检索结果-内蒙古大学图书馆

中国核学会2019年学术年会

作者：苏兆锋杨海亮孙江任书庆西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

采用基于红外测温技术的石墨量热计测量了"闪光二号"加速器产生的强流电子束能注量。为了提高测量结果的准确性,依据《测量不确定度评定与表示》（JJF 1059.1—2012）的评定流程,给出了强流电子束能注量测量与标定的不确定度... 详细信息

采用基于红外测温技术的石墨量热计测量了"闪光二号"加速器产生的强流电子束能注量。为了提高测量结果的准确性,依据《测量不确定度评定与表示》（JJF 1059.1—2012）的评定流程,给出了强流电子束能注量测量与标定的不确定度模型,分析了数学模型中各个量的不确定度来源以及评定方法。依照不确定度传播率,开展了不确定度合成的分析和评估,推导出了电子束能注量合成标准不确定度的表达式。以实验数据为基础,计算得到电子束能注量为100.1±8.1 J/cm,合成不确定度为8.1%。其中,信号转换和传输是引入不确定度的主要因素。

关键词：电子束能注量全吸收量热计闪光二号加速器相对标准不确定度

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

四种中子源条件下SRAM中子单粒子翻转效应

引用

中国核学会2019年学术年会

作者：金晓明陈伟李俊霖齐超刘岩郭晓强王晨辉强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究。实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系,研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、... 详细信息

利用14 MeV、2.5 MeV两种单能中子、反应堆中子、散裂中子分别开展了工艺节点40～500 nm的商用SRAM器件的中子辐射效应实验研究。实验中测量了单粒子翻转数随累积中子注量的变化关系,研究了SRAM器件中子单粒子翻转截面与入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压、初始数据配置、辐照中子注量率等因素的关系。SRAM器件中子单粒子翻转截面受到入射中子能谱、器件工艺节点、工作电压的影响较大,与初始数据配置、辐照中子注量率无关。

关键词：中子单粒子翻转 SRAM 截面

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

不同剂量率伽马射线辐照PPD CMOS图像传感器的瞬态效应实验研究

不同剂量率伽马射线辐照PPD CMOS图像传感器的瞬态效应实验研究

引用

中国核学会2021年学术年会

作者：王祖军薛院院贾同轩杨勰何宝平马武英姚志斌盛江坤缑石龙强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室(西北核技术研究所) 湘潭大学材料科学与工程学院西安高科技研究所

开展了0.18μm工艺制造的钳位二极管（PPD）CMOS图像传感器（CIS）Co伽马射线瞬态效应辐照实验研究。分析了PPD CIS Co伽马射线瞬态效应的典型特征和物理机制,研究了PPD CIS在辐照剂量率分别为0.01、0.02、0.05、0.1、0.2、0.3rad（Si... 详细信息

开展了0.18μm工艺制造的钳位二极管（PPD）CMOS图像传感器（CIS）Co伽马射线瞬态效应辐照实验研究。分析了PPD CIS Co伽马射线瞬态效应的典型特征和物理机制,研究了PPD CIS在辐照剂量率分别为0.01、0.02、0.05、0.1、0.2、0.3rad（Si）/s及不同积分时间下（1.02到20.51ms）下的瞬态效应辐照实验规律。实验结果表明:在相同的积分时间下,PPD CIS的暗场平均输出信号随辐照剂量率增大而近似线性增大;在相同的辐照剂量率下,PPD CIS的暗场平均输出信号随积分时间增大而近似线性增大;当辐照剂量率和积分时间乘积相同时,PPD CIS辐照时的暗场输出信号分布接近。

关键词： CMOS图像传感器伽马辐照瞬态效应剂量率

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

船舶半悬挂舵数字化设计及其软件开发

引用

机械 2022年第3期49卷 7-13,24页

作者：聂森胡启航缪俊陆建辉青岛城市学院机电工程学院山东青岛266106 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 江苏华帝海洋工程设备制造有限公司江苏泰州214522 中国海洋大学工程学院山东青岛266100

针对目前舵系计算和绘图数据形成信息孤岛等问题,通过对半悬挂舵设计过程的分析,建立舵系参数化设计数学模型,基于Visual Basic 6.0平台开发舵系数字化设计软件。搭建4个舵系设计功能模块,构建模块与软件数据库间的链接,实现平台内数据... 详细信息

针对目前舵系计算和绘图数据形成信息孤岛等问题,通过对半悬挂舵设计过程的分析,建立舵系参数化设计数学模型,基于Visual Basic 6.0平台开发舵系数字化设计软件。搭建4个舵系设计功能模块,构建模块与软件数据库间的链接,实现平台内数据共享。软件界面友好,数字与图形互动,通过对输入数据的实时质量控制确保设计无差错。建立舵系零件特征参数,基于SolidWorks与AutoCAD软件平台,实现零件参数驱动与修改,有限元分析与精度控制等。以15000DWT自卸运煤船半悬挂舵为设计究对象,输出了一套完整的半悬挂舵设计资料,验证软件设计的可靠性、准确性和高效率。

关键词：舵系数字化设计半悬挂舵软件开发

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

强流平板二极管阻抗特性分析

引用

太赫兹科学与电子信息学报 2019年第2期17卷 338-342页

作者：胡杨杨海亮张鹏飞孙江孙剑锋西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

在"剑光一号"上搭建了二极管平台,理论估计了二极管阻值,进行了平板二极管阻抗和束流分布测量实验。结合法拉第筒阵列测得的束流密度分布、粒子模拟(PIC)仿真结果对二极管阻抗特性进行了全面的对比分析。结果表明,二极管工作... 详细信息

在"剑光一号"上搭建了二极管平台,理论估计了二极管阻值,进行了平板二极管阻抗和束流分布测量实验。结合法拉第筒阵列测得的束流密度分布、粒子模拟(PIC)仿真结果对二极管阻抗特性进行了全面的对比分析。结果表明,二极管工作于弱箍缩状态,阻抗阻值略低于估计值,阻抗曲线、法拉第筒波形以及束流箍缩程度三者间存在高度的相关性。当阻抗曲线处在前端(导通前)和末期(崩溃段)时,束流均处在未箍缩期间,法拉第筒信号无有效数据;阻抗曲线处在平区时,二极管工作平稳,束流箍缩情况和法拉第筒信号稳定,阳极边缘处的法拉第筒波形呈现双峰,与束流箍缩运动情况相符。

关键词：阻抗束流箍缩强流平板二极管法拉第筒

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

65 nm互补金属氧化物半导体场效应和晶体管总剂量效应及损伤机制

引用

物理学报 2018年第14期67卷 223-229页

作者：马武英姚志斌何宝平王祖军刘敏波刘静盛江坤董观涛薛院院强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 西北核技术研究所西安710024

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现... 详细信息

对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET和PMOSFET)开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明:PMOSFET的电离辐射响应与器件结构和偏置条件均有很强的依赖性,而NMOSFET表现出较强的抗总剂量性能;在累积相同总剂量时,PMOSFET的辐照损伤远大于NMOSFET.结合理论分析和数值模拟给出了PMOSFET的辐射敏感位置及辐射损伤的物理机制.

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管 ^60Coγ辐照辐射损伤数值仿真

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范体系

引用

现代应用物理 2020年第2期11卷 61-70页

作者：陈伟唐民郭晓强于庆奎罗尹虹梅博姚志斌丁李利李瑞宾王桂珍杨善潮王祖军马武英西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 中国空间技术研究院宇航物资保障事业部北京100029

宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准... 详细信息

宇航器件抗辐射性能主要依靠地面辐射模拟装置开展试验和评估,试验与评估标准规范是科学评价宇航器件抗辐射性能的重要依据。本文针对宇航器件空间辐射效应地面模拟试验的需求,分析了国内外宇航器件空间辐射效应地面模拟试验与评估标准规范的发展现状,研究了器件发展给辐射效应试验方法带来的挑战,提出了满足空间抗辐射性能要求的宇航器件地面模拟试验与评估标准规范体系建设建议,对规范宇航器件抗辐射性能地面模拟试验方法具有参考价值。

关键词：宇航器件空间辐射效应试验与评估标准规范

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

基于SiC探测器的裂变靶探测系统中子灵敏度标定

引用

原子能科学技术 2018年第10期52卷 1847-1854页

作者：张显鹏张建福易义成刘金良刘林月西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

在高压倍加器上,采用直流法和脉冲法分别标定了235 U和238 U靶构成的探测系统对14.9 MeV中子的灵敏度。对脉冲法的原理、方法及结果进行了介绍,并与直流法的测量结果进行了对比。结果表明:脉冲法和直流法的结果在不确定度范围内一致。... 详细信息

在高压倍加器上,采用直流法和脉冲法分别标定了235 U和238 U靶构成的探测系统对14.9 MeV中子的灵敏度。对脉冲法的原理、方法及结果进行了介绍,并与直流法的测量结果进行了对比。结果表明:脉冲法和直流法的结果在不确定度范围内一致。脉冲法可在一次测量中直接扣除本底,而直流法的本底测量不准确,因此脉冲法是一种更准确的方法。本文方法可为脉冲中子源裂变探测器的相关研究提供参考。

关键词：裂变靶探测系统高压倍加器 SiC探测器中子灵敏度脉冲中子

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究

引用

原子能科学技术 2018年第6期52卷 1144-1152页

作者：姚志斌陈伟何宝平马武英盛江坤刘敏波王祖军金军山张帅西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 详细信息

本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。

关键词：低剂量率辐照损伤增强效应数值仿真总剂量效应高温辐照加速试验

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

西安脉冲堆燃耗对中子代时间的影响研究

引用

核科学与工程 2019年第3期39卷 357-362页

作者：张信一张良江新标何彬王立鹏郭和伟姜夺玉朱养妮火箭军工程大学核工程学院陕西西安710025 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文研究了计算反应堆中子代时间(Λ)的瞬发中子通量密度衰减法,基于反应堆仅释放瞬发中子的假设条件,研究了瞬发中子动力学方程,将Λ的计算转变为α本征值的计算问题,采用MCNP程序模拟瞬发中子通量密度的衰减特性以拟合出α值。该方法... 详细信息

本文研究了计算反应堆中子代时间(Λ)的瞬发中子通量密度衰减法,基于反应堆仅释放瞬发中子的假设条件,研究了瞬发中子动力学方程,将Λ的计算转变为α本征值的计算问题,采用MCNP程序模拟瞬发中子通量密度的衰减特性以拟合出α值。该方法避免了抽样计算中子价值函数的复杂问题,实现相对容易。并根据西安脉冲堆(XAPR)堆芯三维燃耗分布拟合出不同燃耗深度下瞬发中子通量密度衰减系数α,计算出堆芯中子代时间。结果表明:随着XAPR堆芯燃耗的加深,中子代时间呈增大趋势,从新堆芯到第一循环末(120EFPD),Λ增大幅度为8.93%。

关键词：西安脉冲堆中子代时间燃耗瞬发中子 MCNP

来源：评论

学校读者我要写书评

暂无评论

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：