检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2017年第12期51卷 2136-2142页

作者：田晓艳江新标陈立新李华琪杨宁朱磊马腾跃胡攀西北核技术研究所陕西西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

为研究热管冷却双模式空间堆(HP-BSNR)概念设计的可行性和推进模式下堆芯瞬态安全特性,本文基于堆芯结构和稳态程序计算的初始参数分布,建立了堆芯数学物理模型,并开发了适用于HP-BSNR的瞬态安全分析程序TTHA_HPBSNR,计算了HP-BSNR在推... 详细信息

为研究热管冷却双模式空间堆(HP-BSNR)概念设计的可行性和推进模式下堆芯瞬态安全特性,本文基于堆芯结构和稳态程序计算的初始参数分布,建立了堆芯数学物理模型,并开发了适用于HP-BSNR的瞬态安全分析程序TTHA_HPBSNR,计算了HP-BSNR在推进模式下反应性引入和堆芯失流等不同瞬态事故工况下的安全特性,同时分析了反应堆关键参数对HP-BSNR堆芯瞬态安全特性的影响。结果表明,由于堆芯固有负反馈机制的作用,发生反应性引入事故时,堆芯功率最终达到一新的稳定值,且燃料最高温度并未超出安全限值。而发生失流事故时,反应堆能实现自动停堆,且负反馈系数的大小决定了自动停堆的响应时间。相较于反应性引入事故,失流事故对HP-BSNR的安全运行威胁更大。

关键词： HP-BSNR 推进模式热工水力瞬态安全特性

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双极晶体管的系统电磁脉冲与剂量率综合效应

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强激光与粒子束 2017年第2期29卷 96-101页

作者：赵墨吴伟程引会郭景海李进玺马良刘逸飞西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

建立典型半导体器件系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型n^+-p-n-n^+结构的双极晶体管负载的系统电磁脉冲与剂量率综合效应进行研究,得到了综合效应现象,分析了综合效应机理,总结了综合效应规律。在... 详细信息

建立典型半导体器件系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算模型,对在瞬态X射线辐照下电缆末端典型n^+-p-n-n^+结构的双极晶体管负载的系统电磁脉冲与剂量率综合效应进行研究,得到了综合效应现象,分析了综合效应机理,总结了综合效应规律。在系统电磁脉冲与剂量率综合效应作用下,双极晶体管内部,由于载流子数量剧增,其反向击穿阈值降低,综合效应比单一效应更易造成双极晶体管的毁伤。编制的系统电磁脉冲与剂量率综合效应计算程序可用于分析电子学系统中其他类型半导体器件的效应机理与规律。

关键词：系统电磁脉冲剂量率瞬态响应数值模拟

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闪烁体衰减常数对辐射源边界测量影响数值模拟

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强激光与粒子束 2017年第6期29卷 135-140页

作者：严维鹏李斌康宋顾周马继明段宝军韩长材宋岩姚志明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

在辐射成像系统测量辐射源边界中,有闪烁体时间弥散效应得到的边界值与没有闪烁体时的真实边界值存在差别,影响辐射源尺寸变化计算。研究构建了一类辐射源强时间宽度、半径扩散速率与边界相对强度不同的辐射源,应用卷积和图像强度梯度法... 详细信息

在辐射成像系统测量辐射源边界中,有闪烁体时间弥散效应得到的边界值与没有闪烁体时的真实边界值存在差别,影响辐射源尺寸变化计算。研究构建了一类辐射源强时间宽度、半径扩散速率与边界相对强度不同的辐射源,应用卷积和图像强度梯度法,对选用BC408,LaBr3和LSO闪烁体得到的边界与真实边界的偏差进行了数值模拟计算。结果表明,拍摄时间为20ns时,由BC408闪烁体得到的边界值偏差最小;若偏差小于1mm认为闪烁体适合测量,BC408,LaBr3和LSO测量的强度时间宽度最小值分别为33ns,133ns和266ns;拍摄全积分图像时偏差大小不受闪烁体不同的影响;最终得出的偏差计算公式较好地反映了真实偏差的变化趋势。

关键词：闪烁体时间弥散边界强度梯度时间宽度

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典型无人机飞行控制系统HEMP效应研究

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现代应用物理 2018年第1期9卷 71-74,81页

作者：赵墨吴伟李进玺程引会马良郭景海刘逸飞西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

利用飞行仿真系统、数据采集系统和视景仿真系统开展了地面模拟飞行状态下无人机电子学系统抗高空电磁脉冲效应研究,获取了典型效应现象,分析了薄弱环节,为后续开展其他类型电子学系统的高空电磁脉冲效应研究奠定了技术基础。

关键词：高空核爆电磁脉冲电子系统半实物仿真

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模块化粒子输运程序包PHEN的开发与应用

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现代应用物理 2018年第3期9卷 27-31页

作者：朱金辉陶应龙卓俊谢红刚左应红商鹏韦源牛胜利西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为满足通用蒙特卡罗程序难以处理的特定问题的粒子输运模拟需求,开发了模块化粒子输运蒙特卡罗模拟程序包PHEN。该程序包能够模拟中子、光子、电子及质子与物质相互作用的主要物理过程,具备树结构建模功能、低能带电粒子和反冲质子模拟... 详细信息

为满足通用蒙特卡罗程序难以处理的特定问题的粒子输运模拟需求,开发了模块化粒子输运蒙特卡罗模拟程序包PHEN。该程序包能够模拟中子、光子、电子及质子与物质相互作用的主要物理过程,具备树结构建模功能、低能带电粒子和反冲质子模拟功能及可定制的数据统计功能。利用PHEN程序包,计算了中子与特定核素作用生成次级光子的产额和平均能量,实现了基于指向概率法的点通量角度谱计算,并建立了中子输运时间特性模拟计算方法。PHEN程序包的基本功能模块可用于粒子输运模拟技术应用研究。

关键词：粒子输运 PHEN程序包模块化蒙特卡罗方法

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多针水开关放电通道电流均匀性对开关电感的影响

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现代应用物理 2018年第2期9卷 36-40页

作者：杨实黄种亮任书庆西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

通过理论计算和数值模拟方法研究了"闪光二号"加速器多针水开关放电通道电流均匀性对开关电感的影响,得到了各个放电通道电流分布不均匀对开关电感的影响规律。理论计算和数值模拟结果均表明,随着多针水开关放电通道电流不均... 详细信息

通过理论计算和数值模拟方法研究了"闪光二号"加速器多针水开关放电通道电流均匀性对开关电感的影响,得到了各个放电通道电流分布不均匀对开关电感的影响规律。理论计算和数值模拟结果均表明,随着多针水开关放电通道电流不均匀性的增加,开关电感显著提高。采用保角变换和构造拉格朗日函数的方法证明了当多针水开关所有放电通道电流一致时开关电感最小,得到了"闪光二号"加速器多针水开关电感最小值为27nH,最大值为153nH。

关键词： “闪光二号”加速器多针水开关电流不均匀性电感

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电源噪声对静态随机存储器瞬时辐射响应的影响

电源噪声对静态随机存储器瞬时辐射响应的影响

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中国核学会2017年学术年会

作者：王桂珍李瑞宾齐超杨善潮刘岩王晨辉金晓明强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所

对电源模块和静态随机存储器组成的电子系统开展了脉冲X射线辐射响应的实验研究,分析了电源模块辐射响应对SRAM电路抗辐射性能的影响。研究发现,瞬时辐照时电源模块的输出扰动会严重影响SRAM的抗辐射性能,导致SRAM剂量率损伤翻转降低。

关键词：电源模块 SRAM 瞬时辐射效应剂量率翻转

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溴化镧(LaBr_3:Ce) γ谱仪前端读出电子学电路

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现代应用物理 2018年第3期9卷 79-83页

作者：陈彦丽谭新建卢毅宋朝晖易义成渠红光西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

设计了一种结构简单、噪声低、功耗小的溴化镧(LaBr_3:Ce)γ谱仪前端读出电子学电路。该电路包括电压灵敏前置放大电路、谱仪放大电路和供电电源3部分,电路的设计基于传统核电子学方法和较新的电子元器件,采用低噪声设计技术,在能谱测... 详细信息

设计了一种结构简单、噪声低、功耗小的溴化镧(LaBr_3:Ce)γ谱仪前端读出电子学电路。该电路包括电压灵敏前置放大电路、谱仪放大电路和供电电源3部分,电路的设计基于传统核电子学方法和较新的电子元器件,采用低噪声设计技术,在能谱测量中获得了较高的能量分辨率。文中首先介绍了电路的设计方案,包括各部分电路原理、功能和设计要点;然后开展了电路仿真和电路板设计;最后通过实验进行电路功能验证。实验表明:基于研制的前端读出电子学电路、溴化镧(LaBr_3:Ce)探测器及数字多道分析器组成的γ谱仪系统,对^(137)Cs 662 keV γ能峰的能量分辨率可达2.7%,谱仪系统性能稳定。

关键词：溴化镧 (LaBr 3:Ce) γ谱仪前置放大电路谱仪放大电路

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“闪光二号”5 T脉冲强磁场装置

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强激光与粒子束 2017年第6期29卷 41-44页

作者：杨实任书庆杨海亮丛培天来定国张玉英西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

为了满足"闪光二号"加速器材料热力学效应研究的新需求,设计了一套电容器储能型脉冲强磁场装置。装置主要由储能电容器、半导体放电开关、磁场线圈及高压恒流充电源组成。磁场线圈中心处最大磁感应强度可达5T,并且可以通过调... 详细信息

为了满足"闪光二号"加速器材料热力学效应研究的新需求,设计了一套电容器储能型脉冲强磁场装置。装置主要由储能电容器、半导体放电开关、磁场线圈及高压恒流充电源组成。磁场线圈中心处最大磁感应强度可达5T,并且可以通过调整磁场线圈与二极管的相对位置实现磁透镜比的调节。通过理论计算和数值模拟相结合的方法对脉冲强磁场的关键参数进行了分析,然后进行了脉冲强磁场的工程设计,最后使用该强磁场装置进行了实验研究。强磁场实验中,当储能电容器充电21kV时,在磁场线圈中心处获得了5.3T脉冲强磁场。

关键词：脉冲强磁场 “闪光二号”加速器热力学效应磁感应强度

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电离总剂量效应诱发PPD CMOS图像传感器性能退化的实验研究

电离总剂量效应诱发PPD CMOS图像传感器性能退化的实验研究

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中国核学会2017年学术年会

作者：王祖军薛院院马武英何宝平姚志斌盛江坤董观涛西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室

通过开展0.18/μm工艺制造的PPDCMOS图像传感器Coγ射线电离总剂量辐照效应实验,得出了PPD CMOS图像传感器的时域、空域和光谱类参数随总剂量增大的退化规律,分析了总剂量效应诱发PPDCMOS图像传感器暗电流、随机噪声、暗信号不均匀性（D... 详细信息

通过开展0.18/μm工艺制造的PPDCMOS图像传感器Coγ射线电离总剂量辐照效应实验,得出了PPD CMOS图像传感器的时域、空域和光谱类参数随总剂量增大的退化规律,分析了总剂量效应诱发PPDCMOS图像传感器暗电流、随机噪声、暗信号不均匀性（DSNU）、光响应不均匀性（PRNU）、系统总增益、饱和输出、信噪比（SNR）、动态范围（DR）、量子效率（QE）、光响应度（R）等辐射敏感参数退化的实验规律,揭示了总剂量诱发PPDCMOS图像传感器性能退化的损伤机理,为开展CMOS图像传感器抗电离辐射加固和损伤评估技术研究提供了理论和实验技术支持。

关键词： CMOS图像传感器总剂量辐照损伤暗信号量子效率

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