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T=题名（书名、题名），A=作者（责任者），K=主题词，P=出版物名称，PU=出版社名称，O=机构（作者单位、学位授予单位、专利申请人），L=中图分类号，C=学科分类号，U=全部字段，Y=年（出版发行年、学位年度、标准发布年）

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AND代表“并且”；OR代表“或者”；NOT代表“不包含”；(注意必须大写,运算符两边需空一格)

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范例一：(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
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文献类型

518 篇 期刊文献
114 篇 会议

馆藏范围

632 篇 电子文献
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日期分布

学科分类号

583 篇 工学
- 230 篇 核科学与技术
- 185 篇 电子科学与技术（可...
- 114 篇 电气工程
- 69 篇 材料科学与工程（可...
- 40 篇 光学工程
- 31 篇 计算机科学与技术...
- 22 篇 机械工程
- 21 篇 力学（可授工学、理...
- 19 篇 仪器科学与技术
- 16 篇 软件工程
- 12 篇 信息与通信工程
- 11 篇 控制科学与工程
- 8 篇 航空宇航科学与技...
- 5 篇 地质资源与地质工...
- 5 篇 兵器科学与技术
- 4 篇 矿业工程
- 3 篇 动力工程及工程热...
- 3 篇 土木工程
- 2 篇 水利工程
- 2 篇 测绘科学与技术
64 篇 理学
- 54 篇 物理学
- 7 篇 化学
- 4 篇 数学
- 4 篇 统计学（可授理学、...
- 3 篇 系统科学
8 篇 管理学
- 8 篇 管理科学与工程(可...
4 篇 经济学
- 4 篇 应用经济学
3 篇 艺术学
- 3 篇 美术学
1 篇 医学
1 篇 军事学

主题

20 篇 电磁脉冲
19 篇 z箍缩
18 篇 数值模拟
17 篇 单粒子效应
16 篇 高空电磁脉冲
15 篇 cmos图像传感器
13 篇 气体开关
12 篇 x射线
12 篇 总剂量效应
11 篇 位移损伤
10 篇 磁绝缘传输线
10 篇 单粒子翻转
10 篇 辐射效应
10 篇 fpga
9 篇 西安脉冲堆
9 篇 sram
8 篇 脉冲电流注入
8 篇 脉冲功率技术
8 篇 磁绝缘感应电压叠...
8 篇 质子辐照

机构

229 篇 西北核技术研究所...
227 篇 西北核技术研究所
214 篇 强脉冲辐射环境模...
78 篇 西安交通大学
48 篇 强脉冲辐射环境模...
36 篇 西北核技术研究所...
34 篇 清华大学
25 篇 湘潭大学
23 篇 强脉冲辐射环境模...
9 篇 西安高科技研究所
8 篇 西安电子科技大学
6 篇 南京航空航天大学
4 篇 北京跟踪与通信技...
4 篇 粒子技术与辐射成...
4 篇 军械工程学院
4 篇 中国原子能科学研...
4 篇 中国矿业大学
4 篇 火箭军工程大学
4 篇 浙江大学
4 篇 电力设备电气绝缘...

作者

81 篇 陈伟
57 篇 吴伟
55 篇 王祖军
48 篇 邱爱慈
45 篇 姚志斌
41 篇 孙凤举
39 篇 何宝平
37 篇 程引会
36 篇 丛培天
36 篇 郭晓强
34 篇 盛江坤
33 篇 谢霖燊
33 篇 郭景海
32 篇 江新标
32 篇 盛亮
31 篇 魏浩
31 篇 刘岩
30 篇 马良
30 篇 齐超
30 篇 赵墨

语言

632 篇 中文

检索条件"机构=强辐射脉冲环境模拟与效应全国重点实验室西北核技术研究所"

共 632 条记录，以下是601-610 订阅

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压杆式压电应力传感器在爆炸冲量测试中的应用

压杆式压电应力传感器在爆炸冲量测试中的应用

引用

2014年全国固体力学学术大会

作者：林鹏王长利李迅王等旺西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

片炸药加载是模拟强脉冲X 射线引起结构响应的主要方法，而片炸药比冲量的标定则是进行加载载荷设计的重要依据.为测量片炸药爆炸产生的比冲量，设计了一种压杆式压电应力测量系统，系统嵌入的应力计分别为PVDF 和X 切割石英计(0.2mm ... 详细信息

片炸药加载是模拟强脉冲X 射线引起结构响应的主要方法，而片炸药比冲量的标定则是进行加载载荷设计的重要依据.为测量片炸药爆炸产生的比冲量，设计了一种压杆式压电应力测量系统，系统嵌入的应力计分别为PVDF 和X 切割石英计(0.2mm 厚).对应力波在杆中的传播进行了数值模拟，分析了弥散对冲量测试的影响.利用该系统对一种片炸药爆炸产生的比冲量进行了实验测量.测量结果和理论计算结果进行了比较，两者偏差在10％以内.该系统可以满足工程上的测量要求.

关键词：比冲量压杆片炸药应力计

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薄片石英在辐射热激波测量中的应用

薄片石英在辐射热激波测量中的应用

引用

第十三次全国物理力学大会

作者：林鹏李捷王等旺西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西安710024

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脉宽调制器单粒子效应测试系统研制

脉宽调制器单粒子效应测试系统研制

引用

北京核学会第十届(2014)核应用技术学术交流会

作者：赵雯郭红霞张凤祁郭晓强罗尹虹王燕萍肖尧西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安 710024

本文在分析脉宽调制器(PWM)单粒子效应主要失效模式的基础上,研制了具备频率异常测试、占空比异常测试和参考电压测试功能的PWM单粒子效应测试系统,并在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上开展了单粒子效应试验.试验结果表明:单粒... 详细信息

本文在分析脉宽调制器(PWM)单粒子效应主要失效模式的基础上,研制了具备频率异常测试、占空比异常测试和参考电压测试功能的PWM单粒子效应测试系统,并在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上开展了单粒子效应试验.试验结果表明:单粒子效应会导致PWM输出信号的脉冲丢失和占空比改变,脉冲丢失时间和占空比改变的持续时间有时可达数ms;UC1825AJ型PWM的单粒子效应LET阈值约为4.4 MeV·cm2·mg-1,UC1845AJ型PWM的抗单粒子性能受工艺批次的影响较大.

关键词：脉宽调制器单粒子效应测试系统优化设计性能表征

来源：评论

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中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离射翻转效应实验研究

中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离射翻转效应实验研究

引用

北京核学会第十届(2014)核应用技术学术交流会

作者：刘岩陈伟杨善潮齐超王桂珍林东生郭晓强金军山西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安 710024

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比.结果表明:中子辐照... 详细信息

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比.结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因.

关键词：静态随机存储器瞬时电离辐射效应翻转阈值数值分析

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Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响

Burn-in对SRAM器件电离总剂量效应的影响

引用

北京核学会第十届(2014)核应用技术学术交流会

作者：刘敏波姚志斌黄绍艳何宝平盛江坤西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安 710024

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究.选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件... 详细信息

针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究.选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No Burnin)的样品进行了总剂量辐照实验,测量了辐照引起的SRAM器件的数据位翻转数,得到了Burn-in对不同工艺尺寸SRAM器件总剂量效应的影响规律.针对0.25 μm工艺SRAM器件开展了不同Burn-in温度影响器件抗辐射能力的实验研究,得到了器件抗辐射性能与Burn-in温度之间的关系.结果表明,SRAM器件的工艺尺寸越小,抗总剂量能力越强,且受Burn-in的影响越小;Burn-in时的温度越高,对器件的抗总剂量水平影响越大.

关键词：静态随机存储器高温老炼电离总剂量效应数值分析

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单粒子闭锁保护电路的设计与验证

单粒子闭锁保护电路的设计与验证

引用

第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：盛江坤肖志刚姚志斌何宝平黄绍艳刘敏波王祖军唐本奇强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

针对CMOS电路的单粒子闭锁效应,设计了一个基于MAX4374的闭锁保护电路.通过改变MAX4374外围的电阻和电容值,实现了闭锁保护电路电流保护阈值可调和关断时间可调的功能.设计了一个能够模拟器件单粒子闭锁效应的验证电路,对闭锁保护电路... 详细信息

针对CMOS电路的单粒子闭锁效应,设计了一个基于MAX4374的闭锁保护电路.通过改变MAX4374外围的电阻和电容值,实现了闭锁保护电路电流保护阈值可调和关断时间可调的功能.设计了一个能够模拟器件单粒子闭锁效应的验证电路,对闭锁保护电路的功能进行了验证.

关键词：互补型金属氧化物半导体电路单粒子闭锁效应保护电路设计理念

来源：评论

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SRAM型FPGA反应堆中子辐照效应实验研究

SRAM型FPGA反应堆中子辐照效应实验研究

引用

第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：杨善潮金军山齐超刘岩林东生王桂珍金晓明姚志斌李瑞宾陈伟强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室西北核技术研究所陕西西安710024

在西安脉冲反应堆开展了特征尺寸为0.18μm尺寸的SRAM型FPGA中子辐射效应实验研究,通过在线测试方式,得到了功能错误、配置存储器翻转位数、块存储器翻转位数随中子注量累积的增长曲线,证实了小尺寸SRAM型FPGA在反应堆低能中子辐照下的... 详细信息

在西安脉冲反应堆开展了特征尺寸为0.18μm尺寸的SRAM型FPGA中子辐射效应实验研究,通过在线测试方式,得到了功能错误、配置存储器翻转位数、块存储器翻转位数随中子注量累积的增长曲线,证实了小尺寸SRAM型FPGA在反应堆低能中子辐照下的中子单粒子效应的存在.

关键词：脉冲反应堆中子辐射单粒子翻转现场可编程逻辑器件

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中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管电流增益退化的数值模拟

中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管电流增益退化的数值模拟

引用

第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014)

作者：王晨辉白小燕陈伟杨善潮刘岩金晓明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安710024

本文建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添加电荷陷阱,完成了对中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管总... 详细信息

本文建立了中子位移效应、总剂量效应以及总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟方法,运用半导体仿真工具TCAD,通过同时改变少数载流子寿命、表面复合速度以及在SiO2钝化层中添加电荷陷阱,完成了对中子和γ综合辐射环境下横向PNP晶体管总剂量和位移综合辐射效应的数值模拟.研究结果表明,总剂量效应会加剧横向PNP晶体管的中子位移损伤,引起更显著的增益退化.

关键词：集成电路即插即用晶体管增益退化现象总剂量效应位移辐射

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空间核热推进粒子球床堆堆芯设计参数敏感性分析

空间核热推进粒子球床堆堆芯设计参数敏感性分析

引用

第九届全国新堆与研究堆学术报告会

作者：姜夺玉江新标王立鹏潘孝兵张信一西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安 710024

基于空间核热推进(SNTP)粒子球床堆的物理模型,研究了控制鼓外径与反射层厚度、10B富集度及厚度、栅径比与高径比、燃料球体积填充率等对粒子球床堆堆芯设计参数敏感性的影响.结果表明:反射层厚度取决于控制鼓外径的选择;10B富集度及厚... 详细信息

基于空间核热推进(SNTP)粒子球床堆的物理模型,研究了控制鼓外径与反射层厚度、10B富集度及厚度、栅径比与高径比、燃料球体积填充率等对粒子球床堆堆芯设计参数敏感性的影响.结果表明:反射层厚度取决于控制鼓外径的选择;10B富集度及厚度对堆芯可控性影响较小;对于所选堆芯,存在最优栅径比,增大堆芯高径比可增加堆芯径向中子泄漏率,进而提高控制鼓的控制价值;随着燃料球体积填充率的增大,堆芯keff增大,中子泄漏减少,能谱变硬,燃料球体积填充率的变化对堆芯轴向、径向中子注量率不均匀因子影响较小.本文研究结果对粒子球床堆堆芯设计参数的选择具有指导意义.

关键词：粒子球床堆空间核热推进堆芯设计工艺参数敏感性

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EEPROM瞬时剂量率效应实验研究

EEPROM瞬时剂量率效应实验研究

引用

北京核学会第十届(2014)核应用技术学术交流会

作者：王桂珍齐超林东生白小燕杨善潮李瑞宾刘岩金晓明西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室陕西西安 710024

对3种不同容量的EEPROM开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能.辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器... 详细信息

对3种不同容量的EEPROM开展了“强光一号”瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能.辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量.研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常.给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析.

关键词：电可擦写只读存储器电路结构瞬时剂量率效应数值分

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