检索结果-内蒙古大学图书馆

固体电子学研究与进展 2011年第6期31卷 532-535页

作者：余旭明洪伟张斌陈堂胜陈辰东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到2... 详细信息

报道了一款采用两级拓扑结构的2～4GHz宽带高功率单片微波功率放大器芯片。放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,重点在于宽带功率效率平坦化设计。经匹配优化后放大器在2～4GHz整个频带内脉冲输出功率大于35W,小信号增益达到22dB,在2.4GHz频点处峰值输出功率达到40W,对应的功率附加效率为35%。功率放大器芯片采用0.25μm GaN HEMT76.2mm圆片工艺制造,芯片尺寸为2.7mm×2.3mm。

关键词：铝镓氮/氮化镓氮化镓功率放大器宽带 S波段微波单片集成电路

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GaN HEMT的温度特性及其应用

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固体电子学研究与进展 2011年第3期31卷 226-232页

作者：任春江陈堂胜余旭明张斌南京电子器件研究所微波毫米波单片集成模块和电路国家重点实验室南京210016

对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC... 详细信息

对0.25μm双场板结构GaN HEMT器件的温度特性进行了研究。负载牵引测试结果显示,GaN HEMT增益的温度系数为-0.02 dB/℃、饱和输出功率系数为-0.004 dB/℃。大的增益温度系数结合GaN HEMT自热效应引起的高温升对实际应用特别是功率MMIC的设计带来了挑战。按常温设计的GaN功率MMIC在高温下输出功率出现了较大幅度的下降,并且连续波与脉冲下工作输出功率存在较大差异。针对GaN HEMT应用中的这些问题提出了解决措施,包括降低2DEG浓度来减小增益的温度系数,通过选择SiC衬底和衬底减薄以及版图设计改善器件散热,降低器件工作时的温升。

关键词：铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管场板栅挖槽难熔栅

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Ku波段宽带氮化镓功率放大器MMIC

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电子学报 2015年第9期43卷 1859-1863页

作者：余旭明洪伟王维波张斌东南大学毫米波国家重点实验室江苏南京210096 单片集成电路与模块国家重点实验室江苏南京210016

基于0．25tan栅长GaINHEMT工艺，采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段Gain功率放大器．放大器设计从建立大信号模型出发，输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗，从而提高整体放大器的功率效率．测试结果表明，该... 详细信息

基于0．25tan栅长GaINHEMT工艺，采用三级放大拓扑结构设计了一款Ku波段Gain功率放大器．放大器设计从建立大信号模型出发，输出匹配网络和级间匹配网络均采用电抗匹配减小电路的损耗，从而提高整体放大器的功率效率．测试结果表明，该放大器在14．6～18GHz频带内，小信号增益30dB，脉冲饱和输出功率达15W，功率附加效率（PAE）大于32％；在14．8GHz频点处，放大器的峰值功率达19．5W，PAE达39％．该结果表明GaNMMIC具有高频高功率高效率的优势，具有广阔的应用前景．

关键词：氮化镓功率放大器微波集成电路 Ku波段

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E波段3.5 W GaN宽带高功率放大器MMIC

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固体电子学研究与进展 2022年第1期42卷 1-4页

作者：戈勤陶洪琪王维波商德春刘仁福袁思昊南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成与模块电路国家重点实验室南京210016

基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60~90 GHz)的宽带高功率放大器芯片。放大器采用密集通孔结构的共源极晶体管,降低寄生效应,提高器件的高频增益。同时采用三级级联拓扑结构,结合紧... 详细信息

基于自主开发的100 nm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款工作频段覆盖E波段(60~90 GHz)的宽带高功率放大器芯片。放大器采用密集通孔结构的共源极晶体管,降低寄生效应,提高器件的高频增益。同时采用三级级联拓扑结构,结合紧凑的微带线宽带匹配电路,在60~92 GHz频率范围内,典型线性增益达到10.4 dB,增益平坦度为±1 dB,输入输出回波损耗小于等于-11 dB。通过行波式功率合成网络,在连续波状态下,芯片全频带内饱和输出功率不低于1.7 W。在64 GHz,最高输出功率达到3.5 W,相应功率增益为8.4 dB,功率附加效率为12.6%。

关键词： GaNHEMT E波段宽带高功率 MMIC

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小型化硅基毫米波MEMS三维异构集成开关滤波器件

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固体电子学研究与进展 2021年第5期41卷 330-336页

作者：侯芳孙超栾华凯黄旼朱健胡三明东南大学毫米波国家重点实验室南京210096 南京电子器件研究所南京210016 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠... 详细信息

针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠的MEMS滤波器和2个单片开关,采用3D-TSV(硅通孔)异构集成工艺,实现了开关与滤波器组的晶圆级集成。为了优化毫米波频段集成滤波器性能,提出了MEMS混合交叉耦合多层堆叠SIW(基片集成波导)滤波器拓扑结构,且其工艺与整个开关滤波器件兼容,极大提升了滤波器的带外抑制。经测试,该开关滤波器件带内插损<8.2 dB(包括2个开关共约4 d B的损耗),反射损耗>10 dB,带边1 GHz处带外抑制>40 dBc。该器件体积仅19.0 mm×16.5 mm×1.1 mm,比传统开关滤波器体积减小了99.7%。

关键词：三维异构集成微电子机械系统硅通孔滤波器基片集成波导

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0.1～325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模

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红外与毫米波学报 2019年第3期38卷 345-350,380页

作者：徐忠超刘军钱峰陆海燕程伟周文勇南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室江苏南京210016 杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室浙江杭州310017

给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋... 详细信息

给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.

关键词：在片测试结构等效电路模型参数提取太赫兹

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GaN功率器件芯片级热管理技术研究进展

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固体电子学研究与进展 2018年第5期38卷 316-323页

作者：郭怀新孔月婵韩平陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 固体微结构物理国家实验室南京大学南京210093

详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理... 详细信息

详细论述了GaN器件热瓶颈的原因,并对近年来国外正在开展的先进芯片级散热技术研究情况进行系统分析和评述。揭示了高导热材料及微流体与芯片近结集成的各类散热技术的热设计原理、工艺开发和面临的技术挑战,阐述了GaN器件芯片级热管理的技术现状和发展方向。

关键词： GaN器件芯片级热管理金刚石微流体

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基于薄膜工艺的1030GHz混频器和750~1100GHz倍频器研制

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红外与毫米波学报 2022年第5期41卷 871-878页

作者：孟进张德海牛斌朱皓天刘锶钰范道雨陈胜堂周明中国科学院国家空间科学中心微波遥感重点实验室北京100190 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室江苏南京210016 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司江苏南京210016

基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反... 详细信息

基于南京电子器件研究所砷化镓工艺线,自主完成了750~1100 GHz全频带三倍频器以及中心频率为1030 GHz的低损耗二次谐波混频器的研制。为了提升模块的性能,将传统的场路结合的设计方法进行了扩展,引入器件的参数优化,并建立起两者互为反馈的关系,从而达到整个设计过程的闭环。研制出的单片电路厚度为3μm,并通过梁氏引线支撑悬置于腔体结构中。测试结果表明宽带倍频器在790~1100 GHz频率范围内输出功率为-23~-11 dBm。以上述倍频源作为射频信号对二次谐波混频器进行测试,在1020~1044 GHz频率范围内变频损耗优于17.5 dB,在1030 GHz处测得的最小变频损耗为14.5 dB。

关键词：太赫兹单片电路谐波混频器宽带倍频

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氧化物功能薄膜材料在柔性传感器件中的应用

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中国科学：信息科学 2018年第6期48卷 635-649页

作者：潘泰松廖非易姚光王宇轩高敏林媛电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京210016

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器... 详细信息

柔性传感器件因其在医疗健康、人机交互等应用中的巨大前景,受到了广泛关注,也是近年来的研究热点.作为无机功能材料中的一类重要材料,氧化物功能薄膜因其具有丰富的电子学、光学、热学、力学、磁学等方面性质已经在各种电子和光电子器件中得到了广泛的应用.将氧化物功能薄膜应用于柔性传感器件,有望进一步提高柔性传感器件的性能,并为新型柔性传感器件的设计提供材料保障.本文分析了目前氧化物功能薄膜在柔性传感器件中应用所面临的重点科学技术问题,并介绍了近年来在基于氧化物功能薄膜的柔性传感器件所涉及的关键技术和器件应用上的研究进展.

关键词：无机功能材料氧化物功能薄膜柔性器件传感器件

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基于GaN功率器件的热仿真技术研究

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固体电子学研究与进展 2017年第3期37卷 176-181页

作者：郭怀新韩平陈堂胜微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所南京210016 固体微结构物理国家实验室南京大学南京210093

针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对... 详细信息

针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不同的初始条件、边界条件、晶格热效应及结构理论假设等因素对仿真精度的影响,分析了理论建模因素对计算结果的影响的原因。同时采用红外热成像仪对不同功率下的GaN芯片结温进行测试验证,模拟计算的结果和测试值的偏差在10%之内,表明合理建模的热仿真技术可有效评估器件散热能力。

关键词： GaN芯片热仿真结温有限元分析

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