检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2015年第8期49卷 1460-1466页

作者：李进玺邱孟通程引会吴伟来定国马良赵墨郭景海西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

利用二极管的电压、电流计算了发射电子束能谱参数,建立了四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了辐射X射线场参数;将四路并联二极管的每个二极管划分为若干小单元,将其作为点源,采用数值积分的方法计算了辐射X射线剂量分... 详细信息

利用二极管的电压、电流计算了发射电子束能谱参数,建立了四路并联二极管阳极靶蒙特卡罗粒子输运计算模型,给出了辐射X射线场参数;将四路并联二极管的每个二极管划分为若干小单元,将其作为点源,采用数值积分的方法计算了辐射X射线剂量分布,并分析了空间不同位置处每路二极管对剂量的贡献。结果表明:真空中,距离四路并联二极管阳极靶5cm位置处,X射线注量为3.55mJ/cm2,光子平均能量为62.18keV,120keV以下的光子占辐射X射线谱总能量的81.84%,电子束转换效率为0.30%;在2 700cm2范围内,中轴线和对角线上的剂量均匀性分别为3.20和6.31;在2 000cm2范围内,中轴线和对角线上的剂量均匀性均小于2。

关键词：并联二极管 X射线场蒙特卡罗方法剂量均匀性

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空间核热推进粒子球床堆堆芯设计参数敏感性分析

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原子能科学技术 2015年第B05期49卷 107-112页

作者：姜夺玉江新标王立鹏潘孝兵张信一西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

基于空间核热推进(SNTP)粒子球床堆的物理模型,研究了控制鼓外径与反射层厚度、10 B富集度及厚度、栅径比与高径比、燃料球体积填充率等对粒子球床堆堆芯设计参数敏感性的影响。结果表明:反射层厚度取决于控制鼓外径的选择;10B富集度及... 详细信息

基于空间核热推进(SNTP)粒子球床堆的物理模型,研究了控制鼓外径与反射层厚度、10 B富集度及厚度、栅径比与高径比、燃料球体积填充率等对粒子球床堆堆芯设计参数敏感性的影响。结果表明:反射层厚度取决于控制鼓外径的选择;10B富集度及厚度对堆芯可控性影响较小;对于所选堆芯,存在最优栅径比,增大堆芯高径比可增加堆芯径向中子泄漏率,进而提高控制鼓的控制价值;随着燃料球体积填充率的增大,堆芯keff增大,中子泄漏减少,能谱变硬,燃料球体积填充率的变化对堆芯轴向、径向中子注量率不均匀因子影响较小。本文研究结果对粒子球床堆堆芯设计参数的选择具有指导意义。

关键词：空间核热推进粒子球床堆敏感性分析堆芯安全

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CMOS组合逻辑电路总剂量最劣试验条件研究

CMOS组合逻辑电路总剂量最劣试验条件研究

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：何宝平姚志斌马武英王祖军盛江坤强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710613

本文研究了CMOS 组合逻辑电路总剂量诱导逻辑失效的激发条件,分析了电路底层器件失效机理与电路辐射损伤表征的相互关系,建立了电路节点辐射敏感节点和敏感路径甄别技术,提出了总剂量最劣试验条件(辐射输入偏置和测试输入偏置组合)的产... 详细信息

本文研究了CMOS 组合逻辑电路总剂量诱导逻辑失效的激发条件,分析了电路底层器件失效机理与电路辐射损伤表征的相互关系,建立了电路节点辐射敏感节点和敏感路径甄别技术,提出了总剂量最劣试验条件(辐射输入偏置和测试输入偏置组合)的产生方法。从辐射感生氧化物陷阱电荷和界面态形成的物理机制出发,建立了MOS 器件总剂量辐射损伤模型,并利用HSPICE 软件实现了CMOS 电路的总剂量效应仿真,解决了电路节点电场影响和实时性仿真问题,HSPICE 理论模拟结果验证了总剂量最劣试验条件产生方法的正确性。

关键词：总剂量氧化层陷阱电荷最劣试验条件 HSPICE

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静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究

静态随机存储器与电源芯片小系统中子辐射效应研究

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：杨善潮齐超金晓明刘岩王晨辉王桂珍林东生李瑞宾强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

在西安脉冲反应堆，实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中，电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响，中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降，导致后级SRAM 存储器数据全部... 详细信息

在西安脉冲反应堆，实验研究了静态随机存储器(SRAM)与电源芯片典型电路结构中，电源芯片对SRAM 存储器中子单粒子效应的影响。由于电源芯片位移损伤效应的影响，中子辐照造成电源芯片失效、输出电压陡降，导致后级SRAM 存储器数据全部丢失，是该结构电路最重要的失效模式。

关键词：静态随机存储器中子辐射效应中子单粒子效应位移损伤系统

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轫致辐射产生脉冲X射线的数值模拟

轫致辐射产生脉冲X射线的数值模拟

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：李进玺吴伟郭景海赵墨刘逸飞程引会马良强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安 710024

电子束辐照材料后，发生轫致辐射可以产生脉冲X 射线;轫致辐射产生X射线的能谱、转换效率与电子束能量、靶材料、结构相关。利用二极管的电压电流波形计算了电子束参数，建立了复合靶蒙特卡罗粒子输运计算模型，模拟了电子和光子在不同... 详细信息

电子束辐照材料后，发生轫致辐射可以产生脉冲X 射线;轫致辐射产生X射线的能谱、转换效率与电子束能量、靶材料、结构相关。利用二极管的电压电流波形计算了电子束参数，建立了复合靶蒙特卡罗粒子输运计算模型，模拟了电子和光子在不同材料中的输运规律，研究了钽和聚乙烯组成的复合阳极靶对X 射线辐射场的影响。

关键词：粒子输运轫致辐射辐射场

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轫致辐射中电子束焦斑漂移现象的抑制

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强激光与粒子束 2015年第7期27卷 263-266页

作者：吴撼宇张信军王亮平孙铁平罗维熙李沫吴刚张金海强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

电子束焦斑偏离轴线中心的现象严重影响器件辐射效应实验的效率.介绍了一种简单有效的抑制电子束焦斑偏心的方法,研制了一种小尺寸不锈钢阴极,比较了不锈钢阴极和传统环形天鹅绒阴极在“强光一号”装置上的实验结果.实验结果表明对于小... 详细信息

电子束焦斑偏离轴线中心的现象严重影响器件辐射效应实验的效率.介绍了一种简单有效的抑制电子束焦斑偏心的方法,研制了一种小尺寸不锈钢阴极,比较了不锈钢阴极和传统环形天鹅绒阴极在“强光一号”装置上的实验结果.实验结果表明对于小尺寸不锈钢阴极,最大辐射剂量位于靶面中心的概率为67%,位于？35mm 圆圈内的概率为100%.相比传统环形天鹅绒阴极（最大剂量落于中心位置的概率约20%,有60%以上概率偏离中心2~3cm）的实验统计数据,焦斑的偏心现象得到明显的抑制.

关键词：电子束焦斑漂移自磁箍缩

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几种存储器瞬时剂量率效应比较

几种存储器瞬时剂量率效应比较

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：王桂珍齐超李瑞宾白小燕杨善潮刘岩强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

对三种不同类型存储器(SRAM、EEPROM 和FLASH)开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的瞬时辐射响应。对八种不同容量SRAM、三种EEPROM 及两种FLASH,进行了剂量率效应实验测量,测量了不同剂量率辐照下的电源电流、数据翻... 详细信息

对三种不同类型存储器(SRAM、EEPROM 和FLASH)开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验,测量了存储器的瞬时辐射响应。对八种不同容量SRAM、三种EEPROM 及两种FLASH,进行了剂量率效应实验测量,测量了不同剂量率辐照下的电源电流、数据翻转情况、存储器擦除及编程能力及高剂量率辐照下的数据保持能力。研究认为：在瞬时辐照下,SRAM 的存储数据容易发生变化,即发生剂量率翻转效应;EEPROM 和FLASH 是浮栅电路,辐照时存储单元处于不加电状态,所以浮栅电路(EEPROM 和FLASH)存储单元的剂量率翻转阈值很高,在实验室的剂量率范围内,没有发生存储数据变化。分析了造成效应差异的原因。

关键词： SRAM 浮栅器件 EEPROM FLASH 剂量率闩锁阈值剂量率翻转阈值

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气体开关间隙中电子崩发展特性的实验研究

气体开关间隙中电子崩发展特性的实验研究

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2016年全国“高电压与放电等离子体”学术会议

作者：翟戎骁罗维熙邱孟通丛培天黄涛西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安 710024

自放电是快脉冲直线变压器(FLTD)直流气体开关中存在的一种异常工作现象,相关研究表明,开关的工作系数对自放电概率具有强正相关性.本文利用紫外脉冲激光在阴极表面产生初始电子,在特定的间隙距离(5mm,7mm)和气压(0.1～0.4Mpa)条件下,... 详细信息

自放电是快脉冲直线变压器(FLTD)直流气体开关中存在的一种异常工作现象,相关研究表明,开关的工作系数对自放电概率具有强正相关性.本文利用紫外脉冲激光在阴极表面产生初始电子,在特定的间隙距离(5mm,7mm)和气压(0.1～0.4Mpa)条件下,通过测量电子崩电流,研究了电子崩在不同工作系数下(50％～90％)的发展特性.实验结果表明,间隙中的初始电子将首先经历汤逊过程,通过数代电子崩的积累后转换为流注击穿,且随着工作系数的提高,转化为流注所经历的电子崩发展代数和时间随之减小.实验还得出了不同间隙距离、气压、激光能量(初始电子数目)条件下初始电子有效电离的起始工作系数,并给出了气体开关工作系数选取的建议.

关键词：气体开关自放电电子崩工作系数

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一种强流脉冲电子束入射角等效计算方法

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强激光与粒子束 2015年第1期27卷 137-140页

作者：孙剑锋胡杨孙江杨海亮张鹏飞金亮强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对电子束能量沉积剖面的变化规律进行了解释,给出了由能量损失函数和能量沉积效率函数之积表示的定性的能量沉积函数表达式。在此基础上,给出了一种关于能量沉积剖面的电子束等效入射角计算方法,分析了方法所带来的影响和适用的范围,采... 详细信息

对电子束能量沉积剖面的变化规律进行了解释,给出了由能量损失函数和能量沉积效率函数之积表示的定性的能量沉积函数表达式。在此基础上,给出了一种关于能量沉积剖面的电子束等效入射角计算方法,分析了方法所带来的影响和适用的范围,采用蒙特卡罗方法对等效结果进行了验证。证明该方法优于入射角的算术平均,尤其在靶材浅层与混合束符合较好。

关键词：能量沉积剖面强流脉冲电子束入射角

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双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别

双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别

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2016年第二届全国辐射物理学术交流会会议

作者：王晨辉陈伟金晓明刘岩齐超杨善潮强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所西安710024

通过对纵向NPN 晶体管、衬底PNP 晶体管和横向PNP 晶体管的结构特点和工作原理进行分析，并选取不同类型输入晶体管的双极工艺集成电路开展中子、γ协和效应对比实验，完成了双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别。结果表明，横向... 详细信息

通过对纵向NPN 晶体管、衬底PNP 晶体管和横向PNP 晶体管的结构特点和工作原理进行分析，并选取不同类型输入晶体管的双极工艺集成电路开展中子、γ协和效应对比实验，完成了双极工艺器件中子、γ协和效应敏感单元甄别。结果表明，横向PNP 晶体管是导致双极工艺集成电路出现退化增强的中子、γ协和效应的敏感单元;衬底PNP 晶体管是导致电路出现退化减弱的协和效应的敏感单元;具有纵向NPN 输入晶体管的电路不存在明显的协和效应。研究成果为后续开展双极工艺器件中子、γ协和效应机理研究奠定了基础。

关键词：双极工艺器件中子位移效应总剂量效应中子、γ协和效应敏感单元甄别

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