检索结果-内蒙古大学图书馆

原子能科学技术 2014年第S1期48卷 727-731页

作者：王桂珍齐超林东生白小燕杨善潮李瑞宾刘岩金晓明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再... 详细信息

对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。

关键词：浮栅器件 EEPROM 剂量率闩锁闩锁阈值

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0.18μm CMOS电路瞬时剂量率效应实验研究

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原子能科学技术 2014年第11期48卷 2165-2169页

作者：王桂珍林东生齐超白小燕杨善潮李瑞宾马强金晓明刘岩西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量... 详细信息

利用脉冲激光源及脉冲X射线源,开展了超深亚微米CMOS反相器及CMOS静态随机存储器的瞬时剂量率效应实验,测量了CMOS电路瞬时剂量率效应,并与微米级电路的瞬时剂量率效应进行了比较。结果表明,对于CMOS电路,特征尺寸的缩小对其抗瞬时剂量率性能的影响与电路的规模有关。0.18μm CMOS反相器的抗瞬时剂量率性能远优于微米级反相器,而0.18μm CMOS静态随机存储器的抗瞬时剂量率性能远低于微米级及亚微米级存储器。

关键词： CM OS电路脉冲激光剂量率翻转翻转阈值特征尺寸

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Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响

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原子能科学技术 2014年第S1期48卷 708-711页

作者：刘敏波姚志斌黄绍艳何宝平盛江坤西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器... 详细信息

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律。针对0.25μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系。结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大。

关键词： SRAM器件工艺尺寸高温老炼电离总剂量效应

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纳秒级时间分辨光谱诊断系统及其辐射防护

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光谱学与光谱分析 2014年第6期34卷 1446-1449页

作者：姚伟博郭建明张永民汤俊萍程亮徐启福强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024 西北核技术研究所陕西西安710024

强流电子束二极管是强脉冲辐射环境模拟装置和高功率微波技术中的重要研究方向,通过时间分辨光谱诊断研究阴极等离子体的特性是分析强流脉冲电子束二极管工作性能的可靠方法之一。介绍了具有纳秒级时间分辨能力的光谱诊断系统及其工作... 详细信息

强流电子束二极管是强脉冲辐射环境模拟装置和高功率微波技术中的重要研究方向,通过时间分辨光谱诊断研究阴极等离子体的特性是分析强流脉冲电子束二极管工作性能的可靠方法之一。介绍了具有纳秒级时间分辨能力的光谱诊断系统及其工作原理、系统组成和性能参数,并阐述了低抖动同步触发系统的实现方法和时序关系。同时,针对强脉冲辐射模拟装置产生的强脉冲电磁辐射和强X、γ射线辐射对光谱诊断系统造成严重干扰的情况,设计了电磁屏蔽室和铅屏蔽室对诊断系统进行保护。对黄铜阴极的等离子体进行时间分辨光谱测量,实验结果表明,随着二极管脉冲电压和电流的上升,参与形成阴极等离子体的元素和物质成分明显增多。该光谱诊断系统的时间分辨能力为10ns,最小可达2ns,同步触发系统的抖动小于4.0ns,为深入研究二极管的阴极发射机理开辟了新的技术途径。

关键词：时间分辨光谱阴极等离子体辐射防护

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符合HEMP早期波形标准的“春雷号”有界波模拟器

符合HEMP早期波形标准的“春雷号”有界波模拟器

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中国核学会2015年学术年会

作者：谢霖燊张国伟贾伟陈维青郭帆王伟西北核技术研究所陕西西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

IFC6100029作为一项国际性的民用标准,正被广泛引用,其定义的HFMP早期波形,上升时间为***,半宽为(23±5)ns.为满足该标准,“春雷号”有界波模拟器进行了改造.脉冲源采用额定输出电压幅值达300kV、气体绝缘的Marx发生器;峰化开关和... 详细信息

IFC6100029作为一项国际性的民用标准,正被广泛引用,其定义的HFMP早期波形,上升时间为***,半宽为(23±5)ns.为满足该标准,“春雷号”有界波模拟器进行了改造.脉冲源采用额定输出电压幅值达300kV、气体绝缘的Marx发生器;峰化开关和峰化电容采用一体化设计,放置在SF6气体绝缘腔中;传输线采用锥形结构,前锥角为15°,后锥角45°,传输线最大高度5m,最大宽度6m,传输线末端采用多个膜电阻串并联作为负载.最终实测波形满足标准规定的指标范围,可供较大尺寸设备或子系统的EMP效应、加固性能评估试验研究.

关键词：有界波模拟器电磁脉冲结构设计技术改造

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用于强流电子束入射角测量的法拉第筒阵列研制

用于强流电子束入射角测量的法拉第筒阵列研制

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中国核学会2015年学术年会

作者：胡杨杨海亮孙剑锋孙江张鹏飞西北核技术研究所陕西西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

电子束与靶物质相互作用时的入射角是决定能量沉积剖面的关键参数之一.本文提出了一种基于覆盖不同厚度衰减片的微型法拉第筒阵列测量电子束入射角的方法,可测量靶面不同位置处的电子束入射角分布.通过理论分析、仿真优化和测量回路标定... 详细信息

电子束与靶物质相互作用时的入射角是决定能量沉积剖面的关键参数之一.本文提出了一种基于覆盖不同厚度衰减片的微型法拉第筒阵列测量电子束入射角的方法,可测量靶面不同位置处的电子束入射角分布.通过理论分析、仿真优化和测量回路标定,研制了一种适用于该方法的微型法拉第筒阵列,其直径22mm,由5个微型法拉第筒组成,最大可测束流密度38A/mm2.利用研制的微型法拉第筒阵列进行了初步的入射角分布测量实验,编制了入射角分布计算程序.计算得到的入射角分布结果符合理论预期,与仿真结果较为一致.

关键词：强流电子束入射角分布法拉第筒阵列测量精度

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电离辐照诱发面阵电荷耦合器暗信号增大试验

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中国空间科学技术 2014年第4期34卷 72-78页

作者：王祖军罗通顶杨少华刘敏波盛江坤西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

针对电荷耦合器件(CCD)在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响,对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先,通过开展面阵CCD60Coγ射线电离辐照效应试验,在暗场条件下测试了面阵CCD辐照后输出信号随积分时间的变化,并... 详细信息

针对电荷耦合器件(CCD)在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响,对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先,通过开展面阵CCD60Coγ射线电离辐照效应试验,在暗场条件下测试了面阵CCD辐照后输出信号随积分时间的变化,并拟合计算出暗信号斜率。然后,对比分析了不同偏置条件下辐照后暗信号退化的试验规律;分析了不同偏置条件下辐照后暗信号的退火恢复情况;分析了不同积分时间、不同总剂量下的暗信号不均匀性的变化规律。最后,阐述了电离辐照损伤诱发面阵CCD暗信号增大的物理机制。结果表明:面阵CCD对电离辐照损伤很敏感,在进行航天器成像系统设计时,要充分考虑CCD受电离辐照损伤带来的影响。

关键词：面阵电荷耦合器件电离辐照暗信号退火空间轨道环境

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基于BP神经网络从活化数据中求解1MeV等效中子注量

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现代应用物理 2015年第4期6卷 248-253页

作者：李达陈达江新标张文首朱广宁于青玉苏春磊西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 南京航空航天大学核科学与工程系南京210016

给出了一种利用BP神经网络从中子活化测量数据中直接求解1 MeV等效中子注量的新方法。该方法选用了含两层隐藏层的BP神经网络,并围绕先验谱建立输入输出集合,对网络进行训练、检验和测试,最终形成含20个BP神经网络的网络群。该BP神经网... 详细信息

给出了一种利用BP神经网络从中子活化测量数据中直接求解1 MeV等效中子注量的新方法。该方法选用了含两层隐藏层的BP神经网络,并围绕先验谱建立输入输出集合,对网络进行训练、检验和测试,最终形成含20个BP神经网络的网络群。该BP神经网络群可实现在输入测量活化率数据后,直接输出相应的1 MeV等效中子注量。利用该方法求解了西安脉冲堆大空间中子辐照实验平台内的1 MeV等效中子注量。与实测中子能谱计算的1MeV等效中子注量结果对比,二者偏差小于6.6%。

关键词： BP神经网络西安脉冲堆中子能谱 1 MeV等效中子注量

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CMOS有源像素图像传感器的辐照损伤效应

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半导体光电 2014年第6期35卷 945-950,982页

作者：王祖军林东生刘敏波黄绍艳肖志刚西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素(APS)图像传感器作为光电成像系统的核心器件,被广泛应用在空间辐射或核辐射环境中,辐照损伤是导致其性能退化,甚至功能失效的主要原因之一。阐述了不同辐射粒子或射线辐照损伤诱发CMOS APS图像传感... 详细信息

互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素(APS)图像传感器作为光电成像系统的核心器件,被广泛应用在空间辐射或核辐射环境中,辐照损伤是导致其性能退化,甚至功能失效的主要原因之一。阐述了不同辐射粒子或射线辐照损伤诱发CMOS APS图像传感器产生位移效应、总剂量效应和单粒子效应的损伤物理机制。综述和分析了辐照损伤诱发CMOS APS图像传感器暗信号增大、量子效率减小、饱和输出电压减小、噪声增大以及暗信号尖峰和随机电码信号(RTS)产生的实验规律和损伤机理。归纳并提出了CMOS APS图像传感器辐照损伤效应研究亟待解决的问题。

关键词： CMOS APS 位移效应总剂量效应单粒子效应

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IHNI-I堆中子束流孔道束流品质参数研究

IHNI-I堆中子束流孔道束流品质参数研究

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中国核学会2015年学术年会

作者：朱养妮江新标陈立新李华琪郭和伟周永茂西北核技术研究所西安710024 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024 中国中原对外工程公司北京100083

本文简要介绍了IHNI-I堆及其热中子束流孔道和超热中子束流孔道,给出了两条孔道出口处的主要束流参数.采用MCNP程序建立了人体软组织等效模型内中子、γ的通量和剂量计算模型,分析了IHNI-I堆中子束流源在人体软组织模型内所产生的剂量成... 详细信息

本文简要介绍了IHNI-I堆及其热中子束流孔道和超热中子束流孔道,给出了两条孔道出口处的主要束流参数.采用MCNP程序建立了人体软组织等效模型内中子、γ的通量和剂量计算模型,分析了IHNI-I堆中子束流源在人体软组织模型内所产生的剂量成分,模拟计算了两条中子束流的优化深度、优化深度剂量率、优化比等品质参数.计算结果表明,热中子束流的优化深度为3.3cm,超热中子束流的优化深度5.8cm,适用于进行不同深度肿瘤的中子俘获治疗.但两条束流的RBE剂量率均较小,为缩短肿瘤辐照时间,需要提高反应堆功率及孔道出口中子通量密度水平,进一步提高优化深度剂量率.

关键词：中子俘获疗法 IHNI-I反应堆中子束流孔道束流参数肿瘤细胞深度剂量率

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