟结果与相关数据进行对比,模拟误差在5%以内。根据质子与材料相互作用的物理过程,选取了合适的Lindhard分离函数,添加合适的物理过程,模拟计算了不同能量质子在SiO_2中的电离能量损失和Si中的非电离能量损失,并将结果与国外相关数据进行对比。根据CCD的生产工艺参数,建立了单个像元的三维模拟模型,确定了质子辐照损伤的灵敏体积,模拟计算了不同能量质子在像元灵敏体积内的电离能量沉积与非电离能量沉积,分析了CCD不同能量质子的辐照损伤差异产生的机理。结合粒子输运计算结果与CCD质子辐照实验结果,分析了质子辐照诱发CCD辐射敏感参数退化的物理机制。

关键词：电荷耦合器件(CCD) 质子 Geant4 电离能量沉积非电离能量沉积

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西安质子应用装置BPM设计及测试结果

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原子能科学技术 2018年第1期52卷 161-167页

作者：王敏文郑曙昕关遐令张化一王学武黄文会王忠明邱孟通清华大学粒子技术与辐射成像教育部重点实验室北京100084 清华大学先进辐射源及应用实验室北京100084 清华大学工程物理系北京100084 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

西安质子应用装置(XiPAF)中能传输段设有6个束流位置探测器(BPM)用于测量束流位置及相位,要求位置和相位测量分辨率分别好于0.1mm和1°,绝对位置测量准确度好于±0.5mm。本文从理论上分析了纽扣型BPM位置测量分辨率与电极长度... 详细信息

西安质子应用装置(XiPAF)中能传输段设有6个束流位置探测器(BPM)用于测量束流位置及相位,要求位置和相位测量分辨率分别好于0.1mm和1°,绝对位置测量准确度好于±0.5mm。本文从理论上分析了纽扣型BPM位置测量分辨率与电极长度及电极张角的关系,并结合CST模拟得到最优值,设计分辨率达24.5μm。离线测试结果表明,BPM样机的电极电容、灵敏度及电极间耦合度均与设计值相符。利用旋转法测量得到BPM样机水平和竖直方向电中心与机械中心的偏差分别为(0.04±0.05)mm和(-1.53±0.05)mm。样机安装在清华大学微型脉冲强子源(CPHS)高能传输段进行测试,测试结果表明,XiPAF BPM位置测量分辨率好于60μm,相位测量分辨率好于0.74°,绝对位置测量准确度为±0.35mm。该设计满足西安质子应用装置的要求。

关键词：束流位置探测器灵敏度电容耦合分辨率

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电流非均匀分布对磁绝缘感应电压叠加器电子鞘层的影响

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中国科学：物理学、力学、天文学 2018年第2期48卷 81-89页

作者：魏浩孙凤举邱爱慈呼义翔西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)感应腔注入电流空间非均匀分布对次级磁绝缘电子鞘层和功率流传输产生影响.本文基于磁绝缘稳态二维层流模型,分析了电流非均匀分布对MIVA次级电子鞘层的影响规律.电流非均匀分布对磁绝缘电子鞘层影响较大,但... 详细信息

磁绝缘感应电压叠加器(MIVA)感应腔注入电流空间非均匀分布对次级磁绝缘电子鞘层和功率流传输产生影响.本文基于磁绝缘稳态二维层流模型,分析了电流非均匀分布对MIVA次级电子鞘层的影响规律.电流非均匀分布对磁绝缘电子鞘层影响较大,但对电荷质心和磁绝缘流阻抗影响较小.对于给定磁绝缘参数(线电压V_0=4.1 MV、最小阳极电流I_(amin)=132 kA),当阴极电流不均匀系数δ_c约35%时,电子鞘层不均匀系数ζ约79.4%,流阻抗减小了5.6%;当δ_c增大至69.5%时,电子鞘层偏心导致阴-阳间隙局部短路.在磁绝缘最小阳极电流I_(amin)相同时,线电压V_0越低,电流非均匀分布的影响程度越显著.当线电压V_0由4.2 MV降低至1.4 MV时,引发间隙局部短路的阴极电流不均匀系数由69.5%降低至35%.

关键词：磁绝缘感应电压叠加器(MIVA) 电流非均匀分布非轴对称磁绝缘电子鞘层

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快放电直线型变压器驱动源磁芯脉冲磁化特性

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强激光与粒子束 2018年第7期30卷 136-140页

作者：王志国孙凤举姜晓峰梁天学尹佳辉魏浩张鹏飞张众西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049

针对25μm 2605TCA非晶涂层、25μm 2605SA1非晶夹膜和50μm DG6硅钢夹膜三种材料和工艺磁芯,对比研究了不同激磁条件下的磁化特性。结果表明:改变磁芯激磁条件,磁通密度变化量(ΔB)几乎不变,DG6硅钢夹膜磁芯和2605TCA非晶涂层磁芯ΔB均... 详细信息

针对25μm 2605TCA非晶涂层、25μm 2605SA1非晶夹膜和50μm DG6硅钢夹膜三种材料和工艺磁芯,对比研究了不同激磁条件下的磁化特性。结果表明:改变磁芯激磁条件,磁通密度变化量(ΔB)几乎不变,DG6硅钢夹膜磁芯和2605TCA非晶涂层磁芯ΔB均为3.1T,2605SA1非晶夹膜磁芯ΔB仅为2.4T;不同激磁条件下,相对磁导率变化较为明显,三种磁芯相对磁导率均随激磁特征参数的增加而迅速减小,当激磁特征参数由67V/(cm^2·ns)增加至129V/(cm^2·ns)时,2605SA1非晶夹膜磁芯最大相对磁导率由1800减小至1200,2605TCA非晶涂层磁芯最大相对磁导率由1100减小至400,相同激磁特征参数下2605TCA非晶涂层磁芯相对磁导率小于2605SA1非晶夹膜磁芯相对磁导率;DG6硅钢夹膜磁芯在快脉冲条件下磁化性能较差,最大相对磁导率仅为130。

关键词：快放电直线型变压器非晶磁芯快脉冲磁化特性激磁电压陡度相对磁导率

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